【技術實現步驟摘要】
本申請涉及硅通孔，尤其涉及一種芯片、芯片堆疊封裝及電子設備。
技術介紹
1、tsv(through?silicon?via，硅通孔)是先進封裝工藝的重要一環，由于tsv的存在，使得多個芯片在垂直方向上進行堆疊成為可能，芯片之間的垂直通信則帶來了高密度集成、高電性、多種功能集成等優勢。當前，越來越多的cpu(central?processing?unit，中央處理器)、gpu(graphics?processing?unit，圖形處理器)和存儲器開始使用tsv技術來實現高效能運算、人工智能等需求。
2、tsv工藝的關鍵點之一則是通孔的形成工藝。tsv通孔加工技術主要使用干法刻蝕在晶圓上形成高深寬比的通孔，為了tsv通孔刻蝕工藝的順利進行，在芯片設計時，tsv區域應無金屬、無high?k(高介電常數)、無離子注入(implant)等，以確保tsv區域凈空。然而，在先進工藝制程中，一些如aln等難刻蝕的膜層，采用目前的2d(dimensional)工藝無法實現tsv區域如此大塊面積的凈空。
3、因此，在無法確保tsv區域凈空效果的情況下，如何在難刻蝕材料的干擾下制作出可靠的tsv結構，就成了亟需解決的問題。
技術實現思路
1、本申請提供一種芯片、芯片堆疊封裝及電子設備，能夠避免難刻蝕材料對tsv的干擾，并保證tsv的可靠性。
2、本申請提供一種芯片，該芯片包括硅基板、第一刻蝕停止層、第一金屬連接盤、第二金屬連接盤、一個或多個第一硅通孔、一個或多個第一垂
3、在上述芯片中，通過在第一刻蝕停止層的上下分別設置第一金屬連接盤和第二金屬連接盤，并將兩個金屬連接盤通過多個第一金屬過孔進行連接形成中間連接結構，在此情況下，無需對tsv區域的第一刻蝕停止層進行大面積凈空，只需要將tsv分成兩段，也即第一硅通孔和第一垂直連接結構，并將第一硅通孔和第一垂直連接結構通過中間連接結構進行連接，從而形成貫穿整個芯片的新型tsv結構。這樣一來，避免了因第一刻蝕停止層無法大面積凈空對制作tsv的干擾，并且還能夠保證tsv結構的可靠性。
4、在一些可能實現的方式中，第一刻蝕停止層中包括金屬氮化物、金屬氧化物中的至少一種。
5、在一些可能實現的方式中，第一刻蝕停止層中包括aln。
6、在一些可能實現的方式中，芯片包括：位于后道工序的第一金屬走線層、第二金屬走線層和第一過孔層，第二金屬走線層通過第一過孔層中的多個過孔與第一金屬走線層連接。第一連接盤與第一金屬走線層同層設置，第二金屬連接盤與第二金屬走線層同層設置；多個第一金屬過孔與第一過孔層中的多個過孔與同層設置。這樣一來，第一金屬連接盤與第一金屬走線層通過同一次制作工藝制作而成，第二金屬連接盤與第二金屬走線層通過同一次制作工藝制作而成，第一金屬過孔與第一過孔層中的金屬過孔通過同一次制作工藝制作而成，從而可以達到簡化工藝，降低制作難度，節省制作成本的目的。
7、在一些可能實現的方式中，上述多個第一金屬過孔的孔徑與第一過孔層中的多個過孔的孔徑相同。
8、在一些可能實現的方式中，第一金屬連接盤和第二金屬連接盤為網狀結構。
9、在一些可能實現的方式中，上述芯片包括位于后道工序的多個金屬走線層，第一金屬走線層為多個金屬走線層中最靠近硅基板的一個。
10、在一些可能實現的方式中，第一垂直連接結構包括采用中通孔工藝制作的金屬通孔。
11、在一些可能實現的方式中，第一垂直連接結構包括采用后通孔工藝制作的金屬通孔。
12、在一些可能實現的方式中，第一硅通孔包括采用中通孔工藝制作的硅通孔。
13、在一些可能實現的方式中，第一硅通孔包括采用后通孔工藝制作的硅通孔。
14、在一些可能實現的方式中，芯片還包括：第二刻蝕停止層和第三金屬連接盤。其中，第二刻蝕停止層位于第二金屬連接盤的上方(也即遠離第一刻蝕停止層的一側)；第三金屬連接盤位于第二刻蝕停止層遠離第二金屬連接盤的一側，且第三金屬連接盤和第二金屬連接盤之間通過貫穿第二刻蝕停止層的多個第二金屬過孔連接；多個第一垂直連接結構位于第三金屬連接盤的上方(也即遠離硅基板的一側)，且多個第一垂直連接結構與第三金屬連接盤連接。
15、在一些可能實現的方式中，芯片還包括：第三刻蝕停止層和第四金屬連接盤。其中，第三刻蝕停止層位于第三金屬連接盤遠離第二刻蝕停止層的一側。第四金屬連接盤位于第三刻蝕停止層的上方(遠離第三金屬連接盤的一側)，且第四金屬連接盤和第三金屬連接盤之間通過貫穿第三刻蝕停止層的多個第三金屬過孔連接。多個第一垂直連接結構位于第四金屬連接盤的上方(也即遠離所述硅基板的一側)，且多個第一垂直連接結構與第四金屬連接盤連接。
16、在一些可能實現的方式中，第一垂直連接結構中包括第二硅通孔，可以采用硅通孔工藝來制作第二硅通孔。
17、本申請還提供一種芯片堆疊封裝，該芯片堆疊封裝包括堆疊設置的第一芯片和第二芯片。其中，第一芯片采用如前述任一種可能實現的方式中提供的芯片，第一芯片通過第一硅通孔或第一垂直連接結構與第二芯片電連接。
18、本申請還提供一種電子設備，該電子設備包括電路板以及如前述任一種可能實現的方式中提供的芯片堆疊封裝，其中，芯片堆疊封裝與電路板電連接。
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1.一種芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的芯片，其特征在于，
4.根據權利要求1-3任一項所述的芯片，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的芯片，其特征在于，
6.根據權利要求1-5任一項所述的芯片，其特征在于，
7.根據權利要求4-6任一項所述的芯片，其特征在于，
8.根據權利要求1-7任一項所述的芯片，其特征在于，
9.根據權利要求1-8任一項所述的芯片，其特征在于，
10.根據權利要求1-9任一項所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括：第二刻蝕停止層和第三金屬連接盤；
11.根據權利要求10所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括：第三刻蝕停止層和第四金屬連接盤；
12.根據權利要求1-11任一項所述的芯片，其特征在于，
13.一種芯片堆疊封裝，其特征在于，包括堆疊設置的第一芯片和第二芯片；
14.一種電子設備，其特征在于，包括電路板以及如權利要求13所述的芯
...【技術特征摘要】
1.一種芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的芯片，其特征在于，
4.根據權利要求1-3任一項所述的芯片，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的芯片，其特征在于，
6.根據權利要求1-5任一項所述的芯片，其特征在于，
7.根據權利要求4-6任一項所述的芯片，其特征在于，
8.根據權利要求1-7任一項所述的芯片，其特征在于，
9.根據權利要求1-8任一項所述的芯片，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉帥，韓佶軒，劉曙光，景蔚亮，張師偉，
申請(專利權)人：華為技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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