【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體加工，具體涉及一種承載組件及其控制方法和半導體工藝設備。
技術介紹
1、由于金屬鎢具有良好的導電性和抗電遷移能力，在半導體加工過程中，通常利用化學氣相沉積的方式在孔洞或溝槽內填充金屬鎢，以實現前道器件與后道金屬互聯之間的電連接目的。一般來說，在完成金屬填充過程之后，還需要利用化學機械平坦法的方式去除晶圓表面所殘留的金屬鎢，而為了保證金屬去除過程能夠正常進行，在金屬沉積過程進行之前，通常需要在晶圓的邊緣覆蓋一內徑略小于晶圓外徑的遮擋環，從而保證晶圓的上表面自其外緣可以形成一無沉積物且等寬的環形區域。當然，為了保證晶圓外緣處所形成的無沉積物區域的寬度等寬或基本等寬，需要保證圓環、晶圓和用以承載晶圓的基座三者同心設置。在目前的傳片過程中，通常利用多個頂針預先支撐晶圓，之后，在基座上升的過程中，使基座自頂針的頂端托舉晶圓，且帶動晶圓繼續上升至工藝工位。
2、由于目前的工藝設備并不能獲取晶圓在被移動至頂針處時可能發生了滑片現象，導致晶圓承載于頂針上時所處的位置可能與基座存在相對偏心的問題，在此情況下，當基座承托晶圓完成金屬沉積工藝后，可能造成晶圓在去邊后存在偏心，甚至失效或碎片的情況。
技術實現思路
1、本申請實施例的目的是提供一種承載組件及其控制方法和半導體工藝設備，以解決目前半導體工藝設備因無法監測晶圓在傳片過程中可能出現的滑片現象，導致晶圓處于與基座相對偏心的狀態下進行后續加工過程，可能造成晶圓失效甚至碎片的問題。
2、第一方面，本申請實施例公開
3、至少一個所述頂持機構還包括壓力檢測件，且所述頂持機構中的所述頂持件支撐于所述壓力檢測件。
4、第二方面，本申請實施例公開一種控制方法，應用于上述承載組件，所述承載組件還包括位置調節機構，各所述頂持機構均安裝于所述位置調節機構，所述位置調節機構用于帶動各所述頂持機構相對所述基座沿垂直于所述貫穿孔的軸向的方向移動，所述控制方法包括：
5、s1、獲取所述壓力檢測件的檢測值；
6、s2、在所述檢測值不滿足預設壓力的情況下，控制所述位置調節機構帶動多個所述頂持機構相對所述基座移動，以減小所述待加工件的中心與所述基座的中心在垂直于所述貫穿孔的軸向的方向上的間距。
7、第三方面，本申請實施例還公開一種半導體工藝設備，其包括工藝腔室和上述承載組件，所述基座可升降地安裝于所述工藝腔室。
8、本申請實施例公開一種承載組件，其包括分別用于支撐待加工件的基座和至少三個頂持機構，基座上設有多個貫穿孔，各頂持機構的頂持件能夠一一對應地穿設于多個貫穿孔內，從而保證頂持機構和基座均具備支撐待加工件的能力。同時，多個頂持機構中的至少一者還包括壓力檢測件，且該頂持機構中的頂持件支撐于壓力檢測件，使得壓力檢測件能夠檢測頂持件所承受的壓力值的大小，進而在待加工件承載于多個頂持機構上的情況下，通過比對壓力檢測件的壓力檢測值與預設壓力值之間的關系，即可判斷待加工件的中心是否與基座的中心同心或基本同心，且在待加工件不滿足與基座的同心要求的情況下，可以通過重新執行傳片步驟等方式，使待加工件重新被傳入至工藝腔室內，在待加工件不發生滑片的情況下，使待加工件能夠穩定地承載于多個頂持機構上，且使待加工件的中心與基座的中心滿足同心要求，進而保證后續工藝過程能夠可靠地進行，且形成符合加工要求的工件。
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1.一種承載組件，其特征在于，包括基座和至少三個頂持機構，所述基座和至少三個所述頂持機構分別用于支撐待加工件，所述基座設有多個貫穿孔，各所述頂持機構均包括頂持件，且多個所述頂持件可一一對應地穿設于多個所述貫穿孔內；
2.根據權利要求1所述的承載組件，其特征在于，所述承載組件還包括位置調節機構，各所述頂持機構均安裝于所述位置調節機構，所述位置調節機構用于帶動各所述頂持機構相對所述基座沿垂直于所述貫穿孔的軸向的方向移動。
3.根據權利要求2所述的承載組件，其特征在于，所述位置調節機構包括驅動件和連接架，各所述頂持機構均安裝于所述連接架，且所述驅動件與所述連接架連接。
4.根據權利要求1所述的承載組件，其特征在于，各所述頂持機構均包括所述壓力檢測件，且任一所述頂持機構中的所述頂持件均支撐于所述壓力檢測件。
5.根據權利要求4所述的承載組件，其特征在于，所述貫穿孔的數量為三個，且三個所述貫穿孔的中心之間的連線圍成銳角三角形。
6.根據權利要求5所述的承載組件，其特征在于，三個所述貫穿孔的中心與所述基座的中心之間的間距均相等。p>
7.一種控制方法，應用于權利要求1所述的承載組件，其特征在于，所述承載組件還包括位置調節機構，各所述頂持機構均安裝于所述位置調節機構，所述位置調節機構用于帶動各所述頂持機構相對所述基座沿垂直于所述貫穿孔的軸向的方向移動，所述控制方法包括：
8.根據權利要求7所述的控制方法，其特征在于，各所述頂持機構均包括所述壓力檢測件，且任一所述頂持機構中的所述頂持件均支撐于所述壓力檢測件，所述控制方法中，
9.根據權利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述在所述偏移矢量的值大于所述位置調節機構的調節范圍的情況下，控制所述待加工件移出至工藝腔室之外，包括：
10.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括工藝腔室和權利要求1-6任意一項所述的承載組件，所述基座可升降地安裝于所述工藝腔室。
...【技術特征摘要】
1.一種承載組件，其特征在于，包括基座和至少三個頂持機構，所述基座和至少三個所述頂持機構分別用于支撐待加工件，所述基座設有多個貫穿孔，各所述頂持機構均包括頂持件，且多個所述頂持件可一一對應地穿設于多個所述貫穿孔內；
2.根據權利要求1所述的承載組件，其特征在于，所述承載組件還包括位置調節機構，各所述頂持機構均安裝于所述位置調節機構，所述位置調節機構用于帶動各所述頂持機構相對所述基座沿垂直于所述貫穿孔的軸向的方向移動。
3.根據權利要求2所述的承載組件，其特征在于，所述位置調節機構包括驅動件和連接架，各所述頂持機構均安裝于所述連接架，且所述驅動件與所述連接架連接。
4.根據權利要求1所述的承載組件，其特征在于，各所述頂持機構均包括所述壓力檢測件，且任一所述頂持機構中的所述頂持件均支撐于所述壓力檢測件。
5.根據權利要求4所述的承載組件，其特征在于，所述貫穿孔的數量為三個，且三個所述貫穿孔的中心之間的連...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何中凱，
申請(專利權)人：北京北方華創微電子裝備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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