【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造的，具體涉及了一種進(jìn)氣系統(tǒng)、一種半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備、一種半導(dǎo)體器件的工藝方法，以及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、在現(xiàn)有的無定型碳掩膜的技術(shù)中，生成的無定型碳掩膜的硬度較大。在晶圓邊緣區(qū)域，由于晶圓邊緣的曲面特性，以及無定型碳掩膜的硬度特性，在沉積了一定厚度碳掩膜的情況下，會造成邊緣的薄膜脫落，或者與下一層薄膜的粘附力受到一定影響。
2、目前對這一問題有兩種解決方式，第一種是在沉積過程中，在晶圓周圍覆蓋上有定位的陶瓷環(huán)，用于隔絕一定的等離子體場，從而隔絕邊緣區(qū)域的薄膜沉積。這一方法存在一定的缺點(diǎn)，那就是在于對沉積腔室的體積空間要求過大，并且陶瓷環(huán)需要與加熱盤定位，對于加熱盤的加工要求復(fù)雜。第二種是先在沉積腔室進(jìn)行薄膜沉積，再將沉積完成的晶圓轉(zhuǎn)移到刻蝕機(jī)臺，通過刻蝕機(jī)臺對晶圓邊緣進(jìn)行刻蝕。這一方法的缺點(diǎn)為需要通過兩個機(jī)臺完成上述工藝，并且如果晶圓邊緣的薄膜已經(jīng)有所脫落，會在轉(zhuǎn)移過程中造成公共路徑的污染。
3、為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本領(lǐng)域亟需一種改機(jī)的進(jìn)氣技術(shù)，能夠原位實(shí)現(xiàn)無定型碳掩膜的沉積與邊緣刻蝕工藝，避免了在刻蝕時轉(zhuǎn)移晶圓的過程中，晶圓邊緣的碳掩膜脫落而導(dǎo)致的公共路徑污染問題，并且還能夠節(jié)省工藝時間。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、以下給出一個或多個方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構(gòu)想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認(rèn)出所有方面的關(guān)鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要
2、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本專利技術(shù)提供了一種進(jìn)氣系統(tǒng)，一種半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備，一種半導(dǎo)體器件的工藝方法，以及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，能夠原位實(shí)現(xiàn)無定型碳掩膜的沉積與邊緣刻蝕工藝，避免了在刻蝕時轉(zhuǎn)移晶圓的過程中，晶圓邊緣的碳掩膜脫落而導(dǎo)致的公共路徑污染問題，并且還能夠節(jié)省工藝時間。
3、具體來說，根據(jù)本專利技術(shù)的第一方面提供的上述進(jìn)氣系統(tǒng)，包括：第一混氣部，位于反應(yīng)腔上方的中心位置，用于向所述反應(yīng)腔下方的晶圓中心通入沉積氣體或保護(hù)氣體；第二混氣部，圍繞所述第一混氣部，用于向所述晶圓邊緣周向通入保護(hù)氣體或刻蝕氣體；以及控制器，被配置為：控制所述第一混氣部通入所述沉積氣體，所述第二混氣部通入所述保護(hù)氣體，以使所述保護(hù)氣體周向圍繞所述沉積氣體共同通入，用于限制所述沉積氣體在所述晶圓的中心沉積薄膜；以及響應(yīng)于完成所述沉積薄膜，保持所述晶圓位置不變，控制所述第一混氣部通入所述保護(hù)氣體，所述第二混氣部通入所述刻蝕氣體，以使所述刻蝕氣體周向圍繞所述保護(hù)氣體共同通入，用于限制所述刻蝕氣體在原位的所述晶圓的邊緣刻蝕薄膜。
4、進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)的一些實(shí)施例中，進(jìn)氣系統(tǒng)還包括：勻氣擋板，包括第一擋板區(qū)和第二擋板區(qū)，其中，所述第一擋板區(qū)位于所述第一混氣部的下方，所述第二擋板區(qū)位于所述第二混氣部的下方，且與所述第一擋板區(qū)存在預(yù)設(shè)距離的間隔，其中，所述預(yù)設(shè)距離與所述晶圓的邊緣刻蝕范圍正相關(guān)。
5、進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第二混氣部為多條氣道組合，分別包括一分二周向的第一氣道，二分四周向的第二氣道，以及四分八周向的第三氣道，其中，所述第一氣道經(jīng)由兩個輸出口與所述第二氣道連通，所述第二氣道經(jīng)由四個輸出口與所述第三氣道連通，以及所述第三氣道經(jīng)由八個輸出口與所述第二擋板區(qū)連通。
6、進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)的一些實(shí)施例中，進(jìn)氣系統(tǒng)還包括：噴淋板，包括第一噴淋區(qū)和第二噴淋區(qū)，其中，所述第一噴淋區(qū)位于所述第一擋板區(qū)的下方，所述第二噴淋區(qū)位于所述第二擋板區(qū)的下方，且與所述第一噴淋區(qū)存在所述預(yù)設(shè)距離的間隔。
7、此外，根據(jù)本專利技術(shù)的第二方面提供的上述半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備，包括：反應(yīng)腔，內(nèi)部放置晶圓，以進(jìn)行工藝處理；以及本專利技術(shù)的第一方面提供的上述進(jìn)氣系統(tǒng)，設(shè)于所述反應(yīng)腔的上方，以使保護(hù)氣體周向圍繞沉積氣體共同通入，用于限制所述沉積氣體在所述晶圓的中心沉積薄膜，并且在完成所述沉積薄膜后，保持所述晶圓位置不變，并使刻蝕氣體周向圍繞所述保護(hù)氣體共同通入，用于限制所述刻蝕氣體在原位的所述晶圓的邊緣刻蝕薄膜。
8、進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)的一些實(shí)施例中，工藝設(shè)備還包括：可升降調(diào)節(jié)的加熱盤，設(shè)于所述反應(yīng)腔中，用于當(dāng)所述反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行沉積薄膜工藝時，將所述加熱盤與所述進(jìn)氣系統(tǒng)之間的距離調(diào)整到第一工藝間距，而當(dāng)所述反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行邊緣刻蝕工藝時，所述加熱盤與所述進(jìn)氣系統(tǒng)之間的距離調(diào)整到第二工藝間距，其中，所述第二工藝間距小于所述第一工藝間距。
9、此外，根據(jù)本專利技術(shù)的第三方面提供的上述半導(dǎo)體器件的工藝方法，包括以下步驟：將晶圓送入本專利技術(shù)的第二方面提供的上述半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備中的反應(yīng)腔內(nèi)的加熱盤上；經(jīng)由進(jìn)氣系統(tǒng)中的第一混氣部通入沉積氣體，第二混氣部通入保護(hù)氣體，以使所述保護(hù)氣體周向圍繞所述沉積氣體共同通入，用于限制所述沉積氣體在所述晶圓的中心沉積薄膜；以及響應(yīng)于完成所述沉積薄膜，保持所述晶圓位置不變，經(jīng)由所述第一混氣部通入所述保護(hù)氣體，所述第二混氣部通入所述刻蝕氣體，以使所述刻蝕氣體周向圍繞所述保護(hù)氣體共同通入，用于限制所述刻蝕氣體在原位的所述晶圓的邊緣刻蝕薄膜。
10、進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述反應(yīng)腔內(nèi)包括可升降調(diào)節(jié)的加熱盤，所述經(jīng)由進(jìn)氣系統(tǒng)中的第一混氣部通入沉積氣體，第二混氣部通入保護(hù)氣體，以使所述保護(hù)氣體周向圍繞所述沉積氣體共同通入的步驟包括：將所述加熱盤和所述進(jìn)氣系統(tǒng)之間的距離調(diào)整到第一工藝間距；將所述反應(yīng)腔內(nèi)的射頻電源調(diào)整到第一高頻功率；以及經(jīng)由所述第一混氣部和所述第二混氣部，同時通入所述沉積氣體以及周向圍繞所述沉積氣體的保護(hù)氣體，以使所述沉積氣體在所述晶圓的中心沉積薄膜。
11、進(jìn)一步地，在本專利技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述經(jīng)由所述第一混氣部通入所述保護(hù)氣體，所述第二混氣部通入所述刻蝕氣體的步驟包括：將所述加熱盤和所述進(jìn)氣系統(tǒng)之間的距離調(diào)整到第二工藝間距，其中，所述第二工藝間距小于所述第一工藝間距；將所述反應(yīng)腔內(nèi)的射頻電源調(diào)整到第二低頻功率；以及經(jīng)由所述第一混氣部和所述第二混氣部，同時通入所述保護(hù)氣體以及周向圍繞所述保護(hù)氣體的刻蝕氣體，以使所述刻蝕氣體在原位的所述晶圓的邊緣可刻蝕薄膜。
12、此外，根據(jù)本專利技術(shù)的第四方面還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)指令。所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時，實(shí)施本專利技術(shù)的第三方面提供的上述半導(dǎo)體器件的工藝方法。
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1.一種進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
3.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第二混氣部為多條氣道組合，分別包括一分二周向的第一氣道，二分四周向的第二氣道，以及四分八周向的第三氣道，其中，所述第一氣道經(jīng)由兩個輸出口與所述第二氣道連通，所述第二氣道經(jīng)由四個輸出口與所述第三氣道連通，以及所述第三氣道經(jīng)由八個輸出口與所述第二擋板區(qū)連通。
4.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
5.一種半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備，其特征在于，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的工藝設(shè)備，其特征在于，還包括：
7.一種半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：
8.如權(quán)利要求7所述的工藝方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔內(nèi)包括可升降調(diào)節(jié)的加熱盤，所述經(jīng)由進(jìn)氣系統(tǒng)中的第一混氣部通入沉積氣體，第二混氣部通入保護(hù)氣體，以使所述保護(hù)氣體周向圍繞所述沉積氣體共同通入的步驟包括：
9.如權(quán)利要求8所述的工藝方法，其特征在于，所述經(jīng)由所述第一混氣部通入所述保護(hù)氣
10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)指令，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時，實(shí)施如權(quán)利要求7～9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
3.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第二混氣部為多條氣道組合，分別包括一分二周向的第一氣道，二分四周向的第二氣道，以及四分八周向的第三氣道，其中，所述第一氣道經(jīng)由兩個輸出口與所述第二氣道連通，所述第二氣道經(jīng)由四個輸出口與所述第三氣道連通，以及所述第三氣道經(jīng)由八個輸出口與所述第二擋板區(qū)連通。
4.如權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
5.一種半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備，其特征在于，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的工藝設(shè)備，其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：賈蘭，李培培，李疆琨，楊辰燁，
申請(專利權(quán))人：拓荊科技上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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