【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及脫模膜及半導(dǎo)體封裝的制造方法。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體芯片通常為了與外部空氣隔絕和保護(hù)而被樹脂密封，作為被稱為封裝的成型品而安裝在基板上。成型品通過將包含樹脂的密封材料注入模具而制作。在模具中設(shè)有多個(gè)型腔，多個(gè)型腔經(jīng)由作為密封材料的流路的流道而連結(jié)。并且，為了使成型品容易從模具脫模，對模具的結(jié)構(gòu)、向密封樹脂添加脫模劑等做出了研究。
2、另一方面，由于封裝的小型化、多引腳化等需求，球柵陣列（ball?grid?array，bga）方式、四方無引腳扁平（quad?flat?non-leaded，qfn）方式、晶片級芯片尺寸封裝（wafer?level?chip?size?package，wl-csp）方式等的封裝正在增加。在qfn方式中，從確保基準(zhǔn)距(stand-off)并防止在端子部產(chǎn)生由密封材料引起的毛刺的觀點(diǎn)出發(fā)，另外，在bga方式以及wl-csp方式中，從提高封裝從模具的脫模性的觀點(diǎn)出發(fā)，在模具內(nèi)側(cè)沿著模具配置樹脂制的脫模膜，向其內(nèi)部注入密封材料來進(jìn)行成型（例如，參照專利文獻(xiàn)1）。將使用脫模膜進(jìn)行成型的方法稱為“膜輔助成型法”。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-158242號公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)所要解決的課題
2、在使用上述脫模膜時(shí)，有時(shí)在成型后的封裝表面殘留密封材料的流動痕跡，有時(shí)外觀變差。為了減少流動痕跡，考慮在脫模膜的脫模層中添加填料等。
3、
4、若脫模膜被拉伸，則脫模層也追隨基材的拉伸而被拉伸，但有時(shí)脫模層不能完全追隨而斷裂，成型品無法從模具脫落或者變得難以脫落。
5、特別是，在為了減少流動痕跡而在脫模層中添加了填料的脫模膜中，存在脫模層的伸長率降低、脫模層容易斷裂的傾向。
6、鑒于這樣的情況，本公開的課題在于提供一種拉伸性優(yōu)異、且能夠減少半導(dǎo)體封裝表面的密封材料的流動痕跡的脫模膜、以及使用該脫模膜的半導(dǎo)體封裝的制造方法。
7、用于解決課題的方案
8、用于解決上述課題的方案包括以下的實(shí)施方式。
9、<1>一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，至少2種所述聚合物的sp值之差大于或等于0.3。
10、<2>一種脫模膜，包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，所述聚合物的至少1種為含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
11、<3>一種脫模膜，包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，且所述脫模膜滿足下述（1）或（2）中的至少一者。
12、（1）所述脫模層具有成分比率不同的多種區(qū)域，在所述不同的多種區(qū)域中進(jìn)行拉曼光譜測定時(shí)，在不同的多種區(qū)域的至少一部分分別顯示不同的峰強(qiáng)度。
13、（2）所述脫模層的表面具有凹凸形狀，在凸部和凹部進(jìn)行拉曼光譜測定時(shí)，在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分分別顯示不同的峰強(qiáng)度。
14、<4>如<2>或<3>所述的脫模膜，其中，至少2種所述聚合物的sp值之差大于或等于0.3。
15、<5>如<1>或<3>所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少1種為含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
16、<6>如<1>或<2>所述的脫模膜，其滿足下述（1）或（2）中的至少一者。
17、（1）所述脫模層具有成分比率不同的多種區(qū)域，在所述不同的多種區(qū)域中進(jìn)行拉曼光譜測定時(shí)，在不同的多種區(qū)域的至少一部分分別顯示不同的峰強(qiáng)度。
18、（2）所述脫模層的表面具有凹凸形狀，在凸部和凹部進(jìn)行拉曼光譜測定時(shí)，在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分分別顯示不同的峰強(qiáng)度。
19、<7>如<3>或<6>所述的脫模膜，其中，在所述不同的多種區(qū)域的至少一部分、或者在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分，所述聚合物的成分比率不同。
20、<8>如<7>所述的脫模膜，其中，在所述不同的多種區(qū)域的至少一部分、或者在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分，含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的含量不同。
21、<9>如<3>或<6>所述的脫模膜，其中，所述凸部和所述凹部的至少一部分通過所述脫模層的層內(nèi)的相分離而形成。
22、<10>如<3>或<6>所述的脫模膜，其中，在激光顯微鏡中，在所述脫模層的層內(nèi)，在所述凸部的周圍觀察不到界面。
23、<11>如<3>或<6>所述的脫模膜，其中，顯示所述不同的峰強(qiáng)度的峰為來自腈基的峰。
24、<12>如<3>或<6>所述的脫模膜，其中，所述脫模層的表面具有凹凸形狀，所述凸部的至少一部分中的來自腈基的峰強(qiáng)度大于所述凹部的至少一部分中的來自腈基的峰強(qiáng)度。
25、<13>如<3>或<6>所述的脫模膜，其中，所述脫模層的表面具有凹凸形狀，所述凸部的至少一部分中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)的含量多于所述凹部的至少一部分中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)的含量。
26、<14>如<1>至<13>中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述脫模層的外表面的算術(shù)平均粗糙度（ra）小于或等于1.5μm。
27、<15>如<1>至<14>中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述聚合物的重均分子量（mw）大于或等于1.0×105。
28、<16>如<1>至<15>中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少1種是包含來自(甲基)丙烯腈單體的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，在所述聚合物的至少2種中，來自(甲基)丙烯腈單體的結(jié)構(gòu)單元所占的比例之差大于或等于1質(zhì)量%。
29、<17>如<1>至<16>中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述2種以上的聚合物為具有來自(甲基)丙烯酰基單體的結(jié)構(gòu)單元的(甲基)丙烯酸系聚合物。
30、<18>如<1>至<17>中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少一部分是交聯(lián)的。
31、<19>如<1>至<18>中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述脫模層中含量最多的聚本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，至少2種所述聚合物的SP值之差大于或等于0.3。
2.一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，所述聚合物的至少1種為含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
3.一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，且所述脫模膜滿足下述（1）或（2）中的至少一者，
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的脫模膜，其中，至少2種所述聚合物的SP值之差大于或等于0.3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少1種為含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的脫模膜，其滿足下述（1）或（2）中的至少一者，
7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，在所述不同的多種區(qū)域的至少一部分、或者在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分，所述聚合物的成分比率不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的脫模膜，其中，在所述不同的多種區(qū)域的至少一部分、或者在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分，含
9.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，所述凸部和所述凹部的至少一部分通過所述脫模層的層內(nèi)的相分離而形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，在激光顯微鏡中，在所述脫模層的層內(nèi)，在所述凸部的周圍觀察不到界面。
11.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，顯示所述不同的峰強(qiáng)度的峰為來自腈基的峰。
12.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，所述脫模層的表面具有凹凸形狀，所述凸部的至少一部分中的來自腈基的峰強(qiáng)度大于所述凹部的至少一部分中的來自腈基的峰強(qiáng)度。
13.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，所述脫模層的表面具有凹凸形狀，所述凸部的至少一部分中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)的含量多于所述凹部的至少一部分中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)的含量。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述脫模層的外表面的算術(shù)平均粗糙度Ra小于或等于1.5μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述聚合物的重均分子量Mw大于或等于1.0×105。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少1種為包含來自(甲基)丙烯腈單體的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述2種以上的聚合物為具有來自(甲基)丙烯酰基單體的結(jié)構(gòu)單元的(甲基)丙烯酸系聚合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少一部分是交聯(lián)的。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述脫模層中含量最多的聚合物的含有率相對于所述聚合物的總含量為小于或等于95質(zhì)量%。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述基材層為聚酯膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述脫模層的厚度為1μm~50μm。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項(xiàng)所述的脫模膜，其中，所述脫模膜用于傳遞模塑或壓縮模塑。
23.一種半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中，使用權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的脫模膜來進(jìn)行傳遞模塑工序或壓縮模塑工序。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，至少2種所述聚合物的sp值之差大于或等于0.3。
2.一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，所述聚合物的至少1種為含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
3.一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層包含2種以上的聚合物，且所述脫模膜滿足下述（1）或（2）中的至少一者，
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的脫模膜，其中，至少2種所述聚合物的sp值之差大于或等于0.3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的脫模膜，其中，所述聚合物的至少1種為含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的脫模膜，其滿足下述（1）或（2）中的至少一者，
7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，在所述不同的多種區(qū)域的至少一部分、或者在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分，所述聚合物的成分比率不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的脫模膜，其中，在所述不同的多種區(qū)域的至少一部分、或者在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分，含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的含量不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，所述凸部和所述凹部的至少一部分通過所述脫模層的層內(nèi)的相分離而形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，在激光顯微鏡中，在所述脫模層的層內(nèi)，在所述凸部的周圍觀察不到界面。
11.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，顯示所述不同的峰強(qiáng)度的峰為來自腈基的峰。
12.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的脫模膜，其中，所述脫模層的表面具有凹凸形狀，所述凸部的至少一部分中的來自腈基的峰...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：中村弘司，田村遼，藪下諭，谷口徹彌，佐久間和則，
申請(專利權(quán))人：株式會社力森諾科，
類型：發(fā)明
國別省市：
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