【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及一種基底處理設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、當(dāng)制造半導(dǎo)體裝置或顯示裝置時(shí)，執(zhí)行諸如攝影、蝕刻、灰化、離子注入和薄膜沉積的各種工藝。蝕刻是去除形成于基底上的膜的工藝，并且清潔工藝是去除殘留在基底的表面上的污染物的工藝。根據(jù)工藝進(jìn)展將蝕刻/清潔工藝分為濕法和干法，并且將濕法分為間歇型和旋轉(zhuǎn)型。在旋轉(zhuǎn)型方法中，將基底固定到能夠?qū)蝹€(gè)基底進(jìn)行處理的支撐模塊，并且此后在基底旋轉(zhuǎn)的同時(shí)通過噴嘴將化學(xué)物質(zhì)供應(yīng)到基底以便使得通過離心力將化學(xué)物質(zhì)涂布在基底的整個(gè)表面。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開提供了一種能夠通過捕獲散射在基底上的液滴來防止基底的污染的基底處理設(shè)備。
2、另外，本公開要解決的問題不限于上述問題，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從以下描述清楚地理解其它問題。
3、附加方面將在接下來的描述中部分地闡述，并且部分地從該描述將顯而易見，或者可以通過實(shí)施本公開所呈現(xiàn)的實(shí)施例而獲知。
4、根據(jù)本公開的實(shí)施例，一種基底處理設(shè)備包括：支撐單元，被配置為支撐基底并且是可旋轉(zhuǎn)的；化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴，被配置為向基底的化學(xué)液體供應(yīng)區(qū)域供應(yīng)化學(xué)液體；收集杯，被配置為提供用于收集化學(xué)液體的空間；以及充電單元，被設(shè)置為與基底相鄰。充電單元被配置為捕獲與基底碰撞并散射的化學(xué)液體的液滴，并且充電單元被充有與化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
5、充電單元被布置為在垂直于支撐單元的水平方向上與收集杯間隔開。當(dāng)化學(xué)液體具有正電荷時(shí)，充電單元被充有負(fù)電荷，并且當(dāng)化學(xué)液體具有負(fù)電荷時(shí)，充電單元被充有
6、充電單元包括：第一主體，在垂直于基底的垂直方向上延伸；第二主體，連接到第一主體并在相對(duì)于第一主體的傾斜方向上延伸；以及突出部，從第二主體朝向基底的上表面突出。
7、第一主體被布置為與支撐單元間隔開，并且第二主體的長(zhǎng)度小于第一主體的長(zhǎng)度。
8、充電單元被布置為不與基底垂直地重疊。
9、充電單元包括第一充電單元和第二充電單元，第二充電單元被布置為在垂直于支撐單元的水平方向上與第一充電單元間隔開。第一充電單元被布置為針對(duì)基底與第二充電單元對(duì)稱。第一充電單元包括：第一主體，在垂直于基底的垂直方向上延伸；第二主體，連接到第一主體并且在相對(duì)于第一主體的傾斜方向上延伸；以及第一突出部，從第二主體朝向基底的上表面突出。第二充電單元包括：第三主體，在垂直于基底的垂直方向上延伸；第四主體，連接到第三主體并且在相對(duì)于第三主體的傾斜方向上延伸；以及第二突出部，從第四主體朝向基底的上表面突出。
10、第一充電單元和第二充電單元之中的至少一個(gè)充電單元被充有與化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
11、收集杯包括導(dǎo)電構(gòu)件，并且被充有與化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
12、充電單元與收集杯接觸，并且充電單元包括被布置成在垂直于基底的垂直方向上與基底間隔開的多個(gè)環(huán)形構(gòu)件。
13、充電單元包括第一環(huán)形構(gòu)件和第二環(huán)形構(gòu)件，并且第一環(huán)形構(gòu)件和第二環(huán)形構(gòu)件中的每一個(gè)的中心與基底的中心重合。
14、第一環(huán)形構(gòu)件的直徑大于基底的直徑，并且第二環(huán)形構(gòu)件的直徑大于第一環(huán)形構(gòu)件的直徑。
15、充電單元具有環(huán)形形狀，并且充電單元的寬度在遠(yuǎn)離基底的方向上減小。
16、充電單元包括布置在充電單元的外周表面上的多個(gè)孔，并且多個(gè)孔以矩陣形式布置在外周表面中。
17、根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，基底處理設(shè)備包括：外殼，被配置為提供處理空間；支撐單元，具有用于在處理空間中支撐基底的下表面的卡盤以及被形成為接觸基底的橫向表面的卡盤銷，支撐單元在垂直于外殼的底表面的垂直方向上延伸；化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴，被配置為將化學(xué)液體供應(yīng)到基底的化學(xué)液體供應(yīng)區(qū)域；充電單元，被設(shè)置為與基底相鄰；收集杯，被設(shè)置為在外殼內(nèi)并且被配置為收集化學(xué)液體；以及控制器，被配置為控制化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴、充電單元和支撐單元。充電單元與收集杯接觸，充電單元被設(shè)置為在垂直方向上與基底間隔開并且充電單元具有環(huán)形形狀。
18、化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴在基底上在垂直于垂直方向的水平方向上移動(dòng)，并且當(dāng)化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴設(shè)置在基底的中心軸上時(shí)充電單元接地。
19、充電單元包括彼此間隔開的第一環(huán)形構(gòu)件和第二環(huán)形構(gòu)件，第一環(huán)形構(gòu)件的直徑和第二環(huán)形構(gòu)件的直徑大于基底的直徑，并且第一環(huán)形構(gòu)件的直徑小于第二環(huán)形構(gòu)件的直徑。
20、充電單元的寬度在垂直方向上在遠(yuǎn)離基底的方向上減小，充電單元包括多個(gè)孔，并且多個(gè)孔以矩陣形式布置在充電單元的外周表面中。
21、根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，基底處理設(shè)備包括：外殼，被配置為提供處理空間；支撐單元，具有用于在處理空間中支撐基底的下表面的卡盤以及被形成為接觸基底的橫向表面的卡盤銷，支撐單元在垂直于外殼的底表面的垂直方向上延伸；化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴，被配置為將化學(xué)液體供應(yīng)到基底的化學(xué)液體供應(yīng)區(qū)域；充電單元，被設(shè)置為與基底相鄰；收集杯，設(shè)置在外殼內(nèi)并且被配置為收集化學(xué)液體；以及控制器，被配置為控制化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴、充電單元和支撐單元。充電單元被設(shè)置為在垂直方向上與基底間隔開，并且具有環(huán)形形狀。當(dāng)化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴被設(shè)置在基底的橫向表面上時(shí)，充電單元被充有與化學(xué)液體相反的電荷，并且當(dāng)化學(xué)液體供應(yīng)噴嘴被設(shè)置在基底的中心軸上時(shí)，充電單元接地。
22、充電單元和收集杯被充有相同類型的電荷。
23、充電單元包括第一環(huán)形構(gòu)件和第二環(huán)形構(gòu)件，第一環(huán)形構(gòu)件和第二環(huán)形構(gòu)件中的每一個(gè)的中心與基底的中心重合，第一環(huán)形構(gòu)件的直徑大于基底的直徑，并且第二環(huán)形構(gòu)件的直徑大于第一環(huán)形構(gòu)件的直徑。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基底處理設(shè)備，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基底處理設(shè)備，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元被布置為不與所述基底垂直地重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基底處理設(shè)備，其中，所述第一充電單元和所述第二充電單元之中的至少一個(gè)充電單元被充有與所述化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，所述收集杯包括導(dǎo)電構(gòu)件，并且被充有與所述化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元與所述收集杯接觸，并且所述充電單元包括被布置成在垂直于所述基底的垂直方向上與所述基底間隔開的多個(gè)環(huán)形構(gòu)件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基底處理設(shè)備，其中，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基底處理設(shè)備，其中，
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基底處理設(shè)備，其中，
14.一種基底處理設(shè)備，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基底處理設(shè)備，其中，
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基底處理設(shè)備，其中，
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基底處理設(shè)備，其中，
18.一種基底處理設(shè)備，包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元和所述收集杯被充有相同類型的電荷。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底處理設(shè)備，其中，
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種基底處理設(shè)備，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基底處理設(shè)備，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元被布置為不與所述基底垂直地重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基底處理設(shè)備，其中，所述第一充電單元和所述第二充電單元之中的至少一個(gè)充電單元被充有與所述化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，所述收集杯包括導(dǎo)電構(gòu)件，并且被充有與所述化學(xué)液體的電荷相反的電荷。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理設(shè)備，其中，所述充電單元與所述收集杯接觸，并且所述充電單元...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韓泳遵，張奎煥，禹朱夏，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：細(xì)美事有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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