【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及半導體結構。
技術介紹
1、電子工業已經經歷了對更小且更快的電子器件的不斷增長的需求，這些電子器件同時能夠支持更多日益復雜和精密的功能。因此，在半導體工業中存在制造低成本、高性能和低功率集成電路(ic)的持續趨勢。迄今為止，這些目標在很大程度上已經通過縮小半導體ic尺寸(例如，最小部件尺寸)并且從而改進生產效率并降低相關成本來實現。然而，這樣的縮放也為半導體制造工藝引入了增加的復雜性。因此，實現半導體ic和器件中的持續進步需要半導體制造工藝和技術中的類似進步。
2、ic器件的制造包括前段制程(feol)工藝和后段制程(beol)工藝。通常，feol工藝在襯底上形成晶體管，并且beol工藝在晶體管上方或下方形成互連結構以功能性地連接晶體管。beol工藝包括經常使用等離子體的蝕刻步驟。等離子體的使用可以生成電荷，電荷可以在beol工藝期間累積在電隔離的節點處。當累積足夠的電荷時，能量可以在柵極介電層的單個點上耗散。這可能造成柵極介電層的擊穿以及對晶體管的永久損壞。這些損壞可以稱為等離子體引起的損壞(pid)。已經提出了幾種技術來防止或減少pid。
技術實現思路
1、本申請的一些實施例提供了一種半導體結構，包括：第一晶體管，包括：第一源極部件；第一漏極部件；以及第一柵極結構；以及第二晶體管，包括：第二源極部件；第二漏極部件；以及第二柵極結構；其中，所述第一源極部件電耦合至所述第二源極部件，其中，所述第二漏極部件電耦合至所述第一柵極結構。
2、本申
3、本申請的又一些實施例提供了一種半導體結構，包括：介電層；第一阱區域和第二阱區域，位于所述介電層上方；第一晶體管，設置在所述第一阱區域上方；以及第二晶體管，設置在所述第二阱區域上方；其中，所述第一晶體管包括第一源極部件、第一漏極部件和第一柵極結構，其中，所述第二晶體管包括第二源極部件、第二漏極部件和第二柵極結構，其中，所述第一源極部件電耦合至所述第二源極部件，其中，所述第一柵極結構電耦合至所述第二漏極部件。
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1.一種半導體結構，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第二柵極結構電耦合至所述第二源極部件。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第二柵極結構電耦合至所述第二漏極部件。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，
5.根據權利要求4所述的半導體結構，
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，所述第一摻雜阱與所述第二摻雜阱絕緣。
7.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：
8.根據權利要求1所述的半導體結構，
9.一種半導體結構，包括：
10.一種半導體結構，包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第二柵極結構電耦合至所述第二源極部件。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第二柵極結構電耦合至所述第二漏極部件。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，
5.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張德金，楊勝杰，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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