【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及半導體器件結構及其形成方法。
技術介紹
1、半導體管芯中高電容電容器的形成得益于具有高介電常數的薄節點電介質的形成。然而，提供高介電常數的介電材料在低厚度范圍內表現出晶體質量的劣化。這是因為隨著介電材料厚度的減小，介電材料結晶成所需對稱結晶相的比例減小。結果，用作電容器結構的節點電介質的薄介電材料層由于結晶度比具有相同材料組成的高結晶塊體介電材料差，而傾向于表現出低的有效介電常數。
技術實現思路
1、根據本申請的實施例的一個方面，提供了一種半導體器件結構，包括：第一電極，上覆于襯底；節點電介質，接觸第一電極并且包括介電常數大于30的介電材料；以及第二電極，接觸節點電介質，其中，第一電極和第二電極中的第一者包括第一催化金屬板，第一催化金屬板與節點電介質直接接觸，并且具有不大于鉬的電負性的第一電負性。
2、根據本申請的實施例的另一個方面，提供了一種半導體器件結構，包括：第一電極，上覆于襯底；節點電介質，接觸第一電極并包括介電材料，其中，介電材料的主要體積分數為選自立方晶體結構、四方晶體結構和六方晶體結構的對稱晶體結構；以及第二電極，接觸節點電介質，其中，第一電極和第二電極中的第一者包括第一催化金屬板，第一催化金屬板與節點電介質直接接觸，并且包括具有不大于1.50的第一電負性的金屬。
3、根據本申請的實施例的又一個方面，提供了一種形成半導體器件結構的方法，方法包括：在襯底上的第一介電材料層內形成第一金屬互連結構；在第一介電材料層上方形成第一電極、
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1.一種半導體器件結構，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述介電材料的主要體積分數為選自立方晶體結構、四方晶體結構和六方晶體結構的對稱晶體結構。
3.根據權利要求2所述的半導體器件結構，其中，所述主要體積分數包括所述節點電介質的整個體積的至少80％。
4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述第一電極和所述第二電極中的第二者包括第二催化金屬板，并且具有不大于鉬的電負性的第二電負性。
5.根據權利要求4所述的半導體器件結構，其中，所述第二催化金屬板與所述節點電介質直接接觸。
6.根據權利要求4所述的半導體器件結構，其中，所述第一電極和所述第二電極中的所述第一者還包括第一非催化材料板，所述第一非催化材料板具有大于鉬的電負性的第三電負性，并且通過所述第一催化金屬板與所述節點電介質間隔開。
7.根據權利要求6所述的半導體器件結構，其中，所述第一電極和第二電極中的所述第二者包括第二非催化材料板，所述第二非催化材料板具有大于鉬的電負性的第四電負性并且通過所述第二催化金屬板與所述節點介電質間隔
8.根據權利要求1所述的半導體器件結構，還包括：
9.一種半導體器件結構，包括：
10.一種形成半導體器件結構的方法，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件結構，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述介電材料的主要體積分數為選自立方晶體結構、四方晶體結構和六方晶體結構的對稱晶體結構。
3.根據權利要求2所述的半導體器件結構，其中，所述主要體積分數包括所述節點電介質的整個體積的至少80％。
4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述第一電極和所述第二電極中的第二者包括第二催化金屬板，并且具有不大于鉬的電負性的第二電負性。
5.根據權利要求4所述的半導體器件結構，其中，所述第二催化金屬板與所述節點電介質直接接觸。
6.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳坤意，王怡情，謝瑋庭，丁裕偉，黃國欽，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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