【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及晶圓制作領(lǐng)域，且特別關(guān)于一種二極管晶圓與待加工晶圓的制作方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體制程中，晶圓是從晶棒(ingot)制作出來的。首先，選擇適當(dāng)?shù)牟牧蟻碇谱骶О簟３Ｒ姷牟牧习ü?silicon)、砷化鎵(gallium?arsenide)等。將選擇的材料放入高溫熔爐中，進行熔化。熔爐中的溫度和氣體條件需要控制得當(dāng)，以確保材料能均勻熔化并達到所需的純度。在熔化的材料中，將一根稱為“種晶棒”(seed?crystal)的晶體(通常是單晶硅)輕輕放入，并慢慢提升。在提升的過程中，晶體從熔融材料中抓取晶種，形成一個長大的晶棒。晶棒在拉棒過程中逐漸冷卻，形成單晶結(jié)構(gòu)。冷卻速度和過程中的溫度控制對于晶棒質(zhì)量至關(guān)重要，以確保晶棒的純度和完整性。晶棒冷卻后，進行切割以形成所需直徑的晶圓。通常使用鉆石刃或其他切割工具進行切割。將切割后的晶圓進行化學(xué)或機械的處理，去除表面的殘留物、污染和瑕疵，使其表面平整和干凈。然后，對晶圓進行拋光，以進一步提高表面平整度和光學(xué)質(zhì)量。最后對制作好的晶圓進行清潔，以去除任何殘留物和污染物。然后對晶圓進行檢查和測試，確保其符合特定的質(zhì)量標準。
2、在半導(dǎo)體制造業(yè)中，a規(guī)晶圓(a-grade?wafer)和b規(guī)晶圓(b-grade?wafer)是對晶圓質(zhì)量和規(guī)格的定義。這些定義通常由半導(dǎo)體制造商、國際標準組織和客戶之間的協(xié)商達成。一般來說，a規(guī)晶圓通常具有較高的質(zhì)量標準，如表面平整度、晶圓厚度均勻性、晶格結(jié)構(gòu)完整性等方面。b規(guī)晶圓的質(zhì)量標準相對較低，通常用于一般應(yīng)用，并不要求非常高的性能和可
3、因此，本專利技術(shù)針對上述的困擾，提出一種二極管晶圓與待加工晶圓的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供一種二極管晶圓與待加工晶圓的制作方法，其以較低的成本制作出較佳品質(zhì)的二極管晶圓與待加工晶圓。
2、在本專利技術(shù)的一實施例中，提供一種二極管晶圓的制作方法，其用于加工從一晶棒(ingot)上切割(slicing)而得的多個原始晶圓，二極管晶圓的制作方法包含下列步驟：判斷多個原始晶圓是否符合一制作規(guī)格：若是，將原始晶圓作為高階原始晶圓；以及若否，將原始晶圓作為低階原始晶圓，其中低階原始晶圓的數(shù)量為多個；計算具有晶格定向凹坑(crystal?orientedpits，cop)相關(guān)問題的低階原始晶圓的數(shù)量占全部的低階原始晶圓的數(shù)量的比例，并判斷此比例是否大于一預(yù)設(shè)值：若是，結(jié)束；以及若否，移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)，其中部分結(jié)構(gòu)具有固定厚度；平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面；以及在被平滑化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓。
3、在本專利技術(shù)的一實施例中，制作規(guī)格的項目包括電阻、缺陷、黑膜、彩膜、晶圓厚度、晶圓長晶方式、晶圓尺寸、晶圓表面、金屬粒子殘留濃度、總厚度偏差、總指示讀數(shù)、晶圓翹曲度、局部總指示讀數(shù)與粉塵數(shù)。
4、在本專利技術(shù)的一實施例中，缺陷包括缺角(chipping)、破片(crack)、多余的雷刻碼、刮傷(scratch)、污跡(stain)與晶格裂傷。
5、在本專利技術(shù)的一實施例中，在移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)的步驟中，選取厚度大于一預(yù)設(shè)值的低階原始晶圓，并移除被選取的每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)。
6、在本專利技術(shù)的一實施例中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行蝕刻制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
7、在本專利技術(shù)的一實施例中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行研磨制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
8、在本專利技術(shù)的一實施例中，二極管晶圓的制作方法還包括：粗糙化被平滑化的每一低階原始晶圓的表面的步驟。在被平滑化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓的步驟中，在被粗糙化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓。
9、在本專利技術(shù)的一實施例中，被平滑化的每一低階原始晶圓的表面以槽式蝕刻法(bench?etching)或旋轉(zhuǎn)蝕刻法(spin?etching)進行粗糙化。
10、在本專利技術(shù)的一實施例中，二極管晶圓的制作方法還包括：在二極管晶圓的表面形成金屬導(dǎo)電層的步驟。
11、在本專利技術(shù)的一實施例中，二極管結(jié)構(gòu)包括：一摻雜井區(qū)、一第一重摻雜區(qū)與一第二重摻雜區(qū)。摻雜井區(qū)與第一重摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電型，其中摻雜井區(qū)位于被平滑化的低階原始晶圓中。第一重摻雜區(qū)位于摻雜井區(qū)中。第二重摻雜區(qū)具有與第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型，其中第二重摻雜區(qū)位于摻雜井區(qū)中。
12、在本專利技術(shù)的一實施例中，一種待加工晶圓的制作方法，其用于加工從一晶棒(ingot)上切割(slicing)而得的多個原始晶圓，待加工晶圓的制作方法包括下列步驟：判斷多個原始晶圓是否符合一制作規(guī)格：若是，將原始晶圓作為高階原始晶圓；以及若否，將原始晶圓作為低階原始晶圓，其中低階原始晶圓的數(shù)量為多個；計算具有晶格定向凹坑(crystal?orientedpits，cop)相關(guān)問題的低階原始晶圓的數(shù)量占全部的低階原始晶圓的數(shù)量的比例，并判斷此比例是否大于一預(yù)設(shè)值：若是，結(jié)束；以及若否，移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)，其中部分結(jié)構(gòu)具有固定厚度；以及平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面，以得到待加工晶圓。
13、在本專利技術(shù)的一實施例中，制作規(guī)格的項目包括電阻、缺陷、黑膜、彩膜、晶圓厚度、晶圓長晶方式、晶圓尺寸、晶圓表面、金屬粒子殘留濃度、總厚度偏差、總指示讀數(shù)、晶圓翹曲度、局部總指示讀數(shù)與粉塵數(shù)。
14、在本專利技術(shù)的一實施例中，缺陷包括缺角(chipping)、破片(crack)、多余的雷刻碼、刮傷(scratch)、污跡(stain)與晶格裂傷。
15、在本專利技術(shù)的一實施例中，在移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)的步驟中，選取厚度大于一預(yù)設(shè)值的低階原始晶圓，并移除被選取的每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)。
16、在本專利技術(shù)的一實施例中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行蝕刻制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
17、在本專利技術(shù)的一實施例中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種二極管晶圓的制作方法，其用于加工從一晶棒上切割而得的多個原始晶圓，其特征在于，所述二極管晶圓的制作方法包含下列步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述制作規(guī)格的項目包括電阻、缺陷、黑膜、彩膜、晶圓厚度、晶圓長晶方式、晶圓尺寸、晶圓表面、金屬粒子殘留濃度、總厚度偏差、總指示讀數(shù)、晶圓翹曲度、局部總指示讀數(shù)與粉塵數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述缺陷包括缺角、破片、多余的雷刻碼、刮傷、污跡與晶格裂傷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，在移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)的步驟中，選取厚度大于一預(yù)設(shè)值的低階原始晶圓，并移除被選取的每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，在平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面的步驟中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行蝕刻制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，在
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述二極管晶圓的制作方法還包括：粗糙化被平滑化的每一低階原始晶圓的表面的步驟；在被平滑化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓的步驟中，在被粗糙化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，被平滑化的每一低階原始晶圓的表面以槽式蝕刻法或旋轉(zhuǎn)蝕刻法進行粗糙化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述二極管晶圓的制作方法還包括：在二極管晶圓的表面形成金屬導(dǎo)電層的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述二極管結(jié)構(gòu)包括：
11.一種待加工晶圓的制作方法，其用于加工從一晶棒上切割而得的多個原始晶圓，其特征在于，所述待加工晶圓的制作方法包含下列步驟：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，所述制作規(guī)格的項目包括電阻、缺陷、黑膜、彩膜、晶圓厚度、晶圓長晶方式、晶圓尺寸、晶圓表面、金屬粒子殘留濃度、總厚度偏差、總指示讀數(shù)、晶圓翹曲度、局部總指示讀數(shù)與粉塵數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，所述缺陷包括缺角、破片、多余的雷刻碼、刮傷、污跡與晶格裂傷。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，在移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)的步驟中，選取厚度大于一預(yù)設(shè)值的低階原始晶圓，并移除被選取的每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，在平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面的步驟中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行蝕刻制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，在平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面的步驟中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行研磨制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，所述待加工晶圓的制作方法還包括：粗糙化被平滑化的每一低階原始晶圓的表面的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的待加工晶圓的制作方法，其特征在于，被平滑化的每一低階原始晶圓的表面以槽式蝕刻法或旋轉(zhuǎn)蝕刻法進行粗糙化。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種二極管晶圓的制作方法，其用于加工從一晶棒上切割而得的多個原始晶圓，其特征在于，所述二極管晶圓的制作方法包含下列步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述制作規(guī)格的項目包括電阻、缺陷、黑膜、彩膜、晶圓厚度、晶圓長晶方式、晶圓尺寸、晶圓表面、金屬粒子殘留濃度、總厚度偏差、總指示讀數(shù)、晶圓翹曲度、局部總指示讀數(shù)與粉塵數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述缺陷包括缺角、破片、多余的雷刻碼、刮傷、污跡與晶格裂傷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，在移除每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)的步驟中，選取厚度大于一預(yù)設(shè)值的低階原始晶圓，并移除被選取的每一低階原始晶圓的部分結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，在平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面的步驟中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行蝕刻制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，在平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面的步驟中，對結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面依序進行研磨制程與拋光制程，以平滑化結(jié)構(gòu)被移除的每一低階原始晶圓的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，所述二極管晶圓的制作方法還包括：粗糙化被平滑化的每一低階原始晶圓的表面的步驟；在被平滑化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓的步驟中，在被粗糙化的每一低階原始晶圓中形成多個二極管結(jié)構(gòu)，以得到二極管晶圓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于，被平滑化的每一低階原始晶圓的表面以槽式蝕刻法或旋轉(zhuǎn)蝕刻法進行粗糙化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二極管晶圓的制作方法，其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊士慶，涂德松，
申請(專利權(quán))人：科圣電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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