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    用于在3D電子組件的表面上打印導電層的方法以及相關聯的3D電子組件技術
    
                            
    技術編號：44456980 閱讀：3 留言：0更新日期：2025-02-28 19:03
    
                        
    
                        
    
                            
                            本發明專利技術涉及用于在三維(3D)電子組件10A、10B、10C的表面上沉積導電層的方法，該三維電子組件包括嵌入固體聚合物材料16中的至少一個電子設備14。該方法包括以下步驟：(i)提供3D電子組件10A、10B、10C；(ii)在該3D電子組件10A、10B、10C的該固體聚合物材料16的表面中形成至少一個流動屏障18；以及(iii)在該固體聚合物材料16的該表面的至少一部分上沉積導電層20A、20B、20C，使得該導電層20A、20B、20C至少部分地由該流動屏障18界定。本發明專利技術還涉及相關聯的3D電子組件10A、10B、10C。
    
                            
                            
    


    
                            

                            
    【技術實現步驟摘要】
    
                                

    技術介紹

    技術實現思路
    
                            
    
                            
    【技術保護點】
    
                                
    1.一種用于在三維(3D)電子組件(10A、10B、10C)的表面上沉積導電層的方法，所述三維電子組件包括嵌入固體聚合物材料(16)中的至少一個電子設備(14)，所述方法包括以下步驟：
    2.根據權利要求1所述的方法，其中當所述3D電子組件(10A、10B、10C)被放置在水平表面上時，所述至少一個流動屏障(18)形成在所述固體聚合物材料(16)的非水平和/或非平面表面，優選地豎直表面上。
    3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述至少一個流動屏障(18)是完全圍繞所述固體聚合物材料(16)延伸的連續環形流動屏障(18)。
    4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述至少一個流動屏障是凹陷部(18)。
    5.根據權利要求4所述的方法，其中所述至少一個凹陷部(18)是通過激光燒蝕或鋸切或銑削或壓印形成的。
    6.根據權利要求4或5中任一項所述的方法，其中所述至少一個凹陷部(18)具有在5μm至50μm范圍內的深度以及在5μm至50μm范圍內的寬度。
    7.根據權利要求4至6中任一項所述的方法，還包括激光標記所述3D電子組件(10A、10B、10C)的步驟，其中用于激光標記所述3D電子組件(10A、10B、10C)的激光器還用于形成所述至少一個凹陷部(18)。
    8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中沉積所述導電層的步驟是通過噴墨打印或噴涂進行的。
    9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述導電層(20A、
    10.一種三維(3D)電子組件(10A、10B、10C)，包括嵌入固體聚合物材料(16)中的至少一個電子設備(14)，其中所述3D電子組件(10A、10B、10C)包括在所述固體聚合物材料(16)的表面中的至少一個流動屏障(18)，并且其中導電層(20A、20B、20C)被設置在所述固體聚合物材料(16)的所述表面的至少一部分上，使得所述導電層(20A、20B、20C)至少部分地由所述至少一個流動屏障(18)界定。
    11.根據權利要求10所述的3D電子組件(10A、10B、10C)，其中當所述3D電子組件(10A、10B、10C)被放置在水平表面上時，所述至少一個流動屏障(18)設置在所述固體聚合物材料(16)的非水平和/或非平面表面，優選地豎直表面上。
    12.根據權利要求10或11所述的3D電子組件(10A、10B、10C)，其中所述至少一個流動屏障(18)是完全圍繞固體聚合物材料模制件(16)延伸的連續環形流動屏障(18)。
    13.根據權利要求10至12中任一項所述的3D電子組件(10A、10B、
    14.根據權利要求13所述的3D電子組件(10A、10B、10C)，其中所述至少一個凹陷部(18)具有在5μm至50μm范圍內的深度以及在5μm至50μm范圍內的寬度。
    15.根據權利要求10至14中任一項所述的3D電子組件(10A、10B、
    16.根據權利要求10至15中任一項所述的3D電子組件(10A、10B、
    17.根據權利要求1至9中任一項所述的方法或根據權利要求10至16中任一項所述的3D電子組件，其中所述3D電子組件是系統級封裝(SIP)或封裝內天線(AIP)，并且所述固體聚合物材料是模塑料。
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    【技術特征摘要】
    
                                
    1.一種用于在三維(3d)電子組件(10a、10b、10c)的表面上沉積導電層的方法，所述三維電子組件包括嵌入固體聚合物材料(16)中的至少一個電子設備(14)，所述方法包括以下步驟：
    2.根據權利要求1所述的方法，其中當所述3d電子組件(10a、10b、10c)被放置在水平表面上時，所述至少一個流動屏障(18)形成在所述固體聚合物材料(16)的非水平和/或非平面表面，優選地豎直表面上。
    3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述至少一個流動屏障(18)是完全圍繞所述固體聚合物材料(16)延伸的連續環形流動屏障(18)。
    4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述至少一個流動屏障是凹陷部(18)。
    5.根據權利要求4所述的方法，其中所述至少一個凹陷部(18)是通過激光燒蝕或鋸切或銑削或壓印形成的。
    6.根據權利要求4或5中任一項所述的方法，其中所述至少一個凹陷部(18)具有在5μm至50μm范圍內的深度以及在5μm至50μm范圍內的寬度。
    7.根據權利要求4至6中任一項所述的方法，還包括激光標記所述3d電子組件(10a、10b、10c)的步驟，其中用于激光標記所述3d電子組件(10a、10b、10c)的激光器還用于形成所述至少一個凹陷部(18)。
    8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中沉積所述導電層的步驟是通過噴墨打印或噴涂進行的。
    9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述導電層(20a、
    10.一種三維(3d)電子組件(10a、10b、10c)，包括嵌入固體聚合物材料(16...
                            
    
                            
    【專利技術屬性】
    
                                技術研發人員：張銘宏，A·P·斯塔尼克，黃威博，M·賴恩施泰特，C·斯特恩基克，吳暉賢，
    
        申請(專利權)人：賀利氏電子有限兩合公司，
    
        類型：發明
    
        國別省市：
    
                            
    
                            
                        
    
                    
    
                    
                    
                     
                
    
                
                
    
                    
    
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