【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于蝕刻液，尤其涉及一種二氧化硅薄膜的蝕刻液。
技術介紹
1、二氧化硅作為一種僅含硅與氧兩種元素的環境友好材料具有易于合成、不含對環境有害元素的特點，同時由于二氧化硅還具有高電阻率、良好的介電強度、優良的化學與熱穩定性、低熱膨脹系數、易于調節的禁帶寬度、易于集成和良好的表面特性等特點，使其在電子器件、光學、太陽能電池、薄膜晶體管、絕緣體上硅技術、硅絕緣體cmos等領域中被廣泛使用。
2、有多種方式可以在基底表面生成二氧化硅薄膜。其原理主要分為兩種，一種是硅基底表面與氧氣或氧氣與水的混合物在高溫下反應生成二氧化硅薄膜(thox)，這種成膜方式為熱氧化法或熱氧法，通過這種方式產生的二氧化硅薄膜結構致密，均勻性和重復性較好，掩蔽能力強，可有效避免器件的劃傷與玷污。另一種是化學氣相沉積法沉積二氧化硅膜(teos)，利用四乙氧基硅烷在較高的溫度下自分解或與氧氣反應，在基底上沉積二氧化硅薄膜，此薄膜具有更好的臺階覆蓋能力和間隙填充特性，常用于摻雜阻擋或作為金屬層之間的介質層。
3、二氧化硅的蝕刻通常使用緩沖氧化蝕刻液（boe），其主要成分為氫氟酸，氟化銨和水以及少量的添加劑或改性劑。由于thox與teos工藝的差異，teos膜結構較為疏松，導致常規的boe對teos膜有更高的蝕刻速率。然而在某些特殊的半導體制作工藝中，需要同時蝕刻thox與teos兩種膜層，且需要對thox的蝕刻速率大于teos，而常規的boe難以實現以上功能。
技術實現思路
1、本專利技術針
2、為實現上述目的，本專利技術提供一種boe蝕刻液組合方案，具體是指由：
3、0.5%-5%的氫氟酸、20%-30%的氟化銨、超純水、0.01%-5%的硫醇化合物、以及0.0001%-0.1%的表面活性劑組成的混合物。
4、在上述方案中，所使用的氫氟酸是指質量分數為48%-50%的電子級氫氟酸溶液。
5、在上述方案中，所使用的氟化銨是指質量分數為39%-41%的電子級氟化銨溶液。
6、在上述方案中，所使用的超純水是指25℃下電阻率達18兆歐及以上的超純水。
7、在上述方案中，所使用的添加劑一是指包括:4-(吡啶-4-基)嘧啶-2-硫醇、吡硫醇、泛硫醇、仲丁硫醇、2-嘧啶硫醇在內的一硫醇或二硫醇化合物中的一種或幾種的組合。
8、在上述方案中，所使用的添加劑二是指包括:壬基酚聚氧丁烯醚甲基硅烷醇、十二烷基酚聚氧乙烯醚甲基硅烷醇、辛醇聚氧乙烯醚硫酸酯甲基硅烷醇、辛醇聚氧乙烯醚甲氧基硅烷醇、二甲基硅氧烷聚乙二醇甲基硅烷醇、聚氧丙烯醚甲基硅烷醇在內的硅烷醇類化合物中的一種或幾種的組合。
9、本專利技術的有益效果包括：
10、（1）上述蝕刻液以常規的boe蝕刻液為基礎。氫氟酸用于蝕刻氧化硅層，氟化銨用于維持氫氟酸濃度，穩定氧化膜蝕刻速率，低含量氫氟酸高含量氟化銨體系有利于降低氧化膜的蝕刻速率，有利于thox氧化膜選擇比的提高。
11、（2）上述蝕刻液中硫醇化合物的加入能有效抑制teos氧化膜的蝕刻。由于teos氧化膜為非晶態薄膜，即結構中晶格結構無序，使得teos氧化膜具有較多的表面缺陷和氧空位，導致teos氧化膜具有更多的si-oh吸附位點；thox氧化層具有更高的密度和較為有序的晶格結構，si-oh吸附位點較少。上述蝕刻液中的硫醇化合物在蝕刻過程中能大量吸附到teos氧化膜表面并形成保護膜，從而降低teos氧化膜的蝕刻速率，增加thox氧化膜選擇比。
12、（3）上述蝕刻液中的表面活性劑能有效降低蝕刻液的表面張力，增加蝕刻液的浸潤性，改善蝕刻均一性，提升蝕刻液在微小結構中的蝕刻效果。
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1.一種用于二氧化硅蝕刻的緩沖氧化蝕刻液，其特征在于，該緩沖氧化蝕刻液主要成分包括0.5%-5%的氫氟酸、20%-30%的氟化銨、超純水、0.01%-5%的硫醇化合物、以及0.0001%-0.1%的表面活性劑。
2.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的氫氟酸是指質量分數為48%-50%的電子級氫氟酸溶液。
3.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的氟化銨是指質量分數為39%-41%的電子級氟化銨溶液。
4.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的超純水是指25℃下電阻率達18兆歐及以上的超純水。
5.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用硫醇化合物是指包括4-(吡啶-4-基)嘧啶-2-硫醇、吡硫醇、泛硫醇、仲丁硫醇、2-嘧啶硫醇在內的一硫醇或二硫醇化合物中的一種或幾種的組合。
6.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的添加劑二是指包括壬基酚聚氧丁烯醚甲基硅烷醇、十二烷基酚聚氧乙烯醚甲基硅烷醇、辛醇聚氧乙烯醚硫酸酯甲基硅烷醇、
...【技術特征摘要】
1.一種用于二氧化硅蝕刻的緩沖氧化蝕刻液，其特征在于，該緩沖氧化蝕刻液主要成分包括0.5%-5%的氫氟酸、20%-30%的氟化銨、超純水、0.01%-5%的硫醇化合物、以及0.0001%-0.1%的表面活性劑。
2.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的氫氟酸是指質量分數為48%-50%的電子級氫氟酸溶液。
3.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的氟化銨是指質量分數為39%-41%的電子級氟化銨溶液。
4.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中使用的超純水是指2...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李少平，蒲帥，張庭，賀兆波，董攀飛，李金航，武昊冉，許真，楊翠翠，
申請(專利權)人：湖北興福電子材料股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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