【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及雷達(dá)通信，尤其是涉及一種基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路。
技術(shù)介紹
1、隨著移動(dòng)通信技術(shù)的不斷發(fā)展，寬帶的相控雷達(dá)的需求日益增加。這對波束賦形提出了更高的要求，因此作為波束賦形的關(guān)鍵模塊，賦形精度也需要不斷的增加，以此獲得更好的信號。然而，傳統(tǒng)的相控雷達(dá)在賦形方面面臨著諸多挑戰(zhàn)，尤其是在賦形精度要求更高的情況下無法有效應(yīng)對由于波束偏移所帶來的影響，從而可能導(dǎo)致通信質(zhì)量下降和通信安全隱患。
2、為了將波束賦形，傳統(tǒng)的寬帶相控雷達(dá)是需要基于移相器實(shí)現(xiàn)賦形，但是基于移相器的寬帶相控列通常存在波束偏移的現(xiàn)象，這會(huì)使得信號信噪比惡化，這種使得信號信噪比惡化是傳統(tǒng)的寬帶相控雷達(dá)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高精度波束賦形的主要限制因素。
3、其次，傳統(tǒng)相控雷達(dá)系統(tǒng)往往缺乏對更高需求的適應(yīng)能力。隨著通信技術(shù)的演進(jìn)和需求的變化，傳統(tǒng)的相控雷達(dá)無法有效地實(shí)現(xiàn)高精度的波束賦形，無法保證長期的通信穩(wěn)定性和安全性。此外，這些系統(tǒng)也缺少對未知或未預(yù)見情況的響應(yīng)能力，使得在遇到非常規(guī)干擾或新的通信設(shè)備時(shí)，系統(tǒng)的適應(yīng)性和靈活性不足。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于上述問題而提出了本公開。根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，包括：相互連接的延時(shí)粗調(diào)裝置以及延時(shí)細(xì)調(diào)裝置，且所述延時(shí)粗調(diào)裝置連接信號輸入側(cè)，用于提供較大步進(jìn)的延時(shí)量；所述延時(shí)細(xì)調(diào)裝置連接信號輸出側(cè)，用于提供較小步進(jìn)的延時(shí)量；
2、所述延時(shí)粗調(diào)裝置具有若干個(gè)按序連接的延時(shí)模塊，各所述延時(shí)模塊包括延時(shí)路徑；其中，不同
3、所述延時(shí)細(xì)調(diào)裝置包括若干個(gè)第二基本延時(shí)單元，所述第二基本延時(shí)單元用于通過調(diào)節(jié)不同檔位以提供不同的延時(shí)量。
4、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，各所述延時(shí)模塊還包括參考路徑以及單極雙擲開關(guān)，所述延時(shí)路徑和所述參考路徑分別與所述單極雙擲開關(guān)連接，且各所述延時(shí)模塊中的所述參考路徑被配置為與同一延時(shí)模塊中的所述延時(shí)路徑的插入損耗一致。
5、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，所述單極雙擲開關(guān)采用串并聯(lián)mos結(jié)構(gòu)，且當(dāng)其中的串聯(lián)mos開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，同一路徑上的并聯(lián)mos開關(guān)關(guān)斷；當(dāng)串聯(lián)mos開關(guān)關(guān)斷時(shí)，同一路徑上的并聯(lián)mos開關(guān)導(dǎo)通到地。
6、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，所述參考路徑包括基于插入損耗需求預(yù)設(shè)的衰減單元。
7、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，所述衰減單元包括若干個(gè)并聯(lián)電阻。
8、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，所述第一基本延時(shí)單元為基于多個(gè)電感耦合方式的螺旋人工傳輸線，且在其中設(shè)有若干個(gè)并聯(lián)到地的第一電容。
9、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，所述第二基本延時(shí)單元為基于多個(gè)電感耦合方式的螺旋人工傳輸線，且在其中設(shè)有若干個(gè)并聯(lián)到地的第二電容，所述第二電容為可調(diào)節(jié)檔位的開關(guān)電容。
10、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，由所述延時(shí)粗調(diào)裝置輸出端提供的延時(shí)量與所述延時(shí)細(xì)調(diào)裝置輸入端的延時(shí)量按既定比例設(shè)置。
11、此外，根據(jù)本公開一個(gè)方面的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，所述既定比例至少包括1.5:1。
12、如以下將詳細(xì)描述的，根據(jù)本公開實(shí)施例的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，基于延時(shí)路徑中第一基本延時(shí)單元的數(shù)量進(jìn)行大步進(jìn)延時(shí)粗范圍調(diào)整，之后經(jīng)粗調(diào)的信號由延時(shí)細(xì)調(diào)裝置的檔位調(diào)節(jié)模式進(jìn)行小步進(jìn)調(diào)節(jié)，通過兩種調(diào)控模式，使得電路同時(shí)具備寬延時(shí)范圍和高延時(shí)精度的特點(diǎn)，提高了系統(tǒng)可靠性。
13、進(jìn)一步地，在一些實(shí)施例中考慮到粗調(diào)量的實(shí)際所需，還在延時(shí)粗調(diào)裝置配置有另一條參考路徑，并通過單極切換開關(guān)實(shí)現(xiàn)不同路徑間的切換。
14、進(jìn)一步地，該單極雙擲開關(guān)設(shè)計(jì)為具備更佳隔離度的串并聯(lián)mos開關(guān)，提升在寬帶可控列相陣對波束賦形效果。
15、進(jìn)一步地，在一些實(shí)施方式中，小步進(jìn)細(xì)調(diào)模式采用可調(diào)檔位的開關(guān)電容予以實(shí)現(xiàn)。
16、要理解的是，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述兩者都是示例性的，并且意圖在于提供要求保護(hù)的技術(shù)的進(jìn)一步說明。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，包括：相互連接的延時(shí)粗調(diào)裝置以及延時(shí)細(xì)調(diào)裝置，且所述延時(shí)粗調(diào)裝置連接信號輸入側(cè)，用于提供較大步進(jìn)的延時(shí)量；所述延時(shí)細(xì)調(diào)裝置連接信號輸出側(cè)，用于提供較小步進(jìn)的延時(shí)量；
2.如權(quán)利要求1所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，各所述延時(shí)模塊還包括參考路徑以及單極雙擲開關(guān)，所述延時(shí)路徑和所述參考路徑分別與所述單極雙擲開關(guān)連接，且各所述延時(shí)模塊中的所述參考路徑被配置為與同一延時(shí)模塊中的所述延時(shí)路徑的插入損耗一致。
3.如權(quán)利要求2所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述單極雙擲開關(guān)采用串并聯(lián)MOS結(jié)構(gòu)，且當(dāng)其中的串聯(lián)MOS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，同一路徑上的并聯(lián)MOS開關(guān)關(guān)斷；當(dāng)串聯(lián)MOS開關(guān)關(guān)斷時(shí)，同一路徑上的并聯(lián)MOS開關(guān)導(dǎo)通到地。
4.如權(quán)利要求2所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述參考路徑包括基于插入損耗需求預(yù)設(shè)的衰減單元。
5.如權(quán)利要求4所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述衰減單元包括若干個(gè)并聯(lián)電阻。
6.如權(quán)利要求1所述的基于
7.如權(quán)利要求1所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述第二基本延時(shí)單元為基于多個(gè)電感耦合方式的螺旋人工傳輸線，且在其中設(shè)有若干個(gè)并聯(lián)到地的第二電容，所述第二電容為可調(diào)節(jié)檔位的開關(guān)電容。
8.如權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，由所述延時(shí)粗調(diào)裝置的輸出端提供的延時(shí)量與所述延時(shí)細(xì)調(diào)裝置的輸入端的延時(shí)量按既定比例設(shè)置。
9.如權(quán)利要求8所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述既定比例至少包括1.5:1。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，包括：相互連接的延時(shí)粗調(diào)裝置以及延時(shí)細(xì)調(diào)裝置，且所述延時(shí)粗調(diào)裝置連接信號輸入側(cè)，用于提供較大步進(jìn)的延時(shí)量；所述延時(shí)細(xì)調(diào)裝置連接信號輸出側(cè)，用于提供較小步進(jìn)的延時(shí)量；
2.如權(quán)利要求1所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，各所述延時(shí)模塊還包括參考路徑以及單極雙擲開關(guān)，所述延時(shí)路徑和所述參考路徑分別與所述單極雙擲開關(guān)連接，且各所述延時(shí)模塊中的所述參考路徑被配置為與同一延時(shí)模塊中的所述延時(shí)路徑的插入損耗一致。
3.如權(quán)利要求2所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述單極雙擲開關(guān)采用串并聯(lián)mos結(jié)構(gòu)，且當(dāng)其中的串聯(lián)mos開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，同一路徑上的并聯(lián)mos開關(guān)關(guān)斷；當(dāng)串聯(lián)mos開關(guān)關(guān)斷時(shí)，同一路徑上的并聯(lián)mos開關(guān)導(dǎo)通到地。
4.如權(quán)利要求2所述的基于硅基工藝的寬帶真延時(shí)電路，其特征在于，所述參考路徑包括基...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：汪況倫，任冶冰，楊依格，王勛，李文祺，林任超，劉洋，王田媛，劉佳佩，洪彬婷，崔筱琰，謝圣東，史玉鑫，
申請(專利權(quán))人：中國移動(dòng)通信集團(tuán)設(shè)計(jì)院有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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