【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開涉及彈性波裝置。
技術介紹
1、在彈性波裝置中，在壓電基板上由鋁膜形成idt電極。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2003-078384號公報
技術實現思路
1、根據本公開的一方式，具有：壓電體層；電極，設置在所述壓電體層之上；和，覆蓋部，覆蓋所述電極的側面的至少一部分；所述覆蓋部含有構成所述壓電體層的氧以及氮以外的元素。
2、根據本公開的另一方式，包括以下步驟：形成壓電體層；在所述壓電體層之上形成電極；和，對所述壓電體層和所述電極進行干蝕刻。
【技術保護點】
1.彈性波裝置，具有：
2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述壓電體層含有鉭酸鋰，所述元素為鋰或鉭。
3.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述壓電體層含有鈮酸鋰，所述元素為鋰或鈮。
4.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述壓電體層含有水晶，所述元素為硅。
5.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，所述壓電體層為鉭酸鋰，所述覆蓋部含有氧化鉭。
6.根據權利要求1或3所述的彈性波裝置，所述壓電體層為鈮酸鋰，所述覆蓋部含有氧化鈮。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的彈性波裝置，所述覆蓋部的密度比所述電極的密度大。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的彈性波裝置，所述覆蓋部中的最厚的部分的厚度為3nm以上。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的彈性波裝置，所述覆蓋部具有：第一部分；和，第二部分，與所述第一部分相比位于所述電極的上方側，且比所述第一部分薄。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的彈性波裝置，具有：保護膜，覆蓋所述壓電體層、及所述電極的至少一部分；
11.
12.根據權利要求11所述的彈性波裝置，所述電極的側面還具有：第二面，位于所述壓電體層的表面的附近，與第一面連續；
13.根據權利要求1至12中任一項所述的彈性波裝置，所述壓電體層中的所述電極的區域的厚度比所述壓電體層中的露出有其表面的區域的厚度大。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的彈性波裝置，所述電極的區域的厚度與露出有所述壓電體層的表面的區域的厚度之差為50nm以下。
15.根據權利要求1至14中任一項所述的彈性波裝置，還具有：支承基板，支承所述壓電體層、所述電極及所述覆蓋部；
16.根據權利要求1至14中任一項所述的彈性波裝置，所述彈性波裝置激勵波。
17.根據權利要求1至14中任一項所述的彈性波裝置，所述彈性波裝置激勵體波。
18.通信裝置，具備：權利要求1至15中任一項所述的彈性波裝置。
19.制造方法，包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.彈性波裝置，具有：
2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述壓電體層含有鉭酸鋰，所述元素為鋰或鉭。
3.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述壓電體層含有鈮酸鋰，所述元素為鋰或鈮。
4.根據權利要求1所述的彈性波裝置，所述壓電體層含有水晶，所述元素為硅。
5.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，所述壓電體層為鉭酸鋰，所述覆蓋部含有氧化鉭。
6.根據權利要求1或3所述的彈性波裝置，所述壓電體層為鈮酸鋰，所述覆蓋部含有氧化鈮。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的彈性波裝置，所述覆蓋部的密度比所述電極的密度大。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的彈性波裝置，所述覆蓋部中的最厚的部分的厚度為3nm以上。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的彈性波裝置，所述覆蓋部具有：第一部分；和，第二部分，與所述第一部分相比位于所述電極的上方側，且比所述第一部分薄。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的彈性波裝置，具有：保護膜，覆蓋所述壓電體層、及所述電極的至少一部...
【專利技術屬性】
技術研發人員：西岡庸介，南部雅樹，加藤敬，野添惣一朗，
申請(專利權)人：京瓷株式會社，
類型：發明
國別省市：
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