【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及半導體封裝件及其形成方法。
技術介紹
1、由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度持續改進，半導體工業經歷了快速增長。在大多數情況下，集成密度的改進源于最小部件尺寸的反復減小，這允許更多的組件集成至給定區中。隨著對縮小電子器件的需求增長，出現了對半導體管芯的更小且更具創造性的封裝技術的需求。隨著小芯片技術繼續發展以及對小芯片橋接以改進功能和性能的需求增長，實施了用于功率輸送和信號傳輸的管芯至管芯(d2d)互連。希望增加d2d互連件的數量，以增加功率輸送和信號傳輸互連，以適應集成密度的增加。
技術實現思路
1、本申請的一些實施例提供了一種半導體封裝件，包括：再分布結構；兩個或多個半導體管芯，連接至所述再分布結構的第一側；密封劑，圍繞所述兩個或多個半導體管芯；集成無源器件(ipd)，連接在所述再分布結構的第二側上，所述第二側與所述第一側相對，其中，所述集成無源器件電耦合至所述再分布結構；互連器件，連接在所述再分布結構的所述第二側上，并且電耦合至所述再分布結構；以及兩個或多個外部連接，位于所述再分布結構的所述第二側上，并且電耦合至所述再分布結構。
2、本申請的另一些實施例提供了一種半導體封裝件，包括：再分布結構；第一半導體管芯和第二半導體管芯，附接至所述再分布結構的第一側；互連器件，連接在所述再分布結構的第二側上，其中，所述互連器件電耦合至所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯；以及兩個或多個外部連接，位于所述再分布結構的所述第二
3、本申請的又一些實施例提供了一種形成半導體封裝件的方法，包括：將第一半導體管芯和第二半導體管芯彼此靠近布置在載體襯底上；在所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯上形成再分布結構，所述再分布結構的第一側與所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯重疊；將集成無源器件(ipd)連接在所述再分布結構的第二側上，其中，所述集成無源器件與所述第一半導體管芯或所述第二半導體管芯至少部分重疊；以及將兩個或多個外部連接連接在所述再分布結構的所述第二側上。
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1.一種半導體封裝件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，兩個相鄰半導體管芯之間的距離小于或等于所述兩個或多個半導體管芯的最大范圍，并且其中，所述集成無源器件與所述兩個或多個半導體管芯中的第一半導體管芯至少部分重疊，并且至少電耦合至所述第一半導體管芯。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述互連器件與第一半導體管芯和第二半導體管芯至少部分重疊，并且其中，所述互連器件電耦合至所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中：
5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述兩個或多個外部連接包括導電柱和耦合至所述導電柱的焊料連接，并且其中，所述集成無源器件和所述互連器件具有小于所述外部連接的焊料連接的高度的高度。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，還包括：
7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括：
8.一種半導體封裝件，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，還包括：
10.一種形成半導體封裝件的方
...【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，兩個相鄰半導體管芯之間的距離小于或等于所述兩個或多個半導體管芯的最大范圍，并且其中，所述集成無源器件與所述兩個或多個半導體管芯中的第一半導體管芯至少部分重疊，并且至少電耦合至所述第一半導體管芯。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述互連器件與第一半導體管芯和第二半導體管芯至少部分重疊，并且其中，所述互連器件電耦合至所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯。
4.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張智強，曾華偉，林大玄，吳偉誠，葉德強，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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