【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術的一實施方式涉及包含具有多晶結構的氧化物半導體(poly-os)膜的薄膜晶體管。另外，本專利技術的一實施方式涉及包含薄膜晶體管的電子設備。
技術介紹
1、近年來，取代使用了非晶硅、低溫多晶硅及單晶硅等的硅半導體膜而使用氧化物半導體膜作為溝道的薄膜晶體管的開發不斷發展(例如，參見專利文獻1～專利文獻6)。這樣的包含氧化物半導體膜的薄膜晶體管與包含非晶硅膜的薄膜晶體管同樣能夠以簡單的結構且通過低溫工藝來形成。另外，已知包含氧化物半導體膜的薄膜晶體管相較于包含非晶硅膜的薄膜晶體管而言具有高的場效應遷移率。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2021-141338號公報
5、專利文獻2：日本特開2014-099601號公報
6、專利文獻3：日本特開2021-153196號公報
7、專利文獻4：日本特開2018-006730號公報
8、專利文獻5：日本特開2016-184771號公報
9、專利文獻6：日本特開2021-108405號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、然而，包含以往的氧化物半導體膜的薄膜晶體管的場效應遷移率即便在使用具有結晶性的氧化物半導體膜的情況下也沒有那么大。因此，期望對薄膜晶體管中使用的氧化物半導體膜的晶體結構進行改良來提高薄膜晶體管的場效應遷移率。
3、就本專利技術的一實施方式而言，鑒于上述問題，本專利
4、用于解決課題的手段
5、本專利技術的一實施方式涉及的薄膜晶體管包含：基板；設置在基板之上的金屬氧化物層；與金屬氧化物層相接地設置、并包含多個晶粒的氧化物半導體層；設置在氧化物半導體層之上的柵電極；和設置在氧化物半導體層與柵電極之間的柵極絕緣層，多個晶粒包含通過ebsd(電子背散射衍射)法取得的相鄰的2個測定點的晶體取向差超過5°的晶界，通過ebsd法算出的kam值的平均值為1.4°以上。
6、本專利技術的一實施方式涉及的電子設備包含上述薄膜晶體管。
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1.薄膜晶體管，其包含：
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，通過所述EBSD法算出的晶界取向變化的平均值為37°以下。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，相對所述KAM值的平均值而言的、通過所述EBSD法算出的晶界取向變化的平均值的比例(晶界取向變化的平均值/KAM值的平均值)為30以下。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，通過所述EBSD法算出的晶界取向變化的分布圖在晶體取向差為15°以下具有峰。
5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒包含夾著所述晶界而相鄰的第1晶粒及第2晶粒，
6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒包含夾著所述晶界而相鄰的第1晶粒及第2晶粒，
7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒中的至少一者中，從晶粒的中心附近朝向所述晶界，與所述氧化物半導體層的膜面垂直的方向上的晶體取向從晶體取向＜111＞向晶體取向＜101＞變化。
8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒中的至少一者中，從晶粒的中心附近朝向所述晶界，
9.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧化物半導體層包含：
10.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物層是帶隙為4eV以上的金屬氧化物。
11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述金屬氧化物層包含選自鋁、鎂、鈣、鈧、鎵、鍺、鍶、鎳、鉭、釔、鋯、鋇、鉿、鈷及鑭系元素中的一種或多種金屬元素。
12.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧化物半導體層的晶體結構為方鐵錳礦型結構。
13.電子設備，其包含權利要求1至12中任一項所述的薄膜晶體管。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.薄膜晶體管，其包含：
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，通過所述ebsd法算出的晶界取向變化的平均值為37°以下。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，相對所述kam值的平均值而言的、通過所述ebsd法算出的晶界取向變化的平均值的比例(晶界取向變化的平均值/kam值的平均值)為30以下。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，通過所述ebsd法算出的晶界取向變化的分布圖在晶體取向差為15°以下具有峰。
5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒包含夾著所述晶界而相鄰的第1晶粒及第2晶粒，
6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒包含夾著所述晶界而相鄰的第1晶粒及第2晶粒，
7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述多個晶粒中的至少一者中，從晶粒的中心附近朝向所述晶界，與所述氧化物半導體層的膜面垂...
【專利技術屬性】
技術研發人員：渡壁創，津吹將志，佐佐木俊成，田丸尊也，川島繪美，霍間勇輝，佐佐木大地，
申請(專利權)人：株式會社日本顯示器，
類型：發明
國別省市：
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