【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于壓電膜，具體涉及一種壓電厚膜清洗溶劑的回收方法。
技術介紹
1、壓電厚膜是一種由含氟共聚物p(vdf-trfe)材料制成的平面型元件，由于p(vdf-trfe)的分子結構及結晶形成的β壓電晶相，壓電厚膜元件具有高的壓電電壓系數，在接收型聲學傳感器、水聽器中具有技術優勢。制備壓電厚膜的工藝流程中，高電場強度極化是不可或缺的一個步驟，用于調節元件內晶疇的取向，提升并穩固其壓電性能。為降低元件在高場強環境下被擊穿失效的概率，提高極化成功率，需將元件置于高絕緣的粘滯性硅油中方能進行極化，因此完成極化的元件被硅油包裹，此時的壓電厚膜雖然具有好的性能，但表面被嚴重污染，影響其下一步使用。因此，需對壓電厚膜進行清洗，去除硅油污染。
2、氫氟醚是一類含有氟元素的有機醚類化合物，被認為是一種有效的硅油清洗劑，可將覆于壓電厚膜表面的硅油通過擦拭、浸泡或超聲等方法去除掉，保證壓電厚膜的清潔，以便于后續工藝流程。去除的硅油與氫氟烷混合，這樣，兩者的分離以及氫氟烷的回收對于清洗步驟的經濟性至關重要。然而，將氫氟醚中混入的少量硅油去除，以實現氫氟醚的回收再利用（即重復清洗），就非常必要。
3、然而，氫氟醚對硅油有一定溶解性，分離回收有一定難度，或者付出代價太大。當前，針對大量揮發性溶劑與硅油分離及溶劑回收的相似技術報道較少，大部分針對的是含有少量揮發份的硅油的提純與收集。例如，中國專利公開號為cn104530432a的專利申請提出了一種采用加壓流體萃取分離揮發份與聚硅氧烷（即硅油）的方法，此方法并非針對揮發份回收設計，
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題是，提供一種壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，該方法能夠去除溶劑里的硅油，實現氫氟醚的回收再利用。
2、本專利技術的技術解決方案是，提供一種壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，包括以下步驟，
3、s1，將含有少量硅油的氫氟醚混合液減壓至0.03mpa以下，在攪拌情況下升溫至高于氫氟醚沸點10℃以內；
4、s2，待氫氟醚沸騰產生蒸氣，經管路到達冷凝裝置處，將冷凝的氫氟醚溶劑送至回收裝置；
5、s3，?將回收裝置得到的溶劑過濾，得到去除硅油而回收的氫氟醚溶劑。
6、作為優選，步驟s1中，在攪拌情況下升溫至60-65℃。
7、作為優選，步驟s2中，回收裝置內放置干燥劑用以吸收溶劑中的微量水分。
8、作為優選，步驟s2中，冷凝溫度為-20-0℃。
9、作為優選，步驟s2中，回收裝置內放置干燥劑，干燥劑為無水氯化鈣、無水硫酸鎂或分子篩中的任一種或其組合。
10、作為優選，步驟s2中，在蒸氣通過的管路上設置吸附硅油的材料，所用材料為過濾網、脫脂棉或硅膠微球中的任一種或其組合。
11、與現有技術相比，本專利技術具有以下優點：
12、（1）方法中僅需加熱、減壓、冷凝等現有技術中的常規裝置，成本低，回收效率高；（2）管路處布置的吸附材料具有硅油過濾與吸附功能，提升了回收的溶劑純度，回收溶劑可滿足清洗壓電厚膜的需要；（3）方法具有準連續工作能力，也可批次式工作。
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1.一種壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：包括以下步驟，
2.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟S1中，在攪拌情況下升溫至60-65℃。
3.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟S2中，回收裝置內放置干燥劑用以吸收溶劑中的殘留水分。
4.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟S2中，冷凝溫度為-20-0℃。
5.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟S2中，回收裝置內放置干燥劑，干燥劑為無水氯化鈣、無水硫酸鎂或分子篩中的任一種或其組合。
6.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟S2中，在蒸氣通過的管路上設置吸附硅油的材料，所用材料為過濾網、脫脂棉或硅膠微球中的任一種或其組合。
【技術特征摘要】
1.一種壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：包括以下步驟，
2.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟s1中，在攪拌情況下升溫至60-65℃。
3.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在于：步驟s2中，回收裝置內放置干燥劑用以吸收溶劑中的殘留水分。
4.根據權利要求1所述的壓電厚膜清洗溶劑的回收方法，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：白瑋，周哲源，彭康宜，梅小龍，許欣然，
申請(專利權)人：中國船舶集團有限公司第七一五研究所，
類型：發明
國別省市：
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