【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及晶圓測(cè)試，尤其是一種對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法及裝置、設(shè)備、介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、通常，在制造芯片的過(guò)程中，需要進(jìn)行cp(chip?probing，晶圓)測(cè)試和ft(finaltest)測(cè)試，其中，cp測(cè)試是指在晶圓制造后，對(duì)未進(jìn)行劃分封裝的整片晶圓通過(guò)探針將裸露的芯片管腳和測(cè)試機(jī)臺(tái)相連，執(zhí)行測(cè)試pattern對(duì)芯片進(jìn)行功能性的測(cè)試。一片存儲(chǔ)晶圓(flash?wafer)通常有幾百個(gè)晶粒(die)，通過(guò)晶圓測(cè)試后不良的晶粒(die)被標(biāo)記下來(lái)，在做晶粒(die)封裝時(shí)通常只選用好的晶粒(die)封裝成成品，不良的晶粒叫做ink?die被丟棄掉。die在半導(dǎo)體行業(yè)指的是沒(méi)有經(jīng)過(guò)封裝的集成電路芯片，即為裸芯片、晶片等。
2、目前，在對(duì)單晶粒進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程中，單晶粒待測(cè)容量超過(guò)一定的閾值，則存在對(duì)該單晶粒測(cè)試不完全的問(wèn)題，通常需要修改整體、底層的測(cè)試算法，才能對(duì)單晶粒待測(cè)容量超過(guò)一定的閾值的單晶粒完成全部測(cè)試。但改變整體、底層的測(cè)試算法以適應(yīng)單晶粒待測(cè)容量的方式，難度較大、效率較低，也導(dǎo)致單晶粒測(cè)試效率低，且難以適用于生產(chǎn)制造中的情況多變的批量測(cè)試。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法及裝置、設(shè)備、介質(zhì)，能夠根據(jù)不同的單晶粒待測(cè)容量匹配不同的目標(biāo)pattern測(cè)試算法對(duì)單晶粒進(jìn)行pattern測(cè)試，提高單晶粒測(cè)試效率，且增強(qiáng)測(cè)試普適性。
2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提
3、從待測(cè)晶圓中確定待測(cè)的第一晶粒，并確定單個(gè)所述第一晶粒的第一待測(cè)容量；
4、當(dāng)所述第一待測(cè)容量大于預(yù)設(shè)容量閾值，獲取當(dāng)前的第一傳參文件；其中，所述第一傳參文件包括：第一算法選擇信息和預(yù)設(shè)差值；所述第一算法選擇信息為全0的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，所述二進(jìn)制數(shù)據(jù)的位數(shù)與候選pattern測(cè)試算法當(dāng)前的第一總數(shù)量相同；
5、根據(jù)所述第一待測(cè)容量與所述預(yù)設(shè)容量閾值之間的第一容量差值、所述預(yù)設(shè)差值，對(duì)所述第一算法選擇信息進(jìn)行更新處理，得到第二算法選擇信息和包括所述第二算法選擇信息的更新的第二傳參文件；
6、運(yùn)行解析所述第二傳參文件，根據(jù)所述第二算法選擇信息從多個(gè)不同的候選pattern測(cè)試算法中確定并啟動(dòng)一個(gè)目標(biāo)pattern測(cè)試算法；
7、根據(jù)所述第二傳參文件和所述目標(biāo)pattern測(cè)試算法，分區(qū)域?qū)Υ郎y(cè)的所述第一晶粒進(jìn)行pattern測(cè)試，完成單晶粒測(cè)試。
8、根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，所述根據(jù)所述第一待測(cè)容量與所述預(yù)設(shè)容量閾值之間的第一容量差值、所述預(yù)設(shè)差值，對(duì)所述第一算法選擇信息進(jìn)行更新處理，得到第二算法選擇信息和包括所述第二算法選擇信息的更新的第二傳參文件，包括：
9、將所述第一待測(cè)容量減去所述預(yù)設(shè)容量閾值得到所述第一容量差值；
10、令所述第一容量差值除以所述預(yù)設(shè)差值，得到商值；
11、對(duì)所述商值進(jìn)位取整后，將得到的整數(shù)確定為位數(shù)序號(hào)；
12、將所述位數(shù)序號(hào)所指示的所述第一算法選擇信息中的目標(biāo)位數(shù)對(duì)應(yīng)的低電平值修改為高電平值，得到更新后的所述第二算法選擇信息；
13、根據(jù)所述第二算法選擇信息生成更新后的所述第二傳參文件。
14、根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，所述第一傳參文件和所述第二傳參文件均包括：算法使能信號(hào)；
15、所述運(yùn)行解析所述第二傳參文件，根據(jù)所述第二算法選擇信息從多個(gè)不同的候選pattern測(cè)試算法中確定并啟動(dòng)一個(gè)目標(biāo)pattern測(cè)試算法，包括：
16、運(yùn)行解析所述第二傳參文件，得到所述算法使能信號(hào)；
17、響應(yīng)于所述算法使能信號(hào)使能預(yù)配置的lk算法，從所述lk算法中確定多個(gè)排序的所述候選pattern測(cè)試算法；其中，不同的所述候選pattern測(cè)試算法是基于不同的待測(cè)容量配置得到的；
18、響應(yīng)于所述第二算法選擇信息中的低電平值，將對(duì)應(yīng)的排序位置上的所述候選pattern測(cè)試算法禁用；
19、響應(yīng)于所述第二算法選擇信息中的高電平值，將對(duì)應(yīng)排序位置上的所述候選pattern測(cè)試算法確定為目標(biāo)pattern測(cè)試算法，并啟動(dòng)所述目標(biāo)pattern測(cè)試算法。
20、根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，所述方法還包括：
21、響應(yīng)于算法更新指令，在所述lk算法中新增或刪減所述候選pattern測(cè)試算法；
22、確定當(dāng)前所述lk算法中所述候選pattern測(cè)試算法的第二總數(shù)量；
23、根據(jù)所述第二總數(shù)量修改所述第一算法選擇信息，得到更新的第一算法選擇信息；其中，所述更新的第一算法選擇信息的位數(shù)由所述第二總數(shù)量確定；
24、根據(jù)所述更新的第一算法選擇信息生成更新的第一傳參文件。
25、根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，所述第二傳參文件還包括：測(cè)試參數(shù)；
26、所述根據(jù)所述第二傳參文件和所述目標(biāo)pattern測(cè)試算法，分區(qū)域?qū)Υ郎y(cè)的所述第一晶粒進(jìn)行pattern測(cè)試，完成單晶粒測(cè)試，包括：
27、根據(jù)預(yù)設(shè)容量閾值將待測(cè)的所述第一晶粒劃分為第一測(cè)試區(qū)域和第二測(cè)試區(qū)域；其中，所述第一測(cè)試區(qū)域的待測(cè)容量等于所述預(yù)設(shè)容量閾值；所述第二測(cè)試區(qū)域的待測(cè)容量等于所述第一容量差值；
28、基于預(yù)設(shè)的常規(guī)測(cè)試模式，對(duì)所述第一測(cè)試區(qū)域進(jìn)行第一測(cè)試處理；
29、從所述第二傳參文件中獲取所述測(cè)試參數(shù)，根據(jù)所述目標(biāo)pattern測(cè)試算法和所述測(cè)試參數(shù)對(duì)所述第二測(cè)試區(qū)域進(jìn)行第二測(cè)試處理；
30、當(dāng)所述第一測(cè)試處理和所述第二測(cè)試處理完成，完成所述pattern測(cè)試。
31、根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，所述方法還包括：
32、當(dāng)所述第一待測(cè)容量小于或等于預(yù)設(shè)容量閾值，確定預(yù)設(shè)的常規(guī)pattern測(cè)試算法；
33、根據(jù)所述預(yù)設(shè)的常規(guī)pattern測(cè)試算法，對(duì)所述第一晶粒進(jìn)行pattern測(cè)試，完成單晶粒測(cè)試。
34、根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，所述對(duì)所述第一晶粒進(jìn)行pattern測(cè)試，完成單晶粒測(cè)試之后，方法還包括：
35、從所述待測(cè)晶圓中確定下一個(gè)待測(cè)的第二晶粒，并確定單個(gè)所述第二晶粒的第二待測(cè)容量；
36、當(dāng)所述第二待測(cè)容量大于預(yù)設(shè)容量閾值，獲取當(dāng)前的第一傳參文件；其中，所述第一傳參文件包括：第一算法選擇信息和預(yù)設(shè)差值；所述第一算法選擇信息為全0的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，所述二進(jìn)制數(shù)據(jù)的位數(shù)與候選pattern測(cè)試算法當(dāng)前的第一總數(shù)量相同；
37、根據(jù)所述第二待測(cè)容量與所述預(yù)設(shè)容量閾值之間的第二容量差值、所述預(yù)設(shè)差值，對(duì)所述第一算法選擇信息進(jìn)行更新處理，得到第三算法選擇信息和包括所述第三算法選擇信息的更新的第三傳參文件；
38、運(yùn)行解析所述第三傳參文件，根據(jù)所述第三算法選擇信息從多個(gè)候選pattern測(cè)試算法中確定并啟動(dòng)一個(gè)目標(biāo)pattern測(cè)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一待測(cè)容量與所述預(yù)設(shè)容量閾值之間的第一容量差值、所述預(yù)設(shè)差值，對(duì)所述第一算法選擇信息進(jìn)行更新處理，得到第二算法選擇信息和包括所述第二算法選擇信息的更新的第二傳參文件，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述第一傳參文件和所述第二傳參文件均包括：算法使能信號(hào)；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述第二傳參文件還包括：測(cè)試參數(shù)；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述對(duì)所述第一晶粒進(jìn)行Pattern測(cè)試，完成單晶粒測(cè)試之后，方法還包括：
8.一種對(duì)單晶粒的Pat
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試裝置。
10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的對(duì)單晶粒的Pattern測(cè)試方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一待測(cè)容量與所述預(yù)設(shè)容量閾值之間的第一容量差值、所述預(yù)設(shè)差值，對(duì)所述第一算法選擇信息進(jìn)行更新處理，得到第二算法選擇信息和包括所述第二算法選擇信息的更新的第二傳參文件，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述第一傳參文件和所述第二傳參文件均包括：算法使能信號(hào)；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述第二傳參文件還包括：測(cè)試參數(shù)；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)單晶粒的pattern測(cè)試方法，其特征在于，所述方法還...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉孜，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：深圳市晶存科技股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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