【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種發光二極體，尤指一種高亮度發光二極體。
技術介紹
1、發光二極體(light?emitting?diode，以下簡稱led)具有高亮度、體積小、低耗電量和壽命長等優點，廣泛地應用于照明或顯示產品中。led為求高亮度，常以晶片貼合(wafer?bonding)作為提升亮度的方法，其中，晶片貼合的led其磊晶層底部結構，具有下列特點：(1)led其磊晶層底部結構具有低折射率介電層及反射金屬，由于介電層折射率值越低會有越多的全反射，通過此介電層與反射金屬，將led主動發光層發射出的光線往上反射，達到提升亮度的目的(2)由上往下觀察led底部導通電流的接觸金屬，或透明導電層，其電流導通點通常以點狀或條狀分布于上方電極外側，以達到電流散布電極外側，使主動發光層產生的光線不被上方電極遮避，達到高亮度的目的。
2、然而，上述結構有一缺點，當電流擴散通過主動發光層而發光時，其電流導通的位置通常并未對應地設置低折射率的介電層，導致主要發光位置無法對應搭配最佳反射率的條件，使得整體發光效率有所降低。此外，現有技術為提高發光二極體電流擴散以提高發光效率的效果，主動發光層與歐姆接觸電極間的距離不會過大，一般而言，發光層與歐姆接觸電極間的距離不會大于2微米。然而，發光層與歐姆接觸電極二者間過短的距離將導致發光二極體元件抗靜電特性不佳、順向電壓過高等電性不良的問題。
3、美國專利公開第20130221367a1號公開一種發光二極體，其結構類似上述現有技術所公開的態樣，金屬接觸電極的位置設置于上部電極外側，藉以散布電
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于提供一種高亮度的發光二極體，通過調整磊晶結構，達到電流遠離電極的分散效果，以避免電極遮光，提升光萃取效率，并由此改善現有發光二極體結構抗靜電特性不佳、順向電壓過高等電性不良問題。
2、為達上述目的，本專利技術提供一種發光二極體，包含：一發光層、一上部電極及一下部電極、一第一半導體層、一第二半導體層、一第三半導體層及一低折射率介電層。其中上部電極及下部電極分別設置于發光層的兩相對側邊，第一半導體層設置于發光層與上部電極間，第二半導體層設置于發光層與下部電極間，第三半導體層設置于第二半導體層與下部電極間，低折射率介電層圍繞該下部電極設置。上部電極及下部電極二者于上下位置重疊設置，且第一半導體層、第三半導體層的電性與第二半導體層的電性相反。
3、于一實施例中，本專利技術的發光二極體進一步包含多個磊晶導通點，對應低折射率介電層的位置，設置于第三半導體層中，從而使一電流能夠自上部電極分別流經第一半導體層、發光層、第二半導體層、各磊晶導通點、第三半導體層，流入下部電極。
4、于一實施例中，本專利技術發光二極體的磊晶導通點是一極重摻雜穿隧效應的復合層，應用半導體物理的穿隧效應，在n型半導體與p型半導體為極重摻雜下，形成由n型半導體至p型半導體的穿隧效應，達到電流遠離電極的分散效果。
5、于一實施例中，本專利技術的發光二極體進一步包含一電流阻擋層，對應上部電極與下部電極的位置，設置于第二半導體層中，從而使上部電極與下部電極間不導通，達到電流遠離電極的分散效果。
6、于一實施例中，本專利技術發光二極體的電流阻擋層以蝕刻方式破壞對應上部電極與下部電極位置二者間的部分第二半導體層所形成。
7、于一實施例中，本專利技術發光二極體進一步包含一反射金屬層，該反射金屬層電性連接下部電極。
8、于一實施例中，本專利技術發光二極體的反射金屬層選自由金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鈹金(beau)、鋅金(znau)所組成的族群其中之一或其組合。
9、于一實施例中，本專利技術發光二極體的低折射率介電層選自由二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化銦錫(ito)、氟化鎂(mgf2)所組成的族群其中之一或其組合。
10、為達上述目的，本專利技術另提供一種水平式發光裝置，包含如上所述的發光二極體、一接合金屬層以及一外部電極，其中，接合金屬層水平向外延伸出第一半導體層、發光層、第二半導體層及第三半導體層之外，一端電連接至下部電極，另一端電連接至外部電極。
11、于一實施例中，本專利技術水平式發光裝置進一步包含一絕緣基板，該絕緣基板連接接合金屬層。
12、在參閱附圖及隨后描述的具體實施方式后，此
普通技術人員便可了解本專利技術的其他目的，以及本專利技術的技術手段及實施例。
【技術保護點】
1.一種發光二極體，包含：
2.如權利要求1所述的發光二極體，進一步包含多個磊晶導通點，對應該低折射率介電層的位置，設置于該第三半導體層中，從而使一電流能夠自該上部電極分別流經該第一半導體層、該發光層、該第二半導體層、各該磊晶導通點、該第三半導體層，流入該下部電極。
3.如權利要求2所述的發光二極體，其中，各該磊晶導通點是一極重摻雜穿隧效應的復合層。
4.如權利要求1所述的發光二極體，進一步包含一電流阻擋層，對應該上部電極與該下部電極的位置，設置于該第二半導體層中，從而使該上部電極與該下部電極間電流不導通。
5.如權利要求4所述的發光二極體，其中，該電流阻擋層以蝕刻方式破壞對應該上部電極與該下部電極位置二者間的部分該第二半導體層所形成。
6.如權利要求1所述的發光二極體，進一步包含一反射金屬層，該反射金屬層電性連接該下部電極。
7.如權利要求6所述的發光二極體，該反射金屬層選自由金、銀、鋁、鈹金、鋅金所組成的族群其中之一或其組合。
8.如權利要求1所述的發光二極體，該低折射率介電層選自由二氧化硅、
9.一種水平式發光裝置，包含：
10.如權利要求9所述的水平式發光裝置，進一步包含一絕緣基板，該絕緣基板連接該接合金屬層。
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極體，包含：
2.如權利要求1所述的發光二極體，進一步包含多個磊晶導通點，對應該低折射率介電層的位置，設置于該第三半導體層中，從而使一電流能夠自該上部電極分別流經該第一半導體層、該發光層、該第二半導體層、各該磊晶導通點、該第三半導體層，流入該下部電極。
3.如權利要求2所述的發光二極體，其中，各該磊晶導通點是一極重摻雜穿隧效應的復合層。
4.如權利要求1所述的發光二極體，進一步包含一電流阻擋層，對應該上部電極與該下部電極的位置，設置于該第二半導體層中，從而使該上部電極與該下部電極間電流不導通。
5.如權利要求4所述的發光二極體，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林坤立，
申請(專利權)人：臺亞半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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