【技術實現步驟摘要】
本申請涉及熒光成像，特別是涉及一種半導體聚合物點及其制備方法以及熒光探針。
技術介紹
1、隨著著名的“阿貝極限”理論的提出，光學顯微鏡的潛力已經被徹底開發出來，當兩個點光源之間的距離小于200?nm時，兩個光斑就會因為相互重疊而無法被區分，普通光學顯微鏡的分辨率已經到達了0.2?μm的極限無法再提高。為了深入研究細胞內的精細結構以及不同的細胞器之間的協同作用，就要打破光衍射對分辨率的限制，超分辨顯微成像技術便應運而生。超分辨率熒光顯微成像與傳統熒光顯微鏡相比，突破了光學衍射極限，巧妙的應用了結構光學、單分子成像和共振能量轉移等原理，為生物研究者提供了強大的工具，以實現對細胞器亞顯微結構、功能及生物大分子運動學的精細觀察和深入探索。其中，超分辨顯微成像主要包括受激發射損耗熒光顯微鏡（stimulated?emission?depletionmicroscopy，sted），結構光照明顯微鏡（structured?illumination?micoscopy，sim），光激活定位顯微術（photoactivated?localization?microscopy，palm），隨機光學重構顯微術（stochastic?optical?reconstruction?microscopy，strom），超分辨光學漲落成像（super-resolution?optical?fluctuation?imaging，sofi），基于生物樣品擴大的超分辨成像技術（expansion?microscopy，exm）。
2、與其他成像方法
3、用于sofi的熒光探針主要包括半導體聚合物點、無機量子點，有機小分子染料，熒光蛋白以及有機半導體聚合物等。與其他熒光探針相比，半導體聚合物點（pdots）具有亮度高，穩定性好，易于進行光學調控以及生物相容性好的優點，更適用于sofi成像。然而傳統半導體聚合物點的尺寸和閃爍特性不能滿足高階sofi成像的需求。
技術實現思路
1、基于此，有必要提供一種尺寸大小和閃爍特性能滿足高階超分辨成像的需求的半導體聚合物點及其制備方法以及熒光探針。
2、本申請一種半導體聚合物點，所述半導體聚合物點包括熒光聚合物以及雙親性有機聚合物，所述雙親性有機聚合物包覆于所述熒光聚合物的表面，所述半導體聚合物點的平均粒徑為1nm~10.5nm；
3、其中，所述熒光聚合物包括具有反式烯烴結構的半導體聚合物以及聚[(氟硼二吡咯)-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)]或所述具有反式烯烴結構的半導體聚合物。
4、在其中一個實施例中，所述具有反式烯烴結構的半導體聚合物包括聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]、聚[二苯并噻吩-4,4'-二甲氧基-2,2'-二乙烯基]?、聚對苯撐乙烯以及聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔]中的一種或多種。
5、在其中一個實施例中，所述雙親性有機聚合物的質量為所述熒光聚合物質量的15%~20%。
6、在其中一個實施例中，所述熒光聚合物為聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]，結構式為
7、，其中分子量為20000~100000，所述半導體聚合物點的平均粒徑為7nm~9nm。
8、在其中一個實施例中，所述熒光聚合物為所述聚[二苯并噻吩-4,4'-二甲氧基-2,2'-二乙烯基]?，結構式為
9、，其中分子量為20000~100000，所述半導體聚合物點的平均粒徑為8nm~10.5nm。
10、在其中一個實施例中，所述熒光聚合物為質量比(1~5):1的所述聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]以及所述聚[(氟硼二吡咯)-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)]，所述聚[(氟硼二吡咯)-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)]的結構式為
11、，其中分子量為5000~50000，所述半導體聚合物點的平均粒徑為8nm~10nm。
12、在其中一個實施例中，所述雙親性有機聚合物包括聚苯乙烯-聚乙二醇-羧酸以及聚(苯乙烯-co-馬來酸酐)中一種或兩種。
13、進一步地，本申請提供一種如上述的半導體聚合物點的制備方法，包括以下步驟：
14、提供混合原料，所述混合原料包括所述熒光聚合物以及所述雙親性有機聚合物；
15、所述混合原料經共沉淀，使所述雙親性有機聚合物包覆于所述熒光聚合物的表面，制備平均粒徑為1nm~10.5nm的半導體聚合物點；
16、其中，所述熒光聚合物包括具有反式烯烴結構的半導體聚合物以及聚[(氟硼二吡咯)-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)]或具有反式烯烴結構的半導體聚合物。
17、在其中一個實施例中，制備所述半導體聚合物點的步驟還包括：所述混合原料還包括良溶劑，將所述混合原料加入不良溶劑中，使所述熒光聚合物以及所述雙親性有機聚合物在所述不良溶劑中進行共沉淀。
18、本申請還提供一種熒光探針，包括如上述的半導體聚合物點。
19、在其中一個實施例中，上述熒光探針用于高階超分辨成像。
20、本申請提供的半導體聚合物點包括熒光聚合物以及包覆熒光聚合物的雙親性有機聚合物，通過限定熒光聚合物的選擇，平均粒徑為1nm~10.5nm的半導體聚合物點具有良好的閃爍特性，可以實現單粒子和細胞水平的高階sofi成像。
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1.一種半導體聚合物點，其特征在于，所述半導體聚合物點包括熒光聚合物以及雙親性有機聚合物，所述雙親性有機聚合物包覆于所述熒光聚合物的表面，所述半導體聚合物點的平均粒徑為1nm~10.5nm；
2.如權利要求1所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述具有反式烯烴結構的半導體聚合物包括聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]、聚[二苯并噻吩-4,4'-二甲氧基-2,2'-二乙烯基]?、聚對苯撐乙烯以及聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔]中的一種或多種。
3.如權利要求1或2所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述雙親性有機聚合物的質量為所述熒光聚合物質量的15%~20%。
4.如權利要求2所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述熒光聚合物為聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]，結構式為
5.如權利要求2所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述熒光聚合物為所述聚[二苯并
6.如權利要求2所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述熒光聚合物為質量比(1~5):1的所述聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]以及所述聚[(氟硼二吡咯)-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)]，所述聚[(氟硼二吡咯)-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)]的結構式為
7.如權利要求1、2以及4~6任一項所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述雙親性有機聚合物包括聚苯乙烯-聚乙二醇-羧酸以及聚(苯乙烯-co-馬來酸酐)中一種或兩種。
8.一種如權利要求1~7任一項所述的半導體聚合物點的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
9.一種熒光探針，其特征在于，包括如權利要求1~7任一項所述的半導體聚合物點。
10.如權利要求9所述的熒光探針，其特征在于，用于高階超分辨成像。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體聚合物點，其特征在于，所述半導體聚合物點包括熒光聚合物以及雙親性有機聚合物，所述雙親性有機聚合物包覆于所述熒光聚合物的表面，所述半導體聚合物點的平均粒徑為1nm~10.5nm；
2.如權利要求1所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述具有反式烯烴結構的半導體聚合物包括聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]、聚[二苯并噻吩-4,4'-二甲氧基-2,2'-二乙烯基]?、聚對苯撐乙烯以及聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔]中的一種或多種。
3.如權利要求1或2所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述雙親性有機聚合物的質量為所述熒光聚合物質量的15%~20%。
4.如權利要求2所述的半導體聚合物點，其特征在于，所述熒光聚合物為聚[{9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基-亞芴基}-交替-共-{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基}]，結構式為
5.如權利要求2所述的半...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳長鋒，趙中應，宮明玥，劉潔，韓雨菲，劉志賀，
申請(專利權)人：南方科技大學，
類型：發明
國別省市：
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