【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于等離子體刻蝕機設備，具體地說，涉及一種新型環狀可調節式射頻線圈裝置。
技術介紹
1、感應耦合等離子體刻蝕法是化學和物理過程共同作用，對材料進行選擇性地去除，從而實現設計的結構圖形的一種技術。
2、好的干法刻蝕技術的評判標準主要有：掩膜選擇比、各向異性度、刻蝕速率、整體均勻性、表面平滑晶格損傷性等。但其最直觀的考察指標即表面形貌，包括刻蝕底面及側壁平整度、刻蝕臺面的各向異性度等，以上二者均可以通過控制化學反應與物理轟擊的比例來調控。
3、而掩膜選擇比即相同刻蝕條件、相同刻蝕時間內掩膜的刻蝕深度與材料的刻蝕深度之比，一般而言選擇比越好，圖形轉移精度也越高。但要想使得選擇比好，并不是一件易事。因為在同一個真空腔室內，不同區域所產生的等離子體濃度存在著差異性。之所以產生這種差異，是因為現有設計的固定不可調節化等一些原因所導致。
4、比如現有等離子體刻蝕機的射頻環形線圈調節機構因安裝機構位置的原因，導致整個線圈存在著一個比較大的縫隙，所以當耦合輝光放電時缺口處所產生的磁場相對會比較少，這也就導致了在該對應部位的一定區域里很難形成足夠密度的電漿，也正因此才導致了晶圓不同區域刻蝕的速率會存在著較大差異。
5、不僅如此，又因為射頻環形線圈調節機構在真空腔室的位置是被陶瓷支柱完全固定的，所以線圈調節機構所產生的磁場也就固定，當通入不同氣體時，由于氣體分子本身的穩定性不同，那么所形成電漿的密度就會有很大的不確定性，因此也就導致了設備無法適用于多樣化生產，可完成工藝也就比較單一。
<...【技術保護點】
1.一種新型環狀可調節式射頻線圈裝置，包括等離子體刻蝕機（1），所述等離子體刻蝕機（1）的內部設置有腔室（11），所述腔室（11）的外部設置有線圈調節機構（7），所述等離子體刻蝕機（1）的一側安裝有射頻電源（2），其特征在于，所述線圈調節機構（7）包括線圈本體（71），所述線圈本體（71）設置有多組，多個所述線圈本體（71）共同組合成環形結構，所述線圈本體（71）一側的外周固定安裝有凸塊（72），所述凸塊（72）的一端固定安裝有第一導電連接彈簧（73），所述線圈本體（71）的外周還固定安裝有射頻線圈固定點（74），所述射頻線圈固定點（74）的一側安裝有第一調節把手（75），所述第一調節把手（75）上還安裝有支撐固定片（76），所述射頻電源（2）和所述線圈調節機構（7）之間共同連接有安裝機構（8）。
2.根據權利要求1所述的新型環狀可調節式射頻線圈裝置，其特征在于，所述等離子體刻蝕機（1）的中部安裝有管路（3），所述等離子體刻蝕機（1）的下端設置有電極（4），所述電極（4）的一側連通安裝有真空管路（6）。
3.根據權利要求2所述的新型環狀可調節式射頻線圈裝置
4.根據權利要求3所述的新型環狀可調節式射頻線圈裝置，其特征在于，所述安裝機構（8）包括與所述射頻電源（2）連接的第一導電銅片（81），所述第一導電銅片（81）的一端通過第二導電連接彈簧（82）連接有第二導電銅片（83）。
5.根據權利要求4所述的新型環狀可調節式射頻線圈裝置，其特征在于，所述第二導電銅片（83）通過連接件（84）與所述凸塊（72）連接，所述線圈本體（71）的一側設置有電容（85）。
6.根據權利要求1所述的新型環狀可調節式射頻線圈裝置，其特征在于，所述線圈本體（71）的一端還固定安裝有卡接槽（711），所述線圈本體（71）遠離所述卡接槽（711）的一端固定安裝有卡接塊（712），所述卡接塊（712）和所述卡接槽（711）相適配。
...【技術特征摘要】
1.一種新型環狀可調節式射頻線圈裝置，包括等離子體刻蝕機（1），所述等離子體刻蝕機（1）的內部設置有腔室（11），所述腔室（11）的外部設置有線圈調節機構（7），所述等離子體刻蝕機（1）的一側安裝有射頻電源（2），其特征在于，所述線圈調節機構（7）包括線圈本體（71），所述線圈本體（71）設置有多組，多個所述線圈本體（71）共同組合成環形結構，所述線圈本體（71）一側的外周固定安裝有凸塊（72），所述凸塊（72）的一端固定安裝有第一導電連接彈簧（73），所述線圈本體（71）的外周還固定安裝有射頻線圈固定點（74），所述射頻線圈固定點（74）的一側安裝有第一調節把手（75），所述第一調節把手（75）上還安裝有支撐固定片（76），所述射頻電源（2）和所述線圈調節機構（7）之間共同連接有安裝機構（8）。
2.根據權利要求1所述的新型環狀可調節式射頻線圈裝置，其特征在于，所述等離子體刻蝕機（1）的中部安裝有管路（3），所述等離子體刻蝕機（1）的下端設置有電極（4），所述電極（4）的一側...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金天明，劉坤，
申請(專利權)人：邁睿捷南京半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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