【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池，尤其涉及一種后制絨式背接觸電池的正膜結構及其制備方法。
技術介紹
1、bc電池，指的是背接觸(back?contact)電池，是一種用于提高太陽能電池效率的先進設計，其核心設計理念在于將電池的所有金屬電極放置在電池片的背面，從而保證電池的正面不受任何金屬柵線遮擋，進而最大化電池吸收太陽光的面積，減少光學損失，提升光電轉換效率，正面無柵線的特點使其正面外觀要求更高。但由于該電池的技術路線基本結構框架所定，其正面無柵線使其吸光面積更大，光的轉化更優，對正面膜層均勻性要求更為嚴苛。因此，研究一種后制絨式背接觸電池的正膜結構及其制備方法，使得正膜更加均勻，更利于提升太陽能電池效率，具有重要意義。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種后制絨式背接觸電池的正膜結構及其制備方法，以解決現有技術中太陽能電池效率低的問題。
2、為了實現上述專利技術目的，本專利技術提供以下技術方案：
3、本專利技術提供了一種后制絨式背接觸電池的正膜結構，所述正膜結構包括自下而上依次設置于襯底正面的氧化硅預處理膜層1、第一氮化硅低膜層2、第二氮化硅低膜層3、第一氮氧化硅膜層4、氮化硅最上層5、第二氮氧化硅膜層6、第三氮氧化硅膜層7、氧化硅覆蓋層8。
4、作為優選，所述氧化硅預處理膜層1的厚度為1～2nm。
5、作為優選，所述第一氮化硅低膜層2的厚度為6～8nm；所述第二氮化硅低膜層3的厚度為8～14nm。
6、作為優選，所述
7、作為優選，所述第二氮氧化硅膜層6的厚度為4～5nm；所述第三氮氧化硅膜層7的厚度為5～7nm。
8、作為優選，所述氧化硅覆蓋層8的厚度為3～4nm。
9、本專利技術還提供了一種上述所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構的制備方法，在襯底正面自下而上依次沉積氧化硅預處理膜層1、第一氮化硅低膜層2、第二氮化硅低膜層3、第一氮氧化硅膜層4、氮化硅最上層5、第二氮氧化硅膜層6、第三氮氧化硅膜層7、氧化硅覆蓋層8，得到正膜結構。
10、作為優選，所述沉積采用等離子體增強化學氣相沉積技術進行沉積；所述沉積的溫度獨立地為450～490℃，壓力獨立地為1000～1200mpa。
11、本專利技術的有益效果：
12、本專利技術采用低溫低壓工藝制備不同的膜層，結合膜層厚度的調整，得到的膜層結構更均勻，少子壽命和鈍化值得到一定的提升，反射率更低，更好的實現了光的吸收轉化。
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1.一種后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述正膜結構包括自下而上依次設置于襯底正面的氧化硅預處理膜層(1)、第一氮化硅低膜層(2)、第二氮化硅低膜層(3)、第一氮氧化硅膜層(4)、氮化硅最上層(5)、第二氮氧化硅膜層(6)、第三氮氧化硅膜層(7)、氧化硅覆蓋層(8)。
2.根據權利要求1所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述氧化硅預處理膜層(1)的厚度為1～2nm。
3.根據權利要求2所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述第一氮化硅低膜層(2)的厚度為6～8nm；所述第二氮化硅低膜層(3)的厚度為8～14nm。
4.根據權利要求1～3任意一項所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述第一氮氧化硅膜層(4)的厚度為2～3nm；所述氮化硅最上層(5)的厚度為34～36nm。
5.根據權利要求4所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述第二氮氧化硅膜層(6)的厚度為4～5nm；所述第三氮氧化硅膜層(7)的厚度為5～7nm。
6.根據權利要求5所述的后制絨式背接觸電池的正
7.權利要求1～6任意一項所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構的制備方法，其特征在于，在襯底正面自下而上依次沉積氧化硅預處理膜層(1)、第一氮化硅低膜層(2)、第二氮化硅低膜層(3)、第一氮氧化硅膜層(4)、氮化硅最上層(5)、第二氮氧化硅膜層(6)、第三氮氧化硅膜層(7)、氧化硅覆蓋層(8)，得到正膜結構。
8.根據權利要求5所述的的后制絨式背接觸電池的正膜結構的制備方法，其特征在于，所述沉積采用等離子體增強化學氣相沉積技術進行沉積；所述沉積的溫度獨立地為450～490℃，壓力獨立地為1000～1200MPa。
...【技術特征摘要】
1.一種后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述正膜結構包括自下而上依次設置于襯底正面的氧化硅預處理膜層(1)、第一氮化硅低膜層(2)、第二氮化硅低膜層(3)、第一氮氧化硅膜層(4)、氮化硅最上層(5)、第二氮氧化硅膜層(6)、第三氮氧化硅膜層(7)、氧化硅覆蓋層(8)。
2.根據權利要求1所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述氧化硅預處理膜層(1)的厚度為1～2nm。
3.根據權利要求2所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述第一氮化硅低膜層(2)的厚度為6～8nm；所述第二氮化硅低膜層(3)的厚度為8～14nm。
4.根據權利要求1～3任意一項所述的后制絨式背接觸電池的正膜結構，其特征在于，所述第一氮氧化硅膜層(4)的厚度為2～3nm；所述氮化硅最上層(5)的厚度為34～36nm。
5.根據權利要求4所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張麟，歐文凱，張東威，申品文，
申請(專利權)人：江門普樂開瑞太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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