【技術實現步驟摘要】
本專利技術大體上涉及具有重疊應力源的集成電路。
技術介紹
1、集成電路利用應力源向晶體管的有源區施加應力以改進晶體管性能。應力源是一種形成為在集成電路的周圍結構上引起應力(壓縮或拉伸)的介電結構。應力源可以是兩種應力源類型中的一種。壓縮應力源在壓縮應力源正下方的結構上施加壓縮應力。壓縮應力源由介電材料(例如，氮化硅)形成，且在形成時處于拉伸應力下。拉伸應力源在拉伸應力源正下方的結構上施加拉伸應力。拉伸應力源由介電材料(例如，氮化硅)形成，且在形成時處于壓縮應力下。形成為既不施加壓縮應力也不施加拉伸應力的結構被表征為中性。
2、通過包括場效應晶體管(fet)的一些集成電路，在溝道區上施加應力可以改進載流子遷移率。改變載流子遷移率會影響晶體管的驅動電流。對于具有給定晶體取向的特定半導體襯底，n型fet(nfet)的溝道區中的載流子遷移率(例如，電子遷移率)可以通過在溝道區的縱向和橫向兩個方向上施加拉伸應力來改進。縱向方向是溝道區中的載流子流動方向，橫向方向橫向垂直于溝道區中的載流子流動方向。對于具有給定晶體取向的特定半導體襯底，p型fet(pfet)的溝道區中的載流子遷移率(例如，空穴遷移率)可以通過在縱向方向上在溝道上施加壓縮應力并在橫向方向上施加拉伸應力來改進。但是，對于具有不同晶體取向的其它晶體管或襯底，溝道應力可能會以不同方式影響晶體管性能。
技術實現思路
1、在一個實施例中，一種集成電路包括：第一晶體管，其包括有源區；第一應力源類型的第一應力源，其位于所述有源區正
2、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源和所述第二應力源各自包括在所述有源區正上方彼此直接重疊的部分。
3、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源和所述第二應力源各自包括在所述第一晶體管的電流端區正上方彼此直接重疊的部分。
4、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源和所述第二應力源各自包括在所述第一晶體管的溝道區正上方彼此直接重疊的部分。
5、根據一個或多個實施方式，所述集成電路另外包括位于所述有源區正上方的所述第二應力源類型的第三應力源，其中所述第一應力源和所述第三應力源各自包括彼此直接重疊的部分。
6、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源包括不與所述第三應力源直接重疊的部分。
7、根據一個或多個實施方式，
8、所述晶體管表征為fet；
9、所述第二應力源在所述第一晶體管的所述有源區中位于源極區正上方且不在所述第一晶體管的漏極區正上方，所述第三應力源位于所述第一晶體管的所述漏極區正上方且不在所述第一晶體管的所述源極區正上方。
10、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源包括不與所述第二應力源的部分直接重疊的部分。
11、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源位于整個有源區域正上方，其中所述第二應力源不位于整個有源區域正上方。
12、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源位于所述第二應力源正上方。
13、根據一個或多個實施方式，所述第二應力源位于所述第一應力源正上方。
14、根據一個或多個實施方式，所述集成電路另外包括：
15、第二晶體管，其包括第二有源區，所述第二晶體管與所述第一晶體管具有相同的導電類型；
16、第一應力源類型的第三應力源，其位于所述第二有源區正上方；所述第二應力源類型的第四應力源，其位于所述第二有源區正上方，其中所述第三應力源和所述第四應力源各自包括彼此直接重疊的部分。
17、根據一個或多個實施方式，
18、所述有源區與所述第二有源區具有相同的大小；
19、所述第一應力源和所述第二應力源的重疊區域大于所述第三應力源和所述第四應力源的重疊區域。
20、根據一個或多個實施方式，所述集成電路另外包括：
21、管芯端，其位于所述集成電路的第一區域中，其中所述第二有源區橫向位于距所述第一區域比距所述有源區更大的橫向距離處。
22、根據一個或多個實施方式，一種封裝式集成電路包括前述的集成電路。
23、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源和所述第二應力源各自包括氮化硅。
24、根據一個或多個實施方式，所述第一晶體管包括柵極結構，其中所述第一應力源位于所述柵極結構正上方，且所述第二應力源不位于所述柵極結構正上方。
25、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源由第一材料制成，且所述第二應力源由相對于所述第一材料具有蝕刻選擇性的第二材料制成。
26、根據一個或多個實施方式，所述第一應力源充當用于形成所述第一晶體管的端觸點的蝕刻終止層。
27、在另一實施例中，一種集成電路包括：第一場效應晶體管(fet)，其包括有源區；第一應力源類型的第一應力源，其位于所述有源區正上方；及與所述第一應力源類型相反的第二應力源類型的第二應力源，其位于所述有源區正上方。第一應力源和第二應力源各自包括在所述fet的所述有源區上方彼此直接重疊的部分，其中所述第一應力源包括不與所述第二應力源的部分直接重疊的部分。
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1.一種集成電路，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一應力源和所述第二應力源各自包括在所述有源區正上方彼此直接重疊的部分。
3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，另外包括位于所述有源區正上方的所述第二應力源類型的第三應力源，其中所述第一應力源和所述第三應力源各自包括彼此直接重疊的部分。
4.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于：
5.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，另外包括：
6.根據權利要求5所述的集成電路，其特征另外在于：
7.一種封裝式集成電路，其特征在于，包括根據權利要求1所述的集成電路。
8.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一應力源由第一材料制成，且所述第二應力源由相對于所述第一材料具有蝕刻選擇性的第二材料制成。
9.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一應力源充當用于形成所述第一晶體管的端觸點的蝕刻終止層。
10.一種集成電路，其特征在于，包括：
【技術特征摘要】
1.一種集成電路，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一應力源和所述第二應力源各自包括在所述有源區正上方彼此直接重疊的部分。
3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，另外包括位于所述有源區正上方的所述第二應力源類型的第三應力源，其中所述第一應力源和所述第三應力源各自包括彼此直接重疊的部分。
4.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于：
5.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，另外包...
【專利技術屬性】
技術研發人員：D·M·雷伯，M·D·施羅夫，E·德米爾坎，
申請(專利權)人：恩智浦美國有限公司，
類型：發明
國別省市：
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