【技術實現步驟摘要】
本公開大體上涉及一種用于制造封裝結構的方法。
技術介紹
1、基于其快速加熱特性，常常使用激光輔助接合(lab)來替代凸塊、焊球、襯墊和/或其它電連接元件的熔融中的常規回流(reflow)工藝以實現精細間距倒裝芯片接合。然而，歸因于不同材料的不同熱導率，lab可能損壞材料，例如環氧模制原料或襯底。為了解決前述問題，需要一種制造半導體封裝的改進的方法。
技術實現思路
1、在一或多個配置中，一種用于制造封裝結構的方法包含：提供包含第一區和不同于所述第一區的第二區的封裝結構，其中所述封裝結構包括具有主動表面和背側表面的封裝襯底；以及用第一光束沿著從所述主動表面朝向所述背側表面的第一方向輻照所述封裝結構，其中所述第一光束僅輻照所述第一區而不輻照所述第二區。
2、在一或多個配置中，一種用于制造封裝結構的方法包含：提供包含第一區和不同于所述第一區的第二區的封裝結構；沿著第一路徑輻照所述封裝結構；沿著不同于所述第一路徑的第二路徑輻照所述封裝結構；以及在所述第二路徑中屏蔽所述第一區而不屏蔽所述第二區。
3、在一或多個配置中，一種用于制造封裝結構的方法包含：提供包含第一區和透光區的封裝結構，其中所述透光區的透光率大于所述第一區的透光率；以及用光束沿著第一方向輻照所述封裝結構，其中所述光束與所述第一區重疊而不與所述透光區重疊。
【技術保護點】
1.一種用于制造封裝結構的方法，其包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括沿著不同于所述第一方向的第二方向輻照所述封裝結構。
3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括用第二光束沿著所述第二方向輻照所述封裝結構，其中所述第二光束僅輻照所述第二區而不輻照所述第一區。
4.根據權利要求2所述的方法，其中沿著所述第二方向輻照所述封裝結構的步驟晚于沿著所述第一方向輻照所述封裝結構的步驟。
5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包括停止沿著所述第二方向輻照所述封裝結構，其中停止沿著所述第二方向輻照所述封裝結構早于停止沿著所述第一方向輻照所述封裝結構。
6.根據權利要求3所述的方法，其中所述封裝襯底包括半導體裝置和包封所述半導體裝置的包封物，并且所述第二區在俯視圖視角中在所述半導體裝置的覆蓋區域內。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一區在所述包封物的覆蓋區域內，且所述第一區在所述俯視圖視角中與所述半導體裝置的所述覆蓋區域部分地重疊。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二區包括均質材料，
9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一區的光吸收率大于所述第二區的光吸收率。
10.一種用于制造封裝結構的方法，其包括：
11.根據權利要求10所述的方法，其中所述封裝結構包括半導體裝置和包封所述半導體裝置的包封物，所述半導體裝置在所述第二區中，并且所述包封物在所述第一區中。
12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在所述第二路徑中屏蔽所述半導體裝置的一部分。
13.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在所述第一路徑中屏蔽所述第二區而不屏蔽所述第一區。
14.根據權利要求13所述的方法，其中在所述第二路徑中屏蔽所述第一區而不屏蔽所述第二區的步驟晚于在所述第一路徑中屏蔽所述第二區而不屏蔽所述第一區的步驟。
15.根據權利要求10所述的方法，其中屏蔽所述第一區包括用上部掩模覆蓋所述封裝結構的包封物的表面。
16.根據權利要求15所述的方法，其進一步包括在輻照所述封裝結構之前引導所述封裝結構去接觸所述上部掩模。
17.一種用于制造封裝結構的方法，其包括：
18.根據權利要求17所述的方法，其中所述第一區的光吸收率大于所述透光區的光吸收率。
19.根據權利要求17所述的方法，其中所述第一區包括的材料具有的熱分解溫度低于所述透光區的材料的熱分解溫度。
20.根據權利要求17所述的方法，其進一步包括屏蔽所述封裝結構的所述透光區。
...【技術特征摘要】
1.一種用于制造封裝結構的方法，其包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括沿著不同于所述第一方向的第二方向輻照所述封裝結構。
3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括用第二光束沿著所述第二方向輻照所述封裝結構，其中所述第二光束僅輻照所述第二區而不輻照所述第一區。
4.根據權利要求2所述的方法，其中沿著所述第二方向輻照所述封裝結構的步驟晚于沿著所述第一方向輻照所述封裝結構的步驟。
5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包括停止沿著所述第二方向輻照所述封裝結構，其中停止沿著所述第二方向輻照所述封裝結構早于停止沿著所述第一方向輻照所述封裝結構。
6.根據權利要求3所述的方法，其中所述封裝襯底包括半導體裝置和包封所述半導體裝置的包封物，并且所述第二區在俯視圖視角中在所述半導體裝置的覆蓋區域內。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一區在所述包封物的覆蓋區域內，且所述第一區在所述俯視圖視角中與所述半導體裝置的所述覆蓋區域部分地重疊。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二區包括均質材料，且所述第一區包括復合材料。
9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一區的光吸收率大于所述第二區的光吸收率。
10.一種用于制造封裝結構的方...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林東耀，王義道，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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