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    一種甲基磺酸銦溶液制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:44457130 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-02-28 19:04
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種甲基磺酸銦溶液制備方法,通過將金屬銦條制備成高比表面積金屬銦碎屑,然后將高比表面積金屬銦碎屑與甲基磺酸合成甲基磺酸銦反應(yīng)料液,甲基磺酸銦反應(yīng)料液經(jīng)過濾、濃縮、結(jié)晶、離心分離得到甲基磺酸銦結(jié)晶,最后將甲基磺酸銦結(jié)晶加入到去離子水調(diào)配成調(diào)配成銦離子含量120~200g/L、游離甲基磺酸30~50g/L的甲基磺酸銦溶液,可填補國內(nèi)制備甲基磺酸銦溶液的技術(shù)空白,制備的甲基磺酸銦溶液純度高、質(zhì)量好、銦回收率高,能廣泛應(yīng)用于薄膜太陽能電池、半導(dǎo)體晶圓金屬基板、電子電路板特殊焊接層等領(lǐng)域,生產(chǎn)成本低,市場前景大。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及一種甲基磺酸銦溶液制備方法


    技術(shù)介紹

    1、銦是一種銀灰色、質(zhì)地極軟的易熔金屬,在地殼中的含量極低且很分散,屬于稀散金屬。銦具有熔點低、耐腐蝕、反射性好、可塑性和延展性強等特點,被稱為“合金的維生素”,被廣泛應(yīng)用于液晶顯示器、平板、電子半導(dǎo)體、太陽能光伏電池等行業(yè)。中國臺灣專利tw201804023a提供了一種銦電鍍組合物及其制備方法,其提供的銦電鍍組合物可用于半導(dǎo)體晶圓及其基板金屬層上,以提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性,這對半導(dǎo)體行業(yè)具有十分重要的意義,然而這篇專利中使用的甲基磺酸銦如何制備得到卻少有文獻報道,僅有一篇比利時學(xué)者ku?leuven在《物理化學(xué)與物理學(xué)》2020年第42期發(fā)的論文中提到可以用氧化銦與甲基磺酸合成甲基磺酸銦,目前國內(nèi)也未有生產(chǎn)甲基磺酸銦的廠家,目前電鍍行業(yè)所使用甲基磺酸銦均需從國外進口,存在價格高昂、訂貨周期長等問題。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、為了解決上述難題,本專利技術(shù)提供一種甲基磺酸銦溶液制備方法,包括以下步驟:

    2、制備高比表面積金屬銦碎屑:將銦含量大于99.99%的金屬銦條用去離子水清洗表面、晾干后加入不銹鋼鍋,加熱至160~180℃,將固態(tài)金屬銦條熔化成液體金屬銦,分批將液體金屬銦倒入盛有0~20℃去離子水的容器中,金屬銦液體遇冷爆炸成高比表面積金屬銦碎屑,撈出晾干備用;

    3、合成甲基磺酸銦:將高比表面積金屬銦碎屑加入反應(yīng)釜中,加入質(zhì)量濃度35~80%的甲基磺酸溶液,升溫至105~130℃,溫度過高會導(dǎo)致金屬銦碎屑熔化結(jié)塊降低反應(yīng)速度,保溫反應(yīng)合成甲基磺酸銦,冷卻,待反應(yīng)釜內(nèi)甲基磺酸銦料液密度為1.55~1.6g/ml,將甲基磺酸銦反應(yīng)料液轉(zhuǎn)出;制備甲基磺酸溶液方法為公知常識,向一定體積的水中加入一定質(zhì)量的純甲基磺酸攪拌即可得到甲基磺酸溶液,不再贅述;

    4、制備低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶:將甲基磺酸銦反應(yīng)料液過濾取濾液,將濾液濃縮、冷卻結(jié)晶,離心分離得到低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶;

    5、制備甲基磺酸銦溶液:邊攪拌邊將低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶緩慢加入到預(yù)先準備好的去離子水中,調(diào)配成銦離子含量120~200g/l、游離甲基磺酸30~50g/l?的甲基磺酸銦溶液。

    6、優(yōu)選的,制備高比表面積金屬銦碎屑過程中按照體積比1:2~6將熔化后的液體金屬銦倒入冷卻用的去離子水中。

    7、優(yōu)選的,在合成甲基磺酸銦過程中甲基磺酸質(zhì)量濃度為70%。

    8、優(yōu)選的,在合成甲基磺酸銦過程中按照固液比1g:1.0~1.6ml加入高比表面積金屬銦碎屑與甲基磺酸。

    9、優(yōu)選的,在合成甲基磺酸銦過程中溫度保持在120℃。

    10、優(yōu)選的,制備低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶過程中,采用真空減壓濃縮至可溶性固形物含量為55~65%時再冷卻結(jié)晶,其中真空度為30~60?mbar。

    11、優(yōu)選的,在制備低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶過程中,采用離心機分離,離心機轉(zhuǎn)速為2000~4000rmp。

    12、優(yōu)選的,離心機的分離時間為10~15min。

    13、優(yōu)選的,制備甲基磺酸銦溶液過程中,攪拌速度為200~400r/min。

    14、有益效果在于:本申請通過將金屬銦條制備成高比表面積金屬銦碎屑,然后將高比表面積金屬銦碎屑與甲基磺酸合成甲基磺酸銦反應(yīng)料液,甲基磺酸銦反應(yīng)料液經(jīng)過濾、濃縮、結(jié)晶、離心分離得到甲基磺酸銦結(jié)晶,最后將甲基磺酸銦結(jié)晶加入到去離子水調(diào)配成調(diào)配成銦離子含量120~200g/l、游離甲基磺酸30~50g/l?的甲基磺酸銦溶液,可填補國內(nèi)制備甲基磺酸銦溶液的技術(shù)空白,制備的甲基磺酸銦溶液純度高、質(zhì)量好、銦回收率高,能廣泛應(yīng)用于薄膜太陽能電池、半導(dǎo)體晶圓金屬基板、電子電路板特殊焊接層等領(lǐng)域,生產(chǎn)成本低,市場前景大。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,制備所述高比表面積金屬銦碎屑過程中按照體積比1:2~6將熔化后的液體金屬銦倒入冷卻用的去離子水中。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在合成所述甲基磺酸銦過程中甲基磺酸質(zhì)量濃度為70%。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在合成所述甲基磺酸銦過程中按照固液比1g:1.0~1.6ml加入高比表面積金屬銦碎屑與甲基磺酸。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在合成所述甲基磺酸銦過程中溫度保持在120℃。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,制備所述低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶過程中,采用真空減壓濃縮至可溶性固形物含量為55~65%時再冷卻結(jié)晶,其中真空度為30~60?mbar。

    7.據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在制備所述低游離酸甲基磺酸銦結(jié)晶過程中,采用離心機分離,離心機轉(zhuǎn)速為2000~4000rmp。

    8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,所述離心機的分離時間為10~15min。

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦的制備方法,其特征在于,制備所述甲基磺酸銦溶液過程中,攪拌速度為200~400r/min。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,制備所述高比表面積金屬銦碎屑過程中按照體積比1:2~6將熔化后的液體金屬銦倒入冷卻用的去離子水中。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在合成所述甲基磺酸銦過程中甲基磺酸質(zhì)量濃度為70%。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在合成所述甲基磺酸銦過程中按照固液比1g:1.0~1.6ml加入高比表面積金屬銦碎屑與甲基磺酸。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種甲基磺酸銦溶液制備方法,其特征在于,在合成所述甲基磺酸銦過程中溫度保持在...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:高東瑞黃佳輝張俊青李世鈺
    申請(專利權(quán))人:廣東臻鼎環(huán)境科技有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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