【技術實現步驟摘要】
本申請涉及局部放電缺陷識別，尤其涉及一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法、裝置及設備。
技術介紹
1、在高電壓與絕緣
，氣體絕緣組合電器gis用于提高電力系統的可靠性。六氟化硫sf6具有優異的絕緣性能，包括優異的介電強度和滅弧性能。因此，六氟化硫sf6被廣泛用作氣體絕緣電力設備中的絕緣體。然而，由于其全球增溫潛勢gwp是二氧化碳co2的23900倍，其使用受到環境保護的約束。因此，已經進行了一些研究來開發環境友好的替代氣體。全氟異丁腈c4f7n這個環保型氣體作為sf6最受歡迎的替代品之一被應用于氣體絕緣組合電器gis中。
2、近年來，以環保絕緣氣體全氟異丁腈c4f7n為絕緣介質的氣體絕緣金屬封閉開關設備等氣體絕緣電氣設備已經開始逐步落地投產。然而，盡管對全氟異丁腈c4f7n的絕緣性能進行了研究，但對其局部放電pd特性的研究還較少。局部放電pd是電力設備在絕緣擊穿前絕緣初始劣化的一種表現。此外，識別一旦檢測到局部放電pd，局部放電pd的缺陷對于現場工程師在gis內部的維修決策非常重要。目前工程實際中已經對六氟化硫sf6的各種局部放電特性進行了研究，以確定局部放電缺陷的類型。然而，關于全氟異丁腈c4f7n的局部放電pd特性的研究卻十分有限。
3、因此，有必要對全氟異丁腈c4f7n的局部放電pd特性進行研究，并根據局部放電信號識別局部放電pd的缺陷類型。
技術實現思路
1、本申請提供了一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法、裝置及設備，
2、為了實現上述目的，本申請提供如下技術方案：
3、一方面，提供了一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，包括以下步驟：
4、構建以全氟異丁腈作為絕緣介質進行局部放電的測試平臺，以及獲取局部放電參數；
5、根據所述局部放電參數控制所述測試平臺對所述絕緣介質進行局部放電模擬，獲得局部放電脈沖信號；
6、從所述局部放電脈沖信號提取時域和頻域數據作為局部放電數據，根據所述局部放電數據構建相位分辨圖譜；從所述相位分辨圖譜中提取識別數據，所述識別數據包括平均放電量、脈沖計數和放電脈沖相位角；
7、根據所述識別數據識別所述絕緣介質的局部放電缺陷類型。
8、優選地，根據所述識別數據識別所述絕緣介質的局部放電缺陷類型包括：
9、若所述平均放電量為第一電量閾值、所述脈沖計數為第一計數閾值且所述放電脈沖相位角為第一相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為微粒缺陷；
10、若所述平均放電量為第二電量閾值所述脈沖計數為第二計數閾值且所述放電脈沖相位角為第二相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為固體金屬突出物缺陷；
11、若所述平均放電量為第三電量閾值、所述脈沖計數為第三計數閾值且所述放電脈沖相位角為第三相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為污穢缺陷；
12、若所述平均放電量為第四電量閾值、所述脈沖計數為第四計數閾值且所述放電脈沖相位角為第四相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為氣隙缺陷。
13、優選地，所述第一電量閾值為459mv，所述第一計數閾值為183n/s，所述第一相位閾值為0°~360°；和/或，所述第二電量閾值為32mv，所述第二計數閾值為42n/s，所述第二相位閾值為61°~102°；和/或，所述第三電量閾值為42mv，所述第三計數閾值為504n/s，所述第三相位閾值為46°~130°和254°~302°；和/或，所述第四電量閾值為244mv，所述第四計數閾值為187n/s，所述第四相位閾值為16°~118°和182°~254°。
14、優選地，所述測試平臺包括：工頻變壓器、保護電阻、模擬氣室、分壓電容、耦合電容、檢測元件和示波器，所述工頻變壓器還與感應調壓器連接，所述工頻變壓器的第一端與所述保護電阻的第一端連接，所述保護電阻的第二端分別與所述模擬氣室的第一端、所述分壓電容的第一端和所述耦合電容的第一端連接，所述耦合電容的第二端分別與所述檢測元件的第一端和所述示波器連接，所述檢測元件的第二端、所述模擬氣室的第二端、所述分壓電容的第二端和所述工頻變壓器的第二端接地。
15、優選地，所述局部放電參數包括所述工頻變壓器的工頻電壓、所述工頻變壓器的變壓比、所述工頻變壓器的容量、所述工頻變壓器的二次側額定電流、所述保護電阻的阻值、所述分壓電容的分壓比、所述耦合電容的高頻電流分量、所述檢測元件的阻抗、采樣率和模擬帶寬。
16、又一方面，提供了一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，包括平臺構建及參數獲取模塊、放電模擬模塊、數據提取模塊和缺陷識別模塊；
17、所述平臺構建及參數獲取模塊，用于構建以全氟異丁腈作為絕緣介質進行局部放電的測試平臺，以及獲取局部放電參數；
18、所述放電模擬模塊，用于根據所述局部放電參數控制所述測試平臺對所述絕緣介質進行局部放電模擬，獲得局部放電脈沖信號；
19、所述數據提取模塊，用于從所述局部放電脈沖信號提取時域和頻域數據作為局部放電數據，根據所述局部放電數據構建相位分辨圖譜；從所述相位分辨圖譜中提取識別數據，所述識別數據包括平均放電量、脈沖計數和放電脈沖相位角；
20、所述缺陷識別模塊，用于根據所述識別數據識別所述絕緣介質的局部放電缺陷類型。
21、優選地，所述缺陷識別模塊還用于根據所述平均放電量為第一電量閾值、所述脈沖計數為第一計數閾值且所述放電脈沖相位角為第一相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為微粒缺陷；或根據所述平均放電量為第二電量閾值所述脈沖計數為第二計數閾值且所述放電脈沖相位角為第二相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為固體金屬突出物缺陷；或根據所述平均放電量為第三電量閾值、所述脈沖計數為第三計數閾值且所述放電脈沖相位角為第三相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為污穢缺陷；或根據所述平均放電量為第四電量閾值、所述脈沖計數為第四計數閾值且所述放電脈沖相位角為第四相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為氣隙缺陷。
22、優選地，所述第一電量閾值為459mv，所述第一計數閾值為183n/s，所述第一相位閾值為0°~360°；和/或，所述第二電量閾值為32mv，所述第二計數閾值為42n/s，所述第二相位閾值為61°~102°；和/或，所述第三電量閾值為42mv，所述第三計數閾值為504n/s，所述第三相位閾值為46°~130°和254°~302°；和/或，所述第四電量閾值為244mv，所述第四計數閾值為187n/s，所述第四相位閾值為16°~118°和182°~254°。
23、優選地，所述測試平臺包括：工頻變壓器、保護電阻、模擬氣室、分壓電容、耦合電容、檢測元件和示波器，所述工頻變壓器還與感應調壓器連接，所述工頻變壓器的第一端與所述保護電阻的第一端連接，所述保護電阻的第二端分別與所述模擬氣室的第本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，根據所述識別數據識別所述絕緣介質的局部放電缺陷類型包括：
3.根據權利要求2所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，所述第一電量閾值為459mV，所述第一計數閾值為183N/s，所述第一相位閾值為0°~360°；和/或，所述第二電量閾值為32mV，所述第二計數閾值為42N/s，所述第二相位閾值為61°~102°；和/或，所述第三電量閾值為42mV，所述第三計數閾值為504N/s，所述第三相位閾值為46°~130°和254°~302°；和/或，所述第四電量閾值為244mV，所述第四計數閾值為187N/s，所述第四相位閾值為16°~118°和182°~254°。
4.根據權利要求1所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，所述測試平臺包括：工頻變壓器、保護電阻、模擬氣室、分壓電容、耦合電容、檢測元件和示波器，所述工頻變壓器還與感應調壓器連接，
5.根據權利要求4所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，所述局部放電參數包括所述工頻變壓器的工頻電壓、所述工頻變壓器的變壓比、所述工頻變壓器的容量、所述工頻變壓器的二次側額定電流、所述保護電阻的阻值、所述分壓電容的分壓比、所述耦合電容的高頻電流分量、所述檢測元件的阻抗、采樣率和模擬帶寬。
6.一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，其特征在于，包括平臺構建及參數獲取模塊、放電模擬模塊、數據提取模塊和缺陷識別模塊；
7.根據權利要求6所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，其特征在于，所述缺陷識別模塊還用于根據所述平均放電量為第一電量閾值、所述脈沖計數為第一計數閾值且所述放電脈沖相位角為第一相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為微粒缺陷；或根據所述平均放電量為第二電量閾值所述脈沖計數為第二計數閾值且所述放電脈沖相位角為第二相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為固體金屬突出物缺陷；或根據所述平均放電量為第三電量閾值、所述脈沖計數為第三計數閾值且所述放電脈沖相位角為第三相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為污穢缺陷；或根據所述平均放電量為第四電量閾值、所述脈沖計數為第四計數閾值且所述放電脈沖相位角為第四相位閾值，則所述局部放電缺陷類型為氣隙缺陷。
8.根據權利要求7所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，其特征在于，所述第一電量閾值為459mV，所述第一計數閾值為183N/s，所述第一相位閾值為0°~360°；和/或，所述第二電量閾值為32mV，所述第二計數閾值為42N/s，所述第二相位閾值為61°~102°；和/或，所述第三電量閾值為42mV，所述第三計數閾值為504N/s，所述第三相位閾值為46°~130°和254°~302°；和/或，所述第四電量閾值為244mV，所述第四計數閾值為187N/s，所述第四相位閾值為16°~118°和182°~254°。
9.根據權利要求6所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，其特征在于，所述測試平臺包括：工頻變壓器、保護電阻、模擬氣室、分壓電容、耦合電容、檢測元件和示波器，所述工頻變壓器還與感應調壓器連接，所述工頻變壓器的第一端與所述保護電阻的第一端連接，所述保護電阻的第二端分別與所述模擬氣室的第一端、所述分壓電容的第一端和所述耦合電容的第一端連接，所述耦合電容的第二端分別與所述檢測元件的第一端和所述示波器連接，所述檢測元件的第二端、所述模擬氣室的第二端、所述分壓電容的第二端和所述工頻變壓器的第二端接地；和/或，所述局部放電參數包括所述工頻變壓器的工頻電壓、所述工頻變壓器的變壓比、所述工頻變壓器的容量、所述工頻變壓器的二次側額定電流、所述保護電阻的阻值、所述分壓電容的分壓比、所述耦合電容的高頻電流分量、所述檢測元件的阻抗、采樣率和模擬帶寬。
10.一種終端設備，其特征在于，包括處理器以及存儲器；
...【技術特征摘要】
1.一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，根據所述識別數據識別所述絕緣介質的局部放電缺陷類型包括：
3.根據權利要求2所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，所述第一電量閾值為459mv，所述第一計數閾值為183n/s，所述第一相位閾值為0°~360°；和/或，所述第二電量閾值為32mv，所述第二計數閾值為42n/s，所述第二相位閾值為61°~102°；和/或，所述第三電量閾值為42mv，所述第三計數閾值為504n/s，所述第三相位閾值為46°~130°和254°~302°；和/或，所述第四電量閾值為244mv，所述第四計數閾值為187n/s，所述第四相位閾值為16°~118°和182°~254°。
4.根據權利要求1所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，所述測試平臺包括：工頻變壓器、保護電阻、模擬氣室、分壓電容、耦合電容、檢測元件和示波器，所述工頻變壓器還與感應調壓器連接，所述工頻變壓器的第一端與所述保護電阻的第一端連接，所述保護電阻的第二端分別與所述模擬氣室的第一端、所述分壓電容的第一端和所述耦合電容的第一端連接，所述耦合電容的第二端分別與所述檢測元件的第一端和所述示波器連接，所述檢測元件的第二端、所述模擬氣室的第二端、所述分壓電容的第二端和所述工頻變壓器的第二端接地。
5.根據權利要求4所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷方法，其特征在于，所述局部放電參數包括所述工頻變壓器的工頻電壓、所述工頻變壓器的變壓比、所述工頻變壓器的容量、所述工頻變壓器的二次側額定電流、所述保護電阻的阻值、所述分壓電容的分壓比、所述耦合電容的高頻電流分量、所述檢測元件的阻抗、采樣率和模擬帶寬。
6.一種基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，其特征在于，包括平臺構建及參數獲取模塊、放電模擬模塊、數據提取模塊和缺陷識別模塊；
7.根據權利要求6所述的基于全氟異丁腈作為絕緣介質的局部放電缺陷裝置，其特征在于，所述缺陷識別模塊還用于根據所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王邸博，張曼君，高超，李麗，鄭堯，唐念，
申請(專利權)人：南方電網科學研究院有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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