【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及光通信，尤其涉及一種激光芯片及光模塊。
技術(shù)介紹
1、在高速相干光通信領(lǐng)域，由于使用50ghz甚至更窄的信道寬度進(jìn)行通信，所以對激光芯片產(chǎn)生光信號的線寬質(zhì)量要求較高，如要求光信號的線寬盡可能小于100khz。
2、分布式布拉格反射(distributed?bragg?reflector,dbr)激光器具有窄線寬、波長可調(diào)諧范圍大等特點，其應(yīng)用范圍越來越廣泛。目前的dbr激光器為了追求較高的出光光功率，通常通過縮短激光器的諧振腔長度，從而降低反射率，得到較高的出光光功率，然而在縮短諧振腔的長度時，線寬變寬，線寬無法得到保證，從而無法滿足光信號的線寬質(zhì)量要求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N激光芯片及光模塊，以在保證線寬的前提下增加出光光功率。
2、本申請?zhí)峁┝艘环N激光芯片，包括：
3、襯底，表面包括第一分區(qū)、第二分區(qū)及第三分區(qū)，所述第二分區(qū)與所述第三分區(qū)分別設(shè)于所述第一分區(qū)的兩側(cè)；
4、增益區(qū)，設(shè)于所述第一分區(qū)的表面，所述增益區(qū)沿所述第一分區(qū)的表面從下至上依次包括：刻蝕停止層、下限制層、有源層、上限制層、間隔層、接觸層；所述增益區(qū)用于根據(jù)注入的載流子產(chǎn)生增益光；
5、第一光柵區(qū)，設(shè)于所述第二分區(qū)的表面，所述第一光柵區(qū)沿所述第二分區(qū)的表面從下至上依次包括：波導(dǎo)層、光柵層、間隔層、接觸層；
6、第二光柵區(qū)，設(shè)于所述第三分區(qū)的表面，所述第二光柵區(qū)沿所述第三分區(qū)的表面從下至上依次包括：波導(dǎo)層、光柵層、間隔層
7、所述不刻蝕區(qū)的長度之和大于所述刻蝕區(qū)的長度，從而減小所述第二光柵區(qū)的反射率。
8、本申請?zhí)峁┑募す庑酒肮饽K中，激光芯片包括襯底、增益區(qū)、第一光柵區(qū)及第二光柵區(qū)。襯底表面包括第一分區(qū)、第二分區(qū)及第三分區(qū)，第二分區(qū)與第三分區(qū)分別設(shè)于第一分區(qū)的兩側(cè)，增益區(qū)設(shè)于第一分區(qū)的表面，第一光柵區(qū)設(shè)于第二分區(qū)的表面，第二光柵區(qū)設(shè)于第三分區(qū)的額表面，則第一光柵區(qū)與第二光柵區(qū)分別設(shè)于增益區(qū)的兩側(cè)。增益區(qū)用于根據(jù)注入的載流子產(chǎn)生增益光，第一光柵區(qū)及第二光柵區(qū)用于對激光的波長進(jìn)行調(diào)諧。第一光柵區(qū)沿第二分區(qū)的表面從下至上依次包括：波導(dǎo)層、光柵層、間隔層、接觸層。第二光柵區(qū)沿第三分區(qū)的表面從下至上依次包括：波導(dǎo)層、光柵層、間隔層、接觸層，其中，光柵層包括相互連接的連續(xù)不刻蝕段及間隔刻蝕段，間隔刻蝕段包括間隔設(shè)置的刻蝕區(qū)與不刻蝕區(qū)，連續(xù)不刻蝕段及不刻蝕區(qū)不會產(chǎn)生折射率差，不會對增益光進(jìn)行反射，并且不刻蝕段及不刻蝕區(qū)的長度之和大于刻蝕區(qū)的長度，因此相對于全部均勻刻蝕的光柵區(qū)而言，本申請中的第二光柵區(qū)具有較低的反射率，從而增加出光光功率，而且本申請中的第二光柵區(qū)的長度保持不變，從而可保證線寬，因此本申請的第二光柵區(qū)在保持長度不變的前提下，通過設(shè)置連續(xù)不刻蝕段，從而降低其反射率，從而本申請實現(xiàn)保證線寬的前提下，增加出光光功率。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種激光芯片，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述光柵周期內(nèi)，所述連續(xù)不刻蝕段的長度大于所述間隔刻蝕段的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述第一光柵區(qū)的有效反射率大于所述第二光柵區(qū)的有效反射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述光柵周期還包括不刻蝕相移段，所述不刻蝕相移段的所處位置滿足：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述襯底表面還包括第四分區(qū)；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述第一光柵區(qū)的接觸層上方還形成有加熱層，所述加熱層的上方還形成有保護(hù)層，所述第一光柵區(qū)的波導(dǎo)層下方形成有第一挖空區(qū)域，所述第一挖空區(qū)域使得所述加熱層傳遞的熱量集中于所述光柵層及所述波導(dǎo)層內(nèi)；
7.一種光模塊，其特征在于，其特征在于，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光模塊，其特征在于，所述激光芯片包括第一光柵區(qū)及第二光柵區(qū)；所述第一光柵區(qū)的波導(dǎo)層及光柵層均包括第一摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域中具有摻雜物質(zhì)，所述第一摻雜
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光模塊，其特征在于，所述激光芯片還包括相位區(qū)，所述相位區(qū)用于對波長進(jìn)行調(diào)諧；所述相位區(qū)包括第三摻雜區(qū)域，所述第三摻雜區(qū)域中具有摻雜物質(zhì)，所述第三摻雜區(qū)域用于通過所述摻雜物質(zhì)消耗所述相位區(qū)內(nèi)部的自由載流子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光模塊，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)域、所述第二摻雜區(qū)域、所述第三摻雜區(qū)域中的所述摻雜物質(zhì)包括摻鐵。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種激光芯片，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述光柵周期內(nèi)，所述連續(xù)不刻蝕段的長度大于所述間隔刻蝕段的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述第一光柵區(qū)的有效反射率大于所述第二光柵區(qū)的有效反射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述光柵周期還包括不刻蝕相移段，所述不刻蝕相移段的所處位置滿足：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述襯底表面還包括第四分區(qū)；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述第一光柵區(qū)的接觸層上方還形成有加熱層，所述加熱層的上方還形成有保護(hù)層，所述第一光柵區(qū)的波導(dǎo)層下方形成有第一挖空區(qū)域，所述第一挖空區(qū)域使得所述加熱層傳遞的熱量集中于所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李俁，陳宏民，
申請(專利權(quán))人：青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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