【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于偏振探測，特別涉及一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法。
技術介紹
1、激光的圓偏振度探測需要采用對圓偏振光具有良好響應，而對線偏振光沒有良好響應的材料。然而，多數的材料都會同時對圓偏振光和線偏振光有響應，即會同時包含圓偏振光致電流(記為cpge)和線偏振光致電流(記為lpge)，從而無法實現激光的圓偏振度探測。因此，需要找到一種方法將材料的線偏振光致電流調為零或接近為零，同時cpge電流不為零，且背景電流(即偏振無關的電流)不會顯著增大，從而實現光的圓偏振度探測。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術不足，提供一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，即采用藍寶石襯底上生長的bi2te3/fe4gete2異質結薄膜作為偏振探測器件，通過外加張應力(記為exc)將該器件的線偏振響應調為零。將施加張應力exc時正負45度入射角下的總光電流與背景電流比值隨四分之一波片轉角作為校準數據，通過將待測激光在正負45度入射角下的總光電流與背景電流的比值與校準數據進行對比，獲得待測光的圓偏振度。
2、為實現上述目的，本專利技術的技術方案是：一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，采用藍寶石襯底上生長的bi2te3/fe4gete2異質結薄膜作為偏振探測器件，進行待測光的圓偏振度探測。
3、在本專利技術一實施例中，通過外加張應力exc將偏振探測器件的線偏振響應調為零，通過將待測光在正負45度入射角下的總光電流與背景電流的比值與校準數據
4、在本專利技術一實施例中，將施加張應力exc時正負45度入射角下的總光電流與背景電流比值隨四分之一波片轉角作為校準數據。
5、在本專利技術一實施例中，該方法包括如下步驟：
6、步驟s1、在bi2te3/fe4gete2異質結薄膜上蒸鍍厚度為80nm的一對金電極，電極形狀為邊長為0.5mm的正方形，電極間距為2.5mm；
7、步驟s2、將經步驟s1處理后的樣品安裝在真空杜瓦瓶，采用1064nm的激光作為激發光源，讓激光依次通過斬波器、起偏器、四分之一波片，以入射角45度照射在樣品上兩電極連線中點的位置；光斑直徑小于兩電極間距；
8、步驟s3、從0度到360度轉動四分之一波片，以5度為一個步長，將每一個四分之一波片角度下的光電流通過電流放大器和鎖相放大器進行放大，并通過數據采集卡采集電流；用公式(1)對采集到的光電流進行擬合：
9、
10、其中，是四分之一波片的轉角，itotal是測得的總光電流，jcpge是圓偏振光引起的圓偏振光電流信號，l1和l2是線偏振光引起的線偏振光電流信號，y0是由熱電效應和光伏效應引起的背景光電流；
11、步驟s4、將bi2te3/fe4gete2異質結薄膜頂彎，施加沿樣品表面的張應力ex；在不同的張應力ex下，重復步驟s3，測得不同應力下的圓偏振光電流信號jcpge、線偏振光電流信號l1和l2，并找到使得線偏振光電流信號接近于零，同時圓偏振光電流信號jcpge不為零的張應力值exc；
12、步驟s5、對bi2te3/fe4gete2異質結薄膜施加張應力值exc，分別在入射角±45度下，重復步驟s3測得不同激光功率下總光電流itotal隨四分之一波片轉角的關系曲線，并通過公式(1)擬合得到在±45度入射角下不同光功率下的背景光電流y0，即測得在±45度入射角下正負背景光電流y0隨光功率的變化曲線，記為將不同四分之一波片轉角下itotal除以y0得到itotal/y0隨四分之一波片轉角的關系曲線，作為校準數據，記為
13、步驟s6、在激光垂直入射的情況下，測得不同激光功率下的bi2te3/fe4gete2異質結薄膜的光電導，得到bi2te3/fe4gete2異質結薄膜的光電導隨光功率的變化曲線q1；
14、步驟s7、將待測圓偏振度的激光垂直照射在bi2te3/fe4gete2異質結薄膜上，測量產生的光電導，將這個測得光電導數據與步驟s6獲得的光電導隨光功率的變化曲線q1進行比對，獲得待測激光的光功率p1；
15、步驟s8、從步驟s5中測得的背景光電流y0隨光功率的變化曲線中找到在±45度入射角光功率p1對應的背景電流y0，分別記為和
16、步驟s9、對bi2te3/fe4gete2異質結薄膜施加張應力值exc，分別在入射角±45度下，測得bi2te3/fe4gete2異質結薄膜在待測激光照射下產生的光電流itotal，分別記為和將除以步驟s8中獲得的入射角45度下的背景電流得到45度入射角下的將除以步驟s8中獲得的入射角-45度下的背景電流得到-45度入射角下的
17、
18、步驟s10、根據步驟s5測得的激光入射角分別為±45度下的隨四分之一波片轉角的數據畫出±45度入射角下，隨四分之一波片轉角的變化曲線；然后將步驟s9測得的45度入射角下的和-45度入射角下的也畫在該圖上，此時45度入射角下的和-45度入射角下的為兩條平行的直線；記與45度入射角下隨四分之一波片轉角的變化曲線的交點對應的四分之一波片轉角分別是a1、a2、a3、a4，記與-45度入射角下隨四分之一波片轉角的變化曲線的交點對應的四分之一波片轉角分別是b1、b2、b3、b4，其中a1、a2、a3、a4將會有一個值與b1、b2、b3、b4中的一個值相等，記這個值為即為待測激光的圓偏振度。
19、在本專利技術一實施例中，步驟s1中用電子束蒸發技術在bi2te3/fe4gete2異質結薄膜上蒸鍍80nm金電極。
20、在本專利技術一實施例中，步驟s4中用應力裝置將bi2te3/fe4gete2異質結薄膜頂彎。
21、在本專利技術一實施例中，步驟s5中用應力裝置對bi2te3/fe4gete2異質結薄膜施加張應力值exc。
22、在本專利技術一實施例中，步驟s9中用應力裝置對bi2te3/fe4gete2異質結薄膜施加張應力值exc。
23、在本專利技術一實施例中，步驟s1中bi2te3/fe4gete2異質結薄膜中bi2te3厚度是8nm。
24、在本專利技術一實施例中，步驟s1中bi2te3/fe4gete2異質結薄膜中fe4gete2厚度是5nm。
25、相較于現有技術，本專利技術具有以下有益效果：本專利技術能夠實現待測光的圓偏振度的測量，且測量結果準確，簡潔高效，可行性高，有利于日后推廣應用。
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1.一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，采用藍寶石襯底上生長的Bi2Te3/Fe4GeTe2異質結薄膜作為偏振探測器件，進行待測光的圓偏振度探測。
2.根據權利要求1所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，通過外加張應力exc將偏振探測器件的線偏振響應調為零，通過將待測光在正負45度入射角下的總光電流與背景電流的比值與校準數據進行對比，獲得待測光的圓偏振度。
3.根據權利要求2所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，將施加張應力exc時正負45度入射角下的總光電流與背景電流比值隨四分之一波片轉角作為校準數據。
4.根據權利要求1-3任一所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
5.根據權利要求4所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，步驟S1中用電子束蒸發技術在Bi2Te3/Fe4GeTe2異質結薄膜上蒸鍍80nm金電極。
6.根據權利要求4所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特
7.根據權利要求4所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，步驟S5中用應力裝置對Bi2Te3/Fe4GeTe2異質結薄膜施加張應力值exc。
8.根據權利要求4所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，步驟S9中用應力裝置對Bi2Te3/Fe4GeTe2異質結薄膜施加張應力值exc。
9.根據權利要求1所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，步驟S1中Bi2Te3/Fe4GeTe2異質結薄膜中Bi2Te3厚度是8nm。
10.根據權利要求1所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，步驟S1中Bi2Te3/Fe4GeTe2異質結薄膜中Fe4GeTe2厚度是5nm。
...【技術特征摘要】
1.一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，采用藍寶石襯底上生長的bi2te3/fe4gete2異質結薄膜作為偏振探測器件，進行待測光的圓偏振度探測。
2.根據權利要求1所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，通過外加張應力exc將偏振探測器件的線偏振響應調為零，通過將待測光在正負45度入射角下的總光電流與背景電流的比值與校準數據進行對比，獲得待測光的圓偏振度。
3.根據權利要求2所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，將施加張應力exc時正負45度入射角下的總光電流與背景電流比值隨四分之一波片轉角作為校準數據。
4.根據權利要求1-3任一所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
5.根據權利要求4所述的一種通過應力調控實現光的圓偏振度探測的方法，其特征在于，步驟s1中用電子束蒸發技術在bi2te3/fe4gete2異質結薄膜...
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