【技術實現步驟摘要】
本披露涉及一種霍爾元件及其制造方法以及半導體裝置。
技術介紹
1、霍爾元件是將磁信號轉換為電信號并進行檢測的元件，在電流傳感器、電動機的旋轉角檢測傳感器等廣泛領域中得到利用。作為現有的霍爾元件的構成，例如，專利文獻1中公開了感磁層包含在gaas(砷化鎵)中添加了作為雜質的si(硅)而成的n型半導體的霍爾元件。該霍爾元件以感磁層俯視時呈十字形狀的方式配置在襯底上，在十字形狀的感磁層的各端部的表面配置電極且電連接，未配置電極的感磁層的表面由sin(氮化硅)等保護層所覆蓋。
2、[現有技術文獻]
3、[專利文獻]
4、[專利文獻1]日本專利特開2017-50394號公報
技術實現思路
1、如果將霍爾元件設置在高溫多濕的環境中，那么有時水分會通過與霍爾元件的感磁層的端部電連接的歐姆接觸層、與覆蓋感磁層的表面的保護層的界面滲入而到達感磁層，從而使感磁層劣化。
2、本披露是鑒于所述實際情況而提出的，目的在于提供一種阻止水分從歐姆接觸層與保護層的界面滲入的霍爾元件及其制造方法以及半導體裝置。
3、本披露的霍爾元件具備：襯底；感磁層，配置在襯底的頂面；保護層，覆蓋感磁層，且具有使感磁層的特定的區域露出的開口；歐姆接觸層，與從開口露出的感磁層電連接，且其一部分與開口的周圍的保護層相接；以及金屬層，配置在歐姆接觸層之上，且其一部分在歐姆接觸層的周圍與保護層相接。
【技術保護點】
1.一種霍爾元件，具備：
2.根據權利要求1所述的霍爾元件，其中
3.根據權利要求2所述的霍爾元件，其還具備配置在所述金屬層之上的鍍覆層，在所述島部的與所述歐姆接觸層對向的端面和所述歐姆接觸層之間的間隙內填埋鍍覆層的金屬。
4.根據權利要求3所述的霍爾元件，其中所述鍍覆層從所述金屬層的所述主體部遍及所述島部而連續地配置。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的霍爾元件，其中所述感磁層包含III-V族化合物半導體。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的霍爾元件，其中所述歐姆接觸層由與所述感磁層形成共晶體的合金形成。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的霍爾元件，其中所述金屬層積層有：
8.一種霍爾元件的制造方法，具有以下步驟：
9.根據權利要求8所述的霍爾元件的制造方法，其中
10.根據權利要求9所述的霍爾元件的制造方法，其還具有在所述金屬層之上形成鍍覆層的步驟，形成所述鍍覆層的步驟是在所述島部的與所述歐姆接觸層對向的側面和所述歐姆接觸層之間的間隙內填埋鍍覆層的金屬。
<...【技術特征摘要】
1.一種霍爾元件，具備：
2.根據權利要求1所述的霍爾元件，其中
3.根據權利要求2所述的霍爾元件，其還具備配置在所述金屬層之上的鍍覆層，在所述島部的與所述歐姆接觸層對向的端面和所述歐姆接觸層之間的間隙內填埋鍍覆層的金屬。
4.根據權利要求3所述的霍爾元件，其中所述鍍覆層從所述金屬層的所述主體部遍及所述島部而連續地配置。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的霍爾元件，其中所述感磁層包含iii-v族化合物半導體。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的霍爾元件，其中所述歐姆接觸層由與所述感磁層形成共晶體的合金形成。...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。