【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種刻蝕設備及其控壓方法。
技術介紹
1、半導體
中，先進的工藝制程需要穩(wěn)定的真空壓力，因此市場需要一種精確的控壓結構和控壓方法來提高刻蝕晶圓的制程。
2、現(xiàn)有技術中，為穩(wěn)定真空壓力，控壓結構的控壓動作始終一致，與真空度關聯(lián)性不大，使得在真空度接近工作壓力時控壓效果較差。
3、所以，亟需一種刻蝕設備及其控壓方法，以解決上述問題。
技術實現(xiàn)思路
1、基于以上所述，本專利技術的目的在于提供一種刻蝕設備及其控壓方法，根據(jù)刻蝕腔體內(nèi)實時壓力值控制控壓單元的移動速度，控壓效果更好。
2、為達上述目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、刻蝕設備，包括：
4、刻蝕主體，其內(nèi)形成刻蝕腔體，所述刻蝕主體的開口端設置有上硅環(huán)；
5、控壓單元，包括上控壓環(huán)和下控壓環(huán)，所述刻蝕主體上設置有限位件，所述上控壓環(huán)置于所述限位件或置于所述下控壓環(huán)的上表面，所述上控壓環(huán)和所述上硅環(huán)之間、所述上控壓環(huán)和所述下控壓環(huán)之間、所述下控壓環(huán)與所述刻蝕主體之間，至少一處形成有氣體通道；
6、驅(qū)動單元，包括驅(qū)動件，所述驅(qū)動件用于驅(qū)動所述下控壓環(huán)沿上下方向移動；
7、控制單元，包括檢測組件，所述驅(qū)動件與所述檢測組件通訊連接，當所述檢測組件檢測到所述刻蝕腔體內(nèi)壓力為第一預設壓力時，所述驅(qū)動件能驅(qū)動所述下控壓環(huán)以第一預設速度移動；當所述檢測組件檢測到所述刻蝕腔體內(nèi)壓力為第二預設壓力時，所述驅(qū)動件能驅(qū)動所
8、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，所述檢測組件包括與所述刻蝕腔體連通的第一真空規(guī)和第二真空規(guī)，所述第二真空規(guī)形成檢測管路，所述檢測管路還包括第一開關閥，所述第一開關閥設置于所述第二真空規(guī)與所述刻蝕腔體之間，且與所述控制單元通訊連接，所述第一開關閥用于選擇性連通所述第二真空規(guī)和所述刻蝕腔體。
9、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，所述檢測管路還包括第一真空檢測件，所述第一真空檢測件設置于所述第一開關閥和所述刻蝕腔體之間，并與所述第一開關閥通訊連接，當所述第一真空檢測件檢測到所述刻蝕腔體內(nèi)氣壓小于等于其最大測量值時，所述第一開關閥打開。
10、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，所述檢測管路還包括第二真空檢測件，所述第二真空檢測件設置于所述第一開關閥和所述刻蝕腔體之間，所述刻蝕主體設置有傳輸閥，所述第二真空檢測件與所述傳輸閥通訊連接，當所述第二真空檢測件檢測到所述刻蝕腔體內(nèi)氣壓大于其最大測量值時，所述傳輸閥打開。
11、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，所述刻蝕設備包括干泵，以及并聯(lián)設置于所述干泵和所述刻蝕腔體之間的第一管路和第二管路，所述第一管路上設置有分子泵以及位于所述分子泵和所述干泵之間的第二開關閥，所述第二管路上設置有第三開關閥，所述第二開關閥和所述第三開關閥均與所述檢測組件通訊連接，所述第二管路用于對所述刻蝕腔體預抽真空。
12、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，當所述第一真空規(guī)檢測所述刻蝕腔體壓力小于等于第三預設壓力時，所述第三開關閥關閉，所述第二開關閥打開；當所述第一真空規(guī)檢測到所述刻蝕腔體壓力小于等于第四預設壓力時，打開所述第一開關閥至所述第二真空規(guī)檢測到所述刻蝕腔體壓力為第四預設壓力，所述第三預設壓力大于所述第四預設壓力。
13、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，所述驅(qū)動單元還包括凸輪、旋轉(zhuǎn)環(huán)和連接桿，所述旋轉(zhuǎn)環(huán)與所述凸輪配合，所述連接桿與所述下控壓環(huán)和凸輪均連接，所述驅(qū)動件驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)環(huán)轉(zhuǎn)動時，以使所述凸輪和所述連接桿帶動所述下控壓環(huán)沿上下方向移動。
14、作為刻蝕設備的一種優(yōu)選方案，所述刻蝕設備還包括工藝氣體供給裝置，所述工藝氣體供給裝置與所述刻蝕腔體通過第四開關閥選擇性連通，所述第四開關閥與所述控制單元通訊連接。
15、刻蝕設備的控壓方法，用于如以上任一方案所述的刻蝕設備，所述控壓方法包括如下步驟：
16、對刻蝕腔體抽真空；
17、設定第一預設壓力、第二預設壓力和工作壓力；
18、向所述刻蝕腔體內(nèi)通入工藝氣體，使所述刻蝕腔體內(nèi)到達所述第一預設壓力；
19、控壓單元以第一預設速度動作進行控壓，至所述刻蝕腔體內(nèi)達到所述第二預設壓力；
20、所述控壓單元以第二預設速度動作進行控壓，至所述刻蝕腔體內(nèi)達到所述工作壓力。
21、作為刻蝕設備的控壓方法的一種優(yōu)選方案，對所述刻蝕腔體抽真空具體包括：
22、通過干泵對所述刻蝕腔體預抽真空；
23、通過所述干泵和分子泵對所述刻蝕腔體抽真空；
24、打開檢測管路，并通過所述干泵和所述分子泵對所述檢測管路和所述刻蝕腔體抽真空。
25、本專利技術的有益效果為：
26、本專利技術通過設置控壓單元，具體通過驅(qū)動單元根據(jù)檢測組件的實時檢測壓力驅(qū)動下控壓環(huán)動作，對上控壓環(huán)和上硅環(huán)之間、上控壓環(huán)和下控壓環(huán)之間、下控壓環(huán)與刻蝕主體之間的氣體通道進行動態(tài)調(diào)節(jié)，進而實現(xiàn)對刻蝕腔體內(nèi)壓力的調(diào)節(jié)和控制，使得刻蝕腔體內(nèi)壓力能穩(wěn)定保持在工作壓力，使得刻蝕腔體內(nèi)晶圓的表面壓力一致，進而刻蝕均勻性更好，提高了設備的市場競爭力。其中，當檢測組件檢測到刻蝕腔體內(nèi)壓力為第一預設壓力時，驅(qū)動件能驅(qū)動下控壓環(huán)以第一預設速度移動；當檢測組件檢測到刻蝕腔體內(nèi)壓力為第二預設壓力時，驅(qū)動件能驅(qū)動下控壓環(huán)以第二預設速度移動，且第一預設速度大于第二預設速度，即在刻蝕腔體內(nèi)壓力與工作壓力差值到達一定程度后控壓單元才開始對刻蝕腔體內(nèi)的壓力進行調(diào)節(jié)，此時移動速度更快；并在刻蝕腔體內(nèi)壓力與工作壓力差值變小到一定程度后以更慢移動速度進行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)精度更高，控壓效果更好。
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1.刻蝕設備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述檢測組件包括與所述刻蝕腔體(111)連通的第一真空規(guī)(411)和第二真空規(guī)(421)，所述第二真空規(guī)(421)形成檢測管路(420)，所述檢測管路(420)還包括第一開關閥(422)，所述第一開關閥(422)設置于所述第二真空規(guī)(421)與所述刻蝕腔體(111)之間，且與所述控制單元通訊連接，所述第一開關閥(422)用于選擇性連通所述第二真空規(guī)(421)和所述刻蝕腔體(111)。
3.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述檢測管路(420)還包括第一真空檢測件(423)，所述第一真空檢測件(423)設置于所述第一開關閥(422)和所述刻蝕腔體(111)之間，并與所述第一開關閥(422)通訊連接，當所述第一真空檢測件(423)檢測到所述刻蝕腔體(111)內(nèi)氣壓小于等于其最大測量值時，所述第一開關閥(422)打開。
4.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述檢測管路(420)還包括第二真空檢測件(424)，所述第二真空檢測件(424)設置于所述第一開
5.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述刻蝕設備包括干泵(430)，以及并聯(lián)設置于所述干泵(430)和所述刻蝕腔體(111)之間的第一管路(440)和第二管路(450)，所述第一管路(440)上設置有分子泵(441)以及位于所述分子泵(441)和所述干泵(430)之間的第二開關閥(442)，所述第二管路(450)上設置有第三開關閥(451)，所述第二開關閥(442)和所述第三開關閥(451)均與所述檢測組件通訊連接，所述第二管路(450)用于對所述刻蝕腔體(111)預抽真空。
6.根據(jù)權利要求5所述的刻蝕設備，其特征在于，當所述第一真空規(guī)(411)檢測所述刻蝕腔體(111)壓力小于等于第三預設壓力時，所述第三開關閥(451)關閉，所述第二開關閥(442)打開；當所述第一真空規(guī)(411)檢測到所述刻蝕腔體(111)壓力小于等于第四預設壓力時，打開所述第一開關閥(422)至所述第二真空規(guī)(421)檢測到所述刻蝕腔體(111)壓力為第四預設壓力，所述第三預設壓力大于所述第四預設壓力。
7.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述驅(qū)動單元(300)還包括凸輪、旋轉(zhuǎn)環(huán)和連接桿(310)，所述旋轉(zhuǎn)環(huán)與所述凸輪配合，所述連接桿(310)與所述下控壓環(huán)(220)和凸輪均連接，所述驅(qū)動件驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)環(huán)轉(zhuǎn)動時，以使所述凸輪和所述連接桿(310)帶動所述下控壓環(huán)(220)沿上下方向移動。
8.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的刻蝕設備，其特征在于，所述刻蝕設備還包括工藝氣體供給裝置(500)，所述工藝氣體供給裝置(500)與所述刻蝕腔體(111)通過第四開關閥(510)選擇性連通，所述第四開關閥(510)與所述控制單元通訊連接。
9.刻蝕設備的控壓方法，其特征在于，用于如權利要求1-8任一項所述的刻蝕設備，所述控壓方法包括如下步驟：
10.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕設備的控壓方法，其特征在于，對所述刻蝕腔體(111)抽真空具體包括：
...【技術特征摘要】
1.刻蝕設備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述檢測組件包括與所述刻蝕腔體(111)連通的第一真空規(guī)(411)和第二真空規(guī)(421)，所述第二真空規(guī)(421)形成檢測管路(420)，所述檢測管路(420)還包括第一開關閥(422)，所述第一開關閥(422)設置于所述第二真空規(guī)(421)與所述刻蝕腔體(111)之間，且與所述控制單元通訊連接，所述第一開關閥(422)用于選擇性連通所述第二真空規(guī)(421)和所述刻蝕腔體(111)。
3.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述檢測管路(420)還包括第一真空檢測件(423)，所述第一真空檢測件(423)設置于所述第一開關閥(422)和所述刻蝕腔體(111)之間，并與所述第一開關閥(422)通訊連接，當所述第一真空檢測件(423)檢測到所述刻蝕腔體(111)內(nèi)氣壓小于等于其最大測量值時，所述第一開關閥(422)打開。
4.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述檢測管路(420)還包括第二真空檢測件(424)，所述第二真空檢測件(424)設置于所述第一開關閥(422)和所述刻蝕腔體(111)之間，所述刻蝕主體(110)設置有傳輸閥(112)，所述第二真空檢測件(424)與所述傳輸閥(112)通訊連接，當所述第二真空檢測件(424)檢測到所述刻蝕腔體(111)內(nèi)氣壓大于其最大測量值時，所述傳輸閥(112)打開。
5.根據(jù)權利要求2所述的刻蝕設備，其特征在于，所述刻蝕設備包括干泵(430)，以及并聯(lián)設置于所述干泵(430)和所述刻蝕腔體(111)之間的第一管路(440)和第二管路(450)，所述第一管路(440)上設置有分子泵(4...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王顯亮，林洋洋，楊文賓，
申請(專利權)人：無錫邑文微電子科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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