【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體芯片制造工藝的不斷發(fā)展，電路的集成度不斷提高，電子元器件的耐壓能力則隨之降低，靜電放電(electrostatic?discharge，esd)對芯片的危害愈發(fā)顯著。因此，需要對芯片進行靜電保護，常用的方法為在芯片中設(shè)置靜電保護電路。
2、然而，隨著對半導(dǎo)體芯片集成度的要求不斷提升，如何設(shè)置靜電保護電路來改善靜電放電對半導(dǎo)體芯片的損壞成為亟待解決的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本公開實施例為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一個問題而提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器系統(tǒng)。
2、為達到上述目的，本公開實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：
3、第一方面，本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括有源層、靜電保護結(jié)構(gòu)、位于所述有源層上的焊盤；其中，
4、所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括至少一個晶體管結(jié)構(gòu)，所述晶體管結(jié)構(gòu)包括柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述有源層中的且沿第一方向排布的第一電極區(qū)、溝道區(qū)、第二電極區(qū)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述溝道區(qū)上；所述第一方向與第二方向垂直；所述第二方向為所述有源層的厚度方向；
5、所述焊盤與所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)或者第二電極區(qū)連接。
6、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
7、位于所述有源層上的電源線和接地線，且所述電源線和所述接地線分別位于所述焊盤沿所述第一方向相對的兩側(cè)。
8、在一種可選
9、所述晶體管結(jié)構(gòu)位于所述電源線與所述焊盤之間，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)與所述電源線連接，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)與所述焊盤連接；
10、或者，
11、所述晶體管結(jié)構(gòu)位于所述焊盤與所述接地線之間，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)與所述焊盤連接，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)與所述接地線連接。
12、在一種可選的實施方式中，所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括多個所述晶體管結(jié)構(gòu)，所述多個晶體管結(jié)構(gòu)串聯(lián)且沿所述第一方向排布；所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向相對的第一末端和第二末端，所述第一末端靠近所述電源線，所述第二末端靠近所述接地線；
13、所述靜電保護結(jié)構(gòu)位于所述電源線與所述接地線之間；位于所述第一末端的晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)與所述電源線連接；位于所述第二末端的晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)與所述接地線連接；所述焊盤與所述靜電保護結(jié)構(gòu)中最靠近所述焊盤的兩個晶體管結(jié)構(gòu)中靠近所述接地線的晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)連接，另一個晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)連接；
14、或者，
15、所述靜電保護結(jié)構(gòu)位于所述焊盤與所述接地線之間；位于所述第一末端的晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)與所述焊盤連接；位于所述第二末端的晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)與所述接地線連接；
16、或者，
17、所述靜電保護結(jié)構(gòu)位于所述電源線與所述焊盤之間；位于所述第一末端的晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)與所述電源線連接；位于所述第二末端的晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)與所述焊盤連接。
18、在一種可選的實施方式中，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和與所述晶體管結(jié)構(gòu)相鄰的兩個晶體管結(jié)構(gòu)中更靠近所述電源線的晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)共用；
19、所述晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)和與所述晶體管結(jié)構(gòu)相鄰的兩個晶體管結(jié)構(gòu)中更靠近所述接地線的晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)共用。
20、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
21、位于所述有源層上的導(dǎo)電線；所述導(dǎo)電線在所述第一方向上位于所述焊盤與所述電源線之間和/或位于所述焊盤與所述接地線之間；所述導(dǎo)電線與一個所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)連接。
22、在一種可選的實施方式中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極層以及介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
23、位于所述有源層上的隔離層；所述介質(zhì)層位于所述隔離層與所述有源層之間，所述柵極層位于所述隔離層中；所述焊盤、所述電源線和所述接地線均位于所述隔離層上。
24、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
25、沿所述第二方向貫穿所述介質(zhì)層和所述隔離層的多個第一接觸結(jié)構(gòu)；所述第一接觸結(jié)構(gòu)沿所述第二方向的兩端中的一端與所述第一電極區(qū)或者所述第二電極區(qū)連接，所述第一接觸結(jié)構(gòu)沿所述第二方向的兩端中的另一端與所述焊盤、所述電源線和所述接地線中的一者連接。
26、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個有源層，每個所述有源層均沿所述第一方向延伸；
27、所述焊盤位于所述多個有源層上；每個所述有源層上均有至少一個所述晶體管結(jié)構(gòu)。
28、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
29、位于所述有源層沿所述第二方向相對的兩側(cè)中遠離所述焊盤一側(cè)的堆疊結(jié)構(gòu)；
30、沿所述第二方向延伸并貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的多個溝道結(jié)構(gòu)；所述溝道結(jié)構(gòu)與所述有源層連接。
31、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
32、外圍電路部分，所述外圍電路部分位于所述堆疊結(jié)構(gòu)沿所述第二方向相對的兩側(cè)中遠離所述焊盤的一側(cè)。
33、第二方面，本公開實施例提供一種存儲器系統(tǒng)，包括：
34、至少一個前述任一實施方式所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
35、控制器，與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)耦接且被配置為控制所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
36、第三方面，本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：
37、提供有源層；
38、在所述有源層上形成焊盤，并形成靜電保護結(jié)構(gòu)；所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括至少一個晶體管結(jié)構(gòu)，所述晶體管結(jié)構(gòu)包括柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述有源層中且沿第一方向排布的第一電極區(qū)、溝道區(qū)、第二電極區(qū)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述溝道區(qū)上；所述焊盤與所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)或者第二電極區(qū)連接；所述第一方向與第二方向垂直；所述第二方向為所述有源層的厚度方向。
39、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
40、在所述有源層上形成電源線和接地線；所述電源線和所述接地線分別位于所述焊盤沿所述第一方向相對的兩側(cè)。
41、在一種可選的實施方式中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
42、在所述有源層上形成導(dǎo)電線；所述導(dǎo)電線在所述第一方向上位于所述焊盤與所述電源線之間和/或位于所述焊盤與所述接地線之間；每個所述導(dǎo)電線與一個所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)連接。
43、在一種可選的實施方式中，所述形成靜電保護結(jié)構(gòu)，包括：
44、在所述有源層上形成介質(zhì)層和隔離層；所述介質(zhì)層位于所述隔離層與所述有源層之間；
45、在所述隔離層中形成柵極層；所述柵極層和所述介質(zhì)層構(gòu)成所述柵極結(jié)構(gòu)。
46、在一種可選的實本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有源層、靜電保護結(jié)構(gòu)、位于所述有源層上的焊盤；其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括一個所述晶體管結(jié)構(gòu)；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括多個所述晶體管結(jié)構(gòu)，所述多個晶體管結(jié)構(gòu)串聯(lián)且沿所述第一方向排布；所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向相對的第一末端和第二末端，所述第一末端靠近所述電源線，所述第二末端靠近所述接地線；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和與所述晶體管結(jié)構(gòu)相鄰的兩個晶體管結(jié)構(gòu)中更靠近所述電源線的晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)共用；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極層以及介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個有源層，每個所述有源層均沿所述第一方向延伸；
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
12.一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于，包括：
13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述形成靜電保護結(jié)構(gòu)，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有源層、靜電保護結(jié)構(gòu)、位于所述有源層上的焊盤；其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括一個所述晶體管結(jié)構(gòu)；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括多個所述晶體管結(jié)構(gòu)，所述多個晶體管結(jié)構(gòu)串聯(lián)且沿所述第一方向排布；所述靜電保護結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向相對的第一末端和第二末端，所述第一末端靠近所述電源線，所述第二末端靠近所述接地線；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶體管結(jié)構(gòu)的第一電極區(qū)和與所述晶體管結(jié)構(gòu)相鄰的兩個晶體管結(jié)構(gòu)中更靠近所述電源線的晶體管結(jié)構(gòu)的第二電極區(qū)共用；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極層以及介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳啟，漆林，
申請(專利權(quán))人：長江存儲科技有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。