【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及單晶硅片制樣，具體而言，涉及一種單晶硅片制樣工藝及制樣設備。
技術介紹
1、在現(xiàn)有技術中，硅片氧碳片制樣主要依賴人工操作，采用金剛筆敲片的方式進行制樣，并使用人工金剛筆刻制樣號，最后通過人工酸洗樣片。
2、現(xiàn)有技術存在的缺點如下：
3、1.人工取樣方式制樣，耗時較長，通常需要1.5小時左右，導致工作效率較低。
4、2.樣片的搬運需要人工轉運至加工處進行加工，增加了額外的人力成本和管理難度。
5、3.由于大量在制品的存在，導致機加工現(xiàn)場的產(chǎn)能顯著下降，產(chǎn)能損失達到50％。
6、4.酸洗工藝依賴人工處理，不僅增加了酸洗成本，還造成了人員工時的浪費。
7、綜上所述，現(xiàn)有的硅片氧碳片制樣方法存在諸多不足之處，亟需改進以提高生產(chǎn)效率和降低成本。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的在于提供一種單晶硅片制樣工藝，其提出一種創(chuàng)新性的制樣工藝而能夠代替酸洗工藝，減少人工，減少成本，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)能。
2、本專利技術的另一目的在于提供一種制樣設備，其能夠代替酸洗工藝，減少人工，減少成本，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)能。
3、本專利技術的技術方案是這樣實現(xiàn)的：
4、一種單晶硅片制樣工藝，包括以下步驟：
5、s1、上料：由人工或上料機械手將單晶硅片原片上料至指定位置；
6、s2、識別：通過視覺識別系統(tǒng)識別出單晶硅片原片的條形碼信息；
7、s3、切割和打標：通過
8、s4、研磨：將粗樣傳送至研磨裝置，研磨裝置對粗樣兩面研磨而制成樣片；
9、s5、收集：將制作好的樣片統(tǒng)一收集。
10、進一步地，在所述s3步驟中，所述設定尺寸為50mm×50mm。
11、一種應用于所述的單晶硅片制樣工藝的制樣設備，包括：
12、機架，作為支撐主體；
13、定位架，設置于機架上，所述定位架上具有用于放置單晶硅片的定位儲放位；
14、第一輸送機構，設置于機架；
15、取料機構，設置于所述第一輸送機構上，所述取料機構通過所述第一輸送機構能夠在x向、y向和z向上移動，所述取料機構用于吸取或夾取單晶硅片；
16、視覺識別系統(tǒng)，設置于所述取料機構上，用于識別所述定位架上放置的單晶硅片的條形碼信息；
17、第二輸送機構，設置于機架；
18、切割打標吸盤，設置于所述第二輸送機構上，所述切割打標吸盤用于吸附其頂部所放置單晶硅片，所述第二輸送機構能夠帶動所述切割打標吸盤在x向和y向上平移；
19、切割裝置，設置于所述機架，用于對所述切割打標吸盤上所放置的單晶硅片進行切割操作；
20、打標裝置，設置于所述機架，用于對所述切割打標吸盤上所放置的單晶硅片進行賦碼操作；
21、粗樣下料架，設置于所述機架，所述粗樣下料架上具有用于放置粗樣的粗樣儲放位。
22、進一步地，所述第一輸送機構包括第一x向直線模組、第一y向直線模組和第一z向直線模組；
23、所述第一y向直線模組安裝于所述機架，所述第一x向直線模組安裝于所述第一y向直線模組，所述第一z向直線模組設置于所述第一x向直線模組上，所述第一y向直線模組用于帶動所述第一x向直線模組沿y向平移，所述第一x向直線模組用于帶動所述第一z向直線模組沿x向平移；
24、或者，所述第一x向直線模組安裝于所述機架，所述第一y向直線模組安裝于所述第一x向直線模組，所述第一z向直線模組設置于所述第一y向直線模組上，所述第一x向直線模組用于帶動所述第一y向直線模組沿x向平移，所述第一y向直線模組用于帶動所述第一z向直線模組沿y向平移。
25、進一步地，所述第二輸送機構包括第二x向直線模組和第二y向直線模組；
26、所述第二x向直線模組安裝于所述機架，所述第二y向直線模組安裝于所述第二x向直線模組，所述第二y向直線模組上安裝所述切割打標吸盤；
27、或者，所述第二y向直線模組安裝于所述機架，所述第二x向直線模組安裝于所述第二y向直線模組，所述第二x向直線模組上安裝所述切割打標吸盤。
28、進一步地，所述切割裝置包括激光切割器和第二z向直線模組，所述激光切割器通過所述第二z向直線模組安裝于所述機架，且所述第二z向直線模組能夠帶動所述激光切割器在z向上升降。
29、進一步地，所述打標裝置包括激光打標器和第三z向直線模組，所述激光打標器通過所述第三z向直線模組安裝于所述機架，且所述第三z向直線模組能夠帶動所述激光打標器在z向上升降。
30、進一步地，還包括余料下料架，設置于所述機架，所述余料下料架具有用于放置余料的余料儲放位。
31、進一步地，還包括上料架，設置于機架上，所述上料架上具有用于放置單晶硅片的上料儲放位。
32、進一步地，還包括設置于機架上的研磨裝置和研磨架，所述研磨架上具有用于放置待研磨粗樣的研磨工位，所述研磨裝置輸出端的研磨頭與所述研磨工位對應設置，所述研磨裝置用于對粗樣進行打磨而制成樣片。
33、相比于現(xiàn)有技術而言，本專利技術的有益效果是：
34、本申請?zhí)岢鲆环N創(chuàng)新方案，利用視覺識別系統(tǒng)識別出單晶硅片原片的條形碼信息，然后通過切割裝置、打標裝置分別對其切割和賦碼而制成粗樣(粗樣品)，再通過研磨設備將粗樣兩面研磨而制成最終的樣品，這種創(chuàng)新性的工藝利用水洗研磨拋光替代酸洗工藝，不僅氧碳含量檢測數(shù)據(jù)均值差異在±5％內，能夠達到品質檢測要求，而且減少了人工，降低了成本，能夠提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)能。
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1.一種單晶硅片制樣工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅片制樣工藝，其特征在于，在步驟S3中，所述設定尺寸為50mm×50mm。
3.一種制樣設備，應用于權利要求1-2中任一項所述的單晶硅片制樣工藝，其特征在于，包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述第一輸送機構(4)包括第一X向直線模組(402)、第一Y向直線模組(401)和第一Z向直線模組(403)；
5.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述第二輸送機構(7)包括第二X向直線模組(702)和第二Y向直線模組(701)；
6.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述切割裝置(9)包括激光切割器(901)和第二Z向直線模組(902)，所述激光切割器(901)通過所述第二Z向直線模組(902)安裝于所述機架(1)，且所述第二Z向直線模組(902)能夠帶動所述激光切割器(901)在Z向上升降。
7.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述打標裝置(10)包括激光打標器(1001)和第三Z向直線模
8.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，還包括余料下料架(12)，設置于所述機架(1)，所述余料下料架(12)具有用于放置余料的余料儲放位。
9.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，還包括上料架(2)，設置于機架(1)上，所述上料架(2)上具有用于放置單晶硅片的上料儲放位。
10.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，還包括設置于機架(1)上的研磨裝置和研磨架，所述研磨架上具有用于放置待研磨粗樣的研磨工位，所述研磨裝置輸出端的研磨頭與所述研磨工位對應設置，所述研磨裝置用于對粗樣進行打磨而制成樣片。
...【技術特征摘要】
1.一種單晶硅片制樣工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅片制樣工藝，其特征在于，在步驟s3中，所述設定尺寸為50mm×50mm。
3.一種制樣設備，應用于權利要求1-2中任一項所述的單晶硅片制樣工藝，其特征在于，包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述第一輸送機構(4)包括第一x向直線模組(402)、第一y向直線模組(401)和第一z向直線模組(403)；
5.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述第二輸送機構(7)包括第二x向直線模組(702)和第二y向直線模組(701)；
6.根據(jù)權利要求3所述的制樣設備，其特征在于，所述切割裝置(9)包括激光切割器(901)和第二z向直線模組(902)，所述激光切割器(901)通過所述第二z向直線模組(902)安裝于所述機架(1)，且所述第二z向直線模組(902)能夠帶動所述激光切割器(901)在z向上...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：梅校源，朱文軒，皇甫亞楠，武輝，付明全，
申請(專利權)人：四川高景太陽能科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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