【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造領域，具體地，涉及一種晶圓上光刻膠的去除方法及半導體工藝設備。
技術介紹
1、在半導體工藝處理過程中，需要在晶圓(wafer)上加工出極細微尺寸的圖形。通常，采用光刻技術將掩膜板上的電路圖形轉移到覆蓋于晶圓表面的光刻膠上，再采用刻蝕技術將光刻膠圖形轉移到晶圓上。為避免晶圓在后續工藝過程受光刻膠影響，需要去除晶圓上殘留的光刻膠。普通干法去膠工藝技術中，一般將晶圓直接置于較高溫度下進行去膠，但離子注入光刻膠會使得光刻膠的表面碳化，使得光刻膠形成為硬化層110(如圖1所示)和未交聯層(photoresist，簡稱pr)120，硬化層110包覆在未交聯層120的外側，硬化層110在高溫下容易爆裂(popping)。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種晶圓上光刻膠的去除方法及半導體工藝設備。
2、為實現本專利技術的目的而提供一種晶圓上光刻膠的去除方法，包括：
3、在去除離子注入后的光刻膠的工藝過程中，獲取腔室中特定元素產生的發射光在不同采樣時刻對應的光譜強度；
4、根據相鄰兩個所述采樣時刻對應的所述光譜強度，確定各所述采樣時刻的所述光譜強度的變化特征量；
5、在當前采樣時刻對應的所述變化特征量符合預設條件時，確定硬化層去除工藝接近終點并控制晶圓按預設關系由當前位置朝向加熱基座的方向下降以去除所述光刻膠的硬化層。
6、如上所述的去除方法，其中，所述變化特征量為相鄰兩
7、qn＝[s(tn-1)-s(tn)]÷s(tn-1)；其中，qn為第n個采樣時刻對應的變化特征量，s(tn)為第n個采樣時刻對應的光譜強度，n為正整數。
8、如上所述的去除方法，其中，所述預設條件包括所述當前采樣時刻對應的所述變化特征量大于預設值，所述預設值為非負數。
9、如上所述的去除方法，其中，所述預設值的取值大于等于5％且小于等于20％。
10、如上所述的去除方法，其中，所述預設條件還包括所述光譜強度達到最大值對應的時刻與當前采樣時刻間隔延時時長。
11、如上所述的去除方法，其中，按照下述關系式計算所述延時時長；
12、t＝k/qmax；其中，t為所述延時時長；k＞0，且k為常數；qmax為所述光譜強度達到最大值之前的所述變化特征量的絕對值的最大值。
13、如上所述的去除方法，其中，所述預設關系為所述晶圓的下降位移δh等于下降時長δt與常數a的乘積，a大于0。
14、如上所述的去除方法，其中，在獲取所述腔室中特定元素產生的發射光在不同采樣時刻對應的光譜強度之前，所述去除方法還包括：
15、將所述晶圓置于所述加熱基座的承載面上，且到達預熱時長后，控制所述晶圓上升至初始高位。
16、如上所述的去除方法，其中，在控制晶圓按預設關系由當前位置朝向加熱基座的方向下降以去除所述光刻膠的硬化層之后，還包括：
17、在當前采樣時刻對應的所述變化特征量符合硬化層去除終止條件時，控制晶圓下降至加熱基座的承載面，以去除所述光刻膠的未交聯層。
18、作為另一個技術方案，本專利技術還提供一種半導體工藝設備，包括：腔室、加熱基座和控制器，加熱基座設置在所述腔室內，具有用于承載晶圓的承載面；控制器，包括至少一個處理器和至少一個存儲器，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序以執行本專利技術任一項所述的去除方法。
19、本專利技術具有以下有益效果：
20、本專利技術提供的晶圓上光刻膠的去除方法及半導體工藝設備，通過獲取特定元素產生的發射光的光譜強度，根據光譜強度的變化特征量是否符合預設條件來判斷硬化層去除工藝是否接近終點，在硬化層去除工藝接近終點時控制晶圓下降進行升溫，以避免硬化層在高溫下爆裂。
21、而且，應用本專利技術的去除方法，晶圓在硬化層去除工藝達到終點之前便下降，這樣，在確保硬化層不會爆裂的前提下，一方面，提高了清除殘留硬化層的速率，使得殘留的少量硬化層在晶圓下降過程中被快速清除，則硬化層去除工藝能夠提前達到終點，縮短了去除硬化層的時間，從而提高了去膠效率。另一方面，硬化層去除工藝達到終點前，晶圓與承載面之間的距離便逐漸減小，晶圓的溫度升高，以盡可能的縮短硬化層去除工藝達到終點時晶圓的溫度升高至去除未交聯層所需的時間，從而提高了去膠效率。
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1.一種晶圓上光刻膠的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括：
2.根據權利要求1所述的去除方法，其特征在于，所述變化特征量為相鄰兩個所述采樣時刻之間所述光譜強度的下降率，所述變化特征量滿足下述關系式：
3.根據權利要求2所述的去除方法，其特征在于，所述預設條件包括所述當前采樣時刻對應的所述變化特征量大于預設值，所述預設值為非負數。
4.根據權利要求3所述的去除方法，其特征在于，所述預設值的取值大于等于5％且小于等于20％。
5.根據權利要求3所述的去除方法，其特征在于，所述預設條件還包括所述光譜強度達到最大值對應的時刻與當前采樣時刻間隔延時時長。
6.根據權利要求5所述的去除方法，其特征在于，按照下述關系式計算所述延時時長；
7.根據權利要求1至6任一項所述的去除方法，其特征在于，所述預設關系為所述晶圓的下降位移Δh等于下降時長Δt與常數a的乘積，a大于0。
8.根據權利要求1至6任一項所述的去除方法，其特征在于，
9.根據權利要求1至6任一項所述的去除方法，其特征在于，
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