【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開的實施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。
技術(shù)介紹
1、在集成電路的形成中，在晶圓中的半導(dǎo)體襯底的表面處形成諸如晶體管的集成電路器件。然后在集成電路器件上方形成互連結(jié)構(gòu)。在互連結(jié)構(gòu)上方形成金屬焊盤并且將金屬焊盤電耦接到互連結(jié)構(gòu)。在金屬焊盤上方形成鈍化層和第一聚合物層，金屬焊盤通過鈍化層和第一聚合物層中的開口暴露。第一聚合物層具有緩沖應(yīng)力的功能。
2、然后可以形成金屬柱以連接到金屬焊盤的頂表面，接著在再分布線上方形成第二聚合物層。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開的一些實施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括：在導(dǎo)電焊盤上方形成第一導(dǎo)電柱，并且第一導(dǎo)電柱連接到導(dǎo)電焊盤；分配第一聚合物層，其中，第一聚合物層接觸第一導(dǎo)電柱的側(cè)壁的下部；固化第一聚合物層；在第一聚合物層上分配第二聚合物層，其中，第二聚合物層接觸第一導(dǎo)電柱的側(cè)壁的上部；以及固化第二聚合物層。
2、本公開的另一些實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電焊盤；鈍化層，部分地覆蓋導(dǎo)電焊盤；導(dǎo)電柱，包括：第一部分，位于鈍化層中并且與導(dǎo)電焊盤接觸；和第二部分，位于鈍化層上方，其中，第二部分包括側(cè)壁；第一聚合物層，位于鈍化層上方，其中，第一聚合物層接觸側(cè)壁的下部；以及第二聚合物層，位于第一聚合物層上方并且接觸第一聚合物層接觸，其中，第二聚合物層接觸側(cè)壁的上部。
3、本公開的又一實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：器件管芯，包括：導(dǎo)電柱，包括側(cè)壁；第一聚合物層，接觸導(dǎo)電柱的側(cè)壁；和
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1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分配所述第一聚合物層是通過旋涂執(zhí)行的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物層和所述第二聚合物層包括相同的聚合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物層和所述第二聚合物層包括不同的聚合物材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在分配所述第二聚合物層之前，完全固化所述第一聚合物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在分配所述第二聚合物層之前，部分地固化所述第一聚合物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在固化所述第二聚合物層之后，執(zhí)行平坦化工藝以使所述第一導(dǎo)電柱的第一頂表面與所述第二聚合物層的第二頂表面齊平。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分配所述第一聚合物層和分配所述第二聚合物層中的一個包括分配聚酰亞胺。
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分配所述第一聚合物層是通過旋涂執(zhí)行的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物層和所述第二聚合物層包括相同的聚合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物層和所述第二聚合物層包括不同的聚合物材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在分配所述第二聚合物層之前，完全固化所述第一聚合物層。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：杜孟哲，葉柏男，王博漢，胡毓祥，郭宏瑞，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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