【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于電磁波吸收材料領域，具體涉及一種磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜及其制備方法。
技術介紹
1、電磁波吸收材料在電子信息時代，甚至在即將到來的“智能時代”中扮演著越來越重要的角色，高性能的電磁波吸收材料有助于人類遠離電磁波危害。吸波材料的結構設計在電磁波吸收性能的提升方面具有顯著優點，因其獨特的結構設計為高效的電磁吸波材料注入了新的無限生機。材料的結構設計主要從微觀和宏觀兩個角度出發，對不同維度材料均可采用獨特的結構設計。對于零維材料，結構設計往往選擇核殼結構和堆疊；對于一維材料，編織往往是最佳選擇；對于二維材料，其結構設計方案多數為多層堆疊、彎折等；對于三維材料，切割與周期性排列往往能夠起到顯著作用。然而，以薄膜材料為主體的二維材料，采用多層堆疊及彎折構建的結構所帶來的性能提升往往具有局限性，因此開發一種新的二維吸波材料制備方法，有助于進一步增強薄膜吸波材料的電磁波吸收性能。為了在有限的二維空間內實現有效的結構設計，外磁場控制制備電磁波吸收薄膜具有優越性。但在目前的生產中，存在以下問題：1、外磁場的控制結果難以直觀表現出來，難以實現進一步的薄膜結構設計。2、傳統薄膜制備手段難以適配外磁場控制，難以保證成膜質量。3、傳統薄膜結構設計缺乏實用性，難以彎折或拉伸。因此，目前急需一種磁體陣列控制的電磁波吸收柔性薄膜制備方法解決這些問題。
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本專利技術提供了一種磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜及其制備方法。
2、一種磁體陣列所產生的磁場分
3、通過軟件的無電流磁場物理場進行磁鐵陣列的穩態磁場求解模擬；
4、模型的邊界設置為磁絕緣的長方體；
5、邊界內部磁標勢初始值設置，磁通量保持守恒；
6、在邊界內以陣列方式放置小立方體矩陣，立方體尺寸參考實際磁鐵大??；
7、邊界內部材料設置為空氣，小立方體矩陣設置為實際磁體參數；
8、執行模擬即可得到最終模擬磁場分布圖。
9、一種磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，包括以下步驟：
10、將電磁波吸收粉末與熱塑性彈性體混合，分散在有機溶劑中，攪拌，直至熱塑性彈性體溶解于有機溶劑，電磁波吸收粉末分散至熱塑性彈性體溶液中，繼續攪拌并冷卻，得到磁性復合液體；
11、打印磁體陣列模具，根據磁體陣列模具選取液體槽與調平平臺；
12、按照磁體排布設計，通過權利要求1所述的模擬磁場分布圖，將實際磁體嵌入磁體陣列模具中；
13、將上述磁性復合液體轉移到液體槽中，通風干燥，待有機溶劑揮發，得到磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜。
14、優選的，所述電磁波吸收粉末包括鐵、鈷以及鎳中的一種或多種。
15、優選的，所述電磁波吸收粉末包括tpe、tpu、tpo以及tps中的一種或多種。
16、優選的，所述熱塑性彈性體與電磁波吸收粉末的質量比為1:0.01-1:2。
17、優選的，所述電磁波吸收粉末分散至熱塑性彈性體溶液中的分散方法包括超聲分散、物理攪拌以及微波消解中的一種或多種。
18、優選的，所述磁體陣列模具的形狀包括球形、矩形以及紡錘型中的任意一種。
19、優選的，所述液體槽的材料包括玻璃或聚四氟乙烯中的任意一種。
20、上述制備方法制得的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜。
21、上述的磁體陣列所產生的磁場分布模擬方法，其特征在于，所述邊界內部磁標勢初始值設置為0v/m。
22、本專利技術的有益效果包括：
23、本專利技術的設計方案成功將計算機模擬與設計相結合實現磁場控制，實現了常規薄膜制備手段進行設計與改良實現與外磁場控制的適配。以熱塑性彈性體為基體，制備了具有結構設計的薄膜材料，解決難以彎折或拉伸的問題，獲得更加優異的電磁波吸收性能及結構設計方案。
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1.一種磁體陣列所產生的磁場分布的模擬方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.一種磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
3.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述電磁波吸收粉末包括鐵、鈷以及鎳中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述電磁波吸收粉末包括TPE、TPU、TPO以及TPS中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述熱塑性彈性體與電磁波吸收粉末的質量比為1:0.01-1:2。
6.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述電磁波吸收粉末分散至熱塑性彈性體溶液中的分散方法包括超聲分散、物理攪拌以及微波消解中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述磁體陣列模具的形狀包括球形、矩形以及紡錘型中的任意一種。
8.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的
9.權利要求1或權利要求3～8任一所述制備方法制得的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜。
10.根據權利要求2所述的磁體陣列所產生的磁場分布模擬方法，其特征在于，所述邊界內部磁標勢初始值設置為0V/m。
...【技術特征摘要】
1.一種磁體陣列所產生的磁場分布的模擬方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.一種磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
3.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述電磁波吸收粉末包括鐵、鈷以及鎳中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述電磁波吸收粉末包括tpe、tpu、tpo以及tps中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的磁體陣列控制的電磁波吸收薄膜制備方法，其特征在于，所述熱塑性彈性體與電磁波吸收粉末的質量比為1:0.01-1:2。
6.根據權利要求1所述的磁體陣列控...
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