【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電子部件。
技術(shù)介紹
1、已知的電子部件包括素體和配置在素體上的外部電極(例如，參照日本特開平5-144665號公報(bào))。外部電極例如包括導(dǎo)電性樹脂層和位于導(dǎo)電性樹脂層的外側(cè)的金屬鍍層。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、導(dǎo)電性樹脂層例如包括多個銀顆粒和樹脂。在外部電極包括導(dǎo)電性樹脂層的結(jié)構(gòu)中，在外部電極有可能產(chǎn)生銀的遷移。銀的遷移例如認(rèn)為是因以下的事項(xiàng)而產(chǎn)生。
2、電場或熱作用于導(dǎo)電性樹脂層中所含的銀顆粒，銀顆粒離子化。導(dǎo)電性樹脂層中所含的銀顆粒有時也受到氧的影響而離子化。所產(chǎn)生的銀離子被在外部電極間產(chǎn)生的電場吸引，從導(dǎo)電性樹脂層移動。作用于銀顆粒的電場例如包括：在外部電極間產(chǎn)生的電場、或在外部電極與配置在素體內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體之間產(chǎn)生的電場。從導(dǎo)電性樹脂層移動的銀離子例如與從內(nèi)部導(dǎo)體或外部電極供給的電子反應(yīng)，在素體的表面上作為銀析出。
3、本專利技術(shù)的一個方式的目的在于，提供一種抑制銀的遷移的生長的電子部件。
4、本專利技術(shù)的一個方式所涉及的電子部件包括：素體、和配置在素體上的外部電極。外部電極包括：包括多個銀顆粒的導(dǎo)電性樹脂層、以及在與素體之間具有間隙地配置在導(dǎo)電性樹脂層的外側(cè)的金屬鍍層。上述一個方式所涉及的電子部件包括：金屬鍍層中所含的金屬成分的氧化物。氧化物與金屬鍍層和素體相接地配置于金屬鍍層與素體之間的間隙。
5、在上述一個方式中，氧化物與金屬鍍層和素體相接地配置于金屬鍍層與素體之間的間隙。因此，即使在導(dǎo)電性樹脂層產(chǎn)生銀的遷移的情況
6、與金屬鍍層和素體相接地配置于金屬鍍層與素體之間的間隙的氧化物包括：金屬鍍層中所含的金屬成分的氧化物。因此，在上述一個方式中，氧化物可靠地配置于金屬鍍層與素體之間的間隙。
7、上述一個方式也可以包括以下的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，例如，金屬鍍層包括銅鍍層，氧化物包括：銅鍍層中所含的銅的氧化物。
8、在氧化物包括銅鍍層中所含的銅的氧化物的結(jié)構(gòu)中，例如，氧化物可通過對銅鍍層進(jìn)行熱處理而形成。因此，能夠簡易地配置氧化物。
9、上述一個方式也可以包括以下的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，例如，金屬鍍層包括與銅鍍層不同的其它金屬鍍層，該其它金屬鍍層在與素體之間具有間隙地配置在銅鍍層的外側(cè)。
10、在金屬鍍層包括上述其它金屬鍍層的結(jié)構(gòu)中，其它金屬鍍層在與素體之間具有間隙。例如，在對銅鍍層進(jìn)行熱處理時，熱容易通過其它金屬鍍層與素體之間存在的間隙并作用于銅鍍層。因此，金屬鍍層包括上述其它金屬鍍層的結(jié)構(gòu)，也能夠簡易且可靠地配置氧化物。
11、上述一個方式也可以包括以下的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，例如，其它金屬鍍層包括鎳鍍層。
12、其它金屬鍍層包括上述鎳鍍層的結(jié)構(gòu)能夠在焊接安裝時防止焊料侵蝕。
13、上述一個方式也可以包括以下的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，例如，其它金屬鍍層包括：配置在鎳鍍層的外側(cè)的焊料鍍層。
14、其它金屬鍍層包括上述焊料鍍層的結(jié)構(gòu)能夠提高焊接安裝性。
15、上述一個方式也可以包括以下的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，例如，焊料鍍層在與素體之間具有間隙。
16、在焊料鍍層在與素體之間具有間隙的結(jié)構(gòu)中，例如，在對銅鍍層進(jìn)行熱處理時，熱容易通過焊料鍍層與素體之間存在的間隙并作用于銅鍍層。因此，金屬鍍層包括焊料鍍層的結(jié)構(gòu)，也能夠簡易且可靠地配置氧化物。
17、上述一個方式也可以包括以下的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，例如，所述氧化物沿導(dǎo)電性樹脂層的邊緣延伸。
18、氧化物沿導(dǎo)電性樹脂層的邊緣延伸的結(jié)構(gòu)能夠可靠地抑制銀的遷移的生長。
19、通過以下詳細(xì)說明和附圖，將更加充分地理解本專利技術(shù)，以下說明和附圖僅以說明的方式給出，因此不應(yīng)被視為對本專利技術(shù)的限制。
20、通過以下的詳細(xì)說明，本專利技術(shù)的進(jìn)一步的適用范圍將變得清楚。然而，由于對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很明顯能夠在本專利技術(shù)的宗旨和范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變和修改，因此應(yīng)當(dāng)理解的是，在說明本專利技術(shù)的實(shí)施例時，詳細(xì)說明和具體示例僅以說明的方式給出。
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1.一種電子部件，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的電子部件，其中，
8.一種電子部件，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子部件，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電子部件，其中，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子部件，其中，
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子部件，其中，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子部件，其中，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子部件，其中，
15.根據(jù)權(quán)利要求10～14中的任一項(xiàng)所述的電子部件，其中，
【技術(shù)特征摘要】
1.一種電子部件，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的電子部件，其中，
8.一種電子部件，其中，
<...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：小野寺伸也，
申請(專利權(quán))人：TDK株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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