【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于真空鍍膜設(shè)備，特別涉及一種帶托點硅片承載框。
技術(shù)介紹
1、物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。pvd技術(shù)可以制備出具有優(yōu)異性能的薄膜，例如硬度高、耐磨損、耐腐蝕等特性，物理氣相沉積（physical?vapor?deposition，pvd）是一種通過物理過程將固體材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，再沉積到基材表面形成薄膜的技術(shù)。pvd主要通過物理過程，如蒸發(fā)、濺射、弧蒸發(fā)等實現(xiàn)材料的轉(zhuǎn)移和沉積。真空蒸鍍硅片承載裝置裝載太陽能硅片在蒸鍍設(shè)備各工藝腔中流轉(zhuǎn)，完成鍍膜工序。因此整個鍍膜工序中對承載裝置的要求很高，承載裝置的好壞直接影響到后道工序硅片的質(zhì)量。
2、現(xiàn)有的硅片承載框設(shè)計有掩膜臺階，即掩膜的尺寸小于硅片的尺寸，這導(dǎo)致硅片在鍍膜過程中，掩膜臺階內(nèi)的區(qū)域無法鍍上ito膜。目前硅片四周有1mm寬的區(qū)域無法鍍上ito膜，這1mm寬的掩膜區(qū)域大大降低了硅片的鍍膜效率。為了提高硅片的鍍膜效率，需要進(jìn)一步減少掩膜區(qū)域。但是當(dāng)減少掩膜區(qū)域時，會導(dǎo)致鍍硅片下表面的靶材從間隙中繞到硅片上方，鍍在硅片上表面，反而降低了硅片的鍍膜效率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)目的：本專利技術(shù)的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種帶托點硅片承載框。
2、技術(shù)方案：一種帶托點硅片承載框，包括承載框本體，承載框本體設(shè)置有多個放片框，放片框的內(nèi)壁四周分布有托點，托點設(shè)有掩膜臺階，放片框鏤空部位的尺寸定義為掩膜尺寸，放片框的掩膜尺寸大于硅片的尺寸
3、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，承載框本體采用金屬材質(zhì)制成。
4、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，承載框本體的材質(zhì)為不銹鋼或鈦合金??。
5、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，承載框本體采用非金屬材質(zhì)制成。
6、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，承載框本體的材質(zhì)為碳纖維或peek??。
7、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，相鄰?fù)悬c之間的中心距在30mm～70mm之間。
8、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，放片框的內(nèi)壁四周分布的托點數(shù)量范圍為4～16個。
9、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，放片框的正面倒角尺寸為1.5x20°～2.5x40°，所述放片框的背面倒角尺寸為0.5x60°～1x80°。
10、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，放片框的四個頂角處設(shè)有倒角部，倒角部仿照硅片四角形狀，放片框加工的倒角邊距離硅片邊的間隙范圍為0.1～0.3mm。
11、本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，放片框距離硅片的間隙范圍為0.1～0.3mm，即放片框的掩膜尺寸大于硅片尺寸的范圍為0.1～0.6mm。
12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供的一種帶托點硅片承載框，至少實現(xiàn)了如下的有益效果：
13、本專利技術(shù)通過設(shè)置有放片框，并在放片框的內(nèi)壁四周分布有托點，托點設(shè)有掩膜臺階，實現(xiàn)掩膜尺寸大于硅片的尺寸，承載框本體在鍍膜過程中將硅片架在放片框中，托點位于放片框的下方，用于托住硅片，本專利技術(shù)既可以避免硅片下表面的靶材從間隙中繞到硅片上方、鍍在硅片上表面，也可以提高硅片背面有效鍍膜的占比。從而降低了硅片鍍膜過程中的偏移率，偏移率即用來衡量相對于其均值的離散程度的指標(biāo)，硅片鍍膜過程中的偏移率由2.3‰下降到1‰以內(nèi)。通過提升了硅片背面有效的鍍膜占比，使用本專利技術(shù)方案完成鍍膜的硅片、所生產(chǎn)的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率可提升0.2％。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種帶托點硅片承載框，其特征在于，包括承載框本體，所述承載框本體設(shè)置有多個放片框（2），所述放片框（2）的內(nèi)壁四周分布有托點（3），所述托點（3）設(shè)有掩膜臺階，所述放片框鏤空部位的尺寸定義為掩膜尺寸，所述放片框的掩膜尺寸大于硅片（1）的尺寸，所述承載框本體在鍍膜過程中將硅片（1）架在所述放片框（2）中，所述托點（3）托住硅片（1）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體采用金屬材質(zhì)制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體的材質(zhì)為不銹鋼或鈦合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體采用非金屬材質(zhì)制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體的材質(zhì)為碳纖維或PEEK。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，相鄰?fù)悬c（3）之間的中心距在30mm～70mm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述放片框（2）的內(nèi)壁四周分
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述放片框（2）的正面倒角尺寸為1.5x20°～2.5x40°，所述放片框（2）的背面倒角尺寸為0.5x60°～1x80°。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述放片框（2）的四個頂角處設(shè)有倒角部（4），所述倒角部（4）仿照硅片四角形狀，所述放片框（2）加工的倒角邊距離硅片邊的間隙范圍為0.1～0.3mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述放片框（2）距離硅片（1）的間隙范圍為0.1～0.3mm，即放片框的掩膜尺寸大于硅片尺寸的范圍為0.1～0.6mm。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種帶托點硅片承載框，其特征在于，包括承載框本體，所述承載框本體設(shè)置有多個放片框（2），所述放片框（2）的內(nèi)壁四周分布有托點（3），所述托點（3）設(shè)有掩膜臺階，所述放片框鏤空部位的尺寸定義為掩膜尺寸，所述放片框的掩膜尺寸大于硅片（1）的尺寸，所述承載框本體在鍍膜過程中將硅片（1）架在所述放片框（2）中，所述托點（3）托住硅片（1）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體采用金屬材質(zhì)制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體的材質(zhì)為不銹鋼或鈦合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體采用非金屬材質(zhì)制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種帶托點硅片承載框，其特征在于，所述承載框本體的材質(zhì)為碳纖維或peek。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶托點硅片承載框...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高晗，楊宗明，宗健佳，龔漢亮，
申請(專利權(quán))人：南通玖方新材料股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。