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    顯示裝置制造方法及圖紙

    技術編號:44454709 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-02-28 19:00
    提供一種高速驅動的顯示裝置。該顯示裝置包括像素、掃描線驅動電路以及電源電路。像素包括第一及第二晶體管,在第二晶體管中,半導體層設置于形成在襯底上的層間絕緣層中的開口的內部。用作第一晶體管的柵電極的第一導電層具有延伸在第一方向上的區域,并與掃描線驅動電路電連接。用作第二晶體管的源電極或漏電極的第二導電層設置在開口之下。第二導電層具有延伸在垂直于第一方向的第二方向上的區域并與電源電路電連接。第一導電層及第二導電層具有隔著層間絕緣層重疊的區域。

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】

    本專利技術的一個方式涉及一種顯示裝置、半導體裝置、顯示模塊及電子設備。本專利技術的一個方式涉及一種顯示裝置的制造方法以及半導體裝置的制造方法。注意,本專利技術的一個方式不局限于上述。作為本專利技術的一個方式的的例子,可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、電子設備、照明裝置、輸入裝置(例如,觸摸傳感器)、輸入輸出裝置(例如,觸摸面板)、它們的驅動方法或它們的制造方法。


    技術介紹

    1、包括晶體管的半導體裝置廣泛應用于顯示裝置及電子設備,需要半導體裝置的高集成化及高速化。例如,在將半導體裝置用于高清晰的顯示裝置時,需要高集成的半導體裝置。作為提高晶體管的集成度的方法之一,對微細晶體管進行開發。

    2、近年來,對可用于虛擬現實(vr:virtual?reality)、增強現實(ar:augmentedreality)、替代現實(sr:substitutional?reality)或者混合現實(mr:mixed?reality)的顯示裝置的需求很高。將vr、ar、sr及mr總稱為xr(extended?reality:擴展現實)。為了提高現實感及沉浸感,xr用顯示裝置被要求清晰度高且顏色再現性高。作為可用于上述顯示裝置的裝置,例如可以舉出液晶顯示裝置、具備有機el(electro?luminescence:電致發光)元件、發光二極管(led:light?emitting?diode)等發光元件的發光裝置等。

    3、專利文獻1公開了使用有機el元件(也稱為有機el器件)的vr用顯示裝置。

    >4、[先行技術文獻]

    5、[專利文獻]

    6、[專利文獻1]國際專利申請公開第2018/087625號


    技術實現思路

    1、專利技術所要解決的技術問題

    2、在使顯示裝置高清晰化且使單位面積的像素個數增加的情況下,例如優選高速驅動顯示裝置以確保幀頻。

    3、鑒于此,本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種以高速驅動的顯示裝置及其制造方法。另外,本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種高清晰的顯示裝置及其制造方法。另外,本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種包括微細晶體管的顯示裝置及其制造方法。另外,本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種通態電流高的顯示裝置及其制造方法。另外,本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種電特性良好的顯示裝置及其制造方法。另外,本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種新穎顯示裝置、新穎半導體裝置以及它們的制造方法。

    4、注意,這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。注意,本專利技術的一個方式并不需要實現所有上述目的。注意,可以從說明書、附圖、權利要求書等的記載中抽取上述目的以外的目的。

    5、解決技術問題的手段

    6、本專利技術的一個方式是一種顯示裝置,包括像素、電源電路以及掃描線驅動電路,像素包括第一晶體管、第二晶體管以及第一絕緣層,第一晶體管包括第一導電層、第二導電層、第三導電層、第一半導體層以及第二絕緣層,第一絕緣層設置在第一導電層上,第一絕緣層包括到達第一導電層的第一開口,第一導電層與電源電路電連接,第二導電層設置在第一絕緣層上,第二導電層包括具有與第一開口重疊的區域的第二開口,第一半導體層以具有與第一導電層接觸的區域及與第二導電層接觸的區域且具有位于第一開口的內部的區域及位于第二開口的內部的區域的方式設置,第二絕緣層以具有位于第一開口的內部的區域及位于第二開口的內部的區域的方式設置在第一半導體上,第三導電層以具有位于第一開口的內部的區域及位于第二開口的內部的區域且具有夾著第二絕緣層與第一半導體層對置的區域的方式設置,第二晶體管包括第二絕緣層、第二絕緣層下的第二半導體層以及第二絕緣層上的第四導電層,第四導電層具有與第二半導體層重疊的區域,第四導電層與掃描線驅動電路電連接,第四導電層具有隔著第一絕緣層及第二絕緣層與第一導電層重疊的區域。

    7、另外,在上述方式中,第二晶體管也可以包括與第二半導體層接觸的第五導電層,第五導電層也可以與第三導電層電連接。

    8、另外,在上述方式中,顯示裝置也可以包括信號線驅動電路,第二晶體管也可以包括與第二半導體層接觸的第六導電層,并且第六導電層也可以與信號線驅動電路電連接。

    9、另外,在上述方式中,像素也可以包括顯示元件,顯示元件的像素電極也可以與第二導電層電連接。

    10、另外,在上述方式中,顯示裝置也可以具有如下結構:其中包括基準電位生成電路,像素包括第三晶體管,第三晶體管包括第七導電層、第八導電層、第九導電層、第三半導體層以及第二絕緣層,第一絕緣層設置在第七導電層上,第一絕緣層包括到達第七導電層的第三開口,第七導電層與像素電極電連接,第八導電層設置在第一絕緣層上,第八導電層包括具有與第三開口重疊的區域的第四開口,第八導電層與基準電位生成電路電連接,第三半導體層以具有與第七導電層接觸的區域及與第八導電層接觸的區域且具有位于第三開口的內部的區域及位于第四開口的內部的區域的方式設置,第二絕緣層以具有位于第三開口的內部的區域及位于第四開口的內部的區域的方式設置在第三半導體層上,第九導電層以具有位于第三開口的內部的區域及位于第四開口的內部的區域且具有夾著第二絕緣層與第三半導體層對置的區域的方式設置,第九導電層與掃描線驅動電路電連接,第八導電層具有與第四導電層重疊的區域以及與第九導電層重疊的區域。

    11、另外,本專利技術的一個方式是一種顯示裝置,包括像素、掃描線驅動電路以及電源電路,像素包括第一晶體管、第二晶體管以及第一絕緣層,第一晶體管包括第一導電層、第二導電層、第三導電層、第一半導體層以及第二絕緣層,第一絕緣層設置在第一導電層上,第一絕緣層包括到達第一導電層的第一開口,第二導電層設置在第一絕緣層上,第二導電層包括具有與第一開口重疊的區域的第二開口,第一半導體層以具有與第一導電層接觸的區域及與第二導電層接觸的區域且具有位于第一開口的內部的區域及位于第二開口的內部的區域的方式設置,第二絕緣層以具有位于第一開口的內部的區域及位于第二開口的內部的區域的方式設置在第一半導體層上,第三導電層以具有位于第一開口的內部的區域及位于第二開口的內部的區域且具有夾著第二絕緣層與第一半導體層對置的區域的方式設置,第三導電層與掃描線驅動電路電連接,第二晶體管包括第四導電層、第五導電層、第六導電層、第二半導體層以及第二絕緣層,第一絕緣層設置在第四導電層上,第一絕緣層包括到達第四導電層的第三開口,第四導電層與電源電路電連接,第五導電層設置在第一絕緣層上,第五導電層包括具有與第三開口重疊的區域的第四開口,第二半導體層以具有與第四導電層接觸的區域及與第五導電層接觸的區域且具有位于第三開口的內部的區域及位于第四開口的內部的區域的方式設置,第二絕緣層以具有位于第三開口的內部的區域及位于第四開口的內部的區域的方式設置在第二半導體層上,第六導電層以具有位于第三開口的內部的區域及位于第四開口的內部的區域且具有夾著第二絕緣層與第二半導體層對置的區域的方式設置,第三導電層包括隔著第一絕緣層及第二絕緣本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種顯示裝置,包括:

    2.根據權利要求1所述的顯示裝置,

    3.根據權利要求2所述的顯示裝置,

    4.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置,

    5.根據權利要求4所述的顯示裝置,

    6.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置,

    7.根據權利要求6所述的顯示裝置,

    8.根據權利要求7所述的顯示裝置,

    9.根據權利要求8所述的顯示裝置,

    10.一種顯示裝置,包括:

    11.根據權利要求10所述的顯示裝置,

    12.根據權利要求10或11所述的顯示裝置,

    13.根據權利要求10或11所述的顯示裝置,

    14.根據權利要求13所述的顯示裝置,

    15.根據權利要求10或11所述的顯示裝置,

    16.根據權利要求15所述的顯示裝置,

    17.根據權利要求16所述的顯示裝置,

    18.根據權利要求17所述的顯示裝置,

    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】

    1.一種顯示裝置,包括:

    2.根據權利要求1所述的顯示裝置,

    3.根據權利要求2所述的顯示裝置,

    4.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置,

    5.根據權利要求4所述的顯示裝置,

    6.根據權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置,

    7.根據權利要求6所述的顯示裝置,

    8.根據權利要求7所述的顯示裝置,

    9.根據權利要求8所述的顯示裝置,

    10.一...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:木村肇林健太郎
    申請(專利權)人:株式會社半導體能源研究所
    類型:發明
    國別省市:

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