【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及射頻開關，具體涉及一種射頻電路。
技術介紹
1、射頻(rf)開關在無線通信系統中扮演著關鍵角色，它們用于在不同的電路路徑之間切換信號，例如在接收和發送模式之間切換，或者在不同的天線和接收器電路之間分配信號。其中開關的切換一般是通過晶體管來控制，而為了讓晶體管盡可能能夠更好的正常工作，一般在晶體管上連接有二極管以對晶體管進行保護。
2、隨著無線通信技術的發展，對rf開關的性能要求越來越高，尤其是在切換速度方面。快速切換能力對于提高通信效率、降低功耗和提升用戶體驗至關重要。研究人員發現，在高頻次的快速切換應用中，電荷會有所積累從而導致二極管性能退化，進而導致可靠性變差，影響整個開關的性能。
技術實現思路
1、本專利技術的實施例提供了一種新的射頻電路，包括一種新的射頻開關保護電路，可以有效改善現有射頻開關保護電路中二極管性能退化，影響開關保護電路性能的問題。
2、本專利技術的實施例提供了一種射頻電路，包括：
3、多個級聯的射頻開關電路，所述多個級聯的射頻開關電路中包括目標射頻開關電路，所述目標射頻開關電路中包括第一晶體管；
4、射頻開關保護電路，所述射頻開關保護電路包括保護二極管和保護開關，射頻開關保護電路，所述射頻開關保護電路包括保護二極管和保護開關，所述保護二極管的陰極與所述第一晶體管的控制端耦接，所述保護二極管的陽極與所述保護開關的第一端耦接，所述保護開關的第二端接地，所述保護開關的控制端與所述第一晶體管耦接；
<...【技術保護點】
1.一種射頻電路，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的射頻電路，其特征在于，所述保護開關為保護晶體管，所述保護晶體管和所述第一晶體管為同類型晶體管；
3.根據權利要求2所述的射頻電路，其特征在于，所述第一晶體管的源級和漏極具有第一導電類型摻雜，所述保護晶體管的源級和漏極具有第一導電類型摻雜，所述保護晶體管的漏極作為所述保護開關的第一端，所述保護晶體管的源極作為所述保護開關的第二端；
4.根據權利要求3所述的射頻電路，其特征在于，當所述第一晶體管的關斷時，所述第一晶體管和所述保護晶體管均關閉，所述第一晶體管的襯底紋波電壓小于所述保護二極管的正向導通電壓，所述保護二極管正向截止。
5.根據權利要求3所述的射頻電路，其特征在于，當所述第一晶體管的柵源電壓大于等于所述保護晶體管的正向導通電壓，且小于所述保護二極管的反向擊穿電壓時，所述第一晶體管和所述保護晶體管均正向導通，所述保護二極管反向截止；
6.根據權利要求2所述的射頻電路，其特征在于，所述第一晶體管的源級和漏極具有第二導電類型摻雜，所述保護晶體管的源級和漏極具有第
7.根據權利要求6所述的射頻電路，其特征在于，當所述第一晶體管的柵源電壓大于所述第一晶體管的正向導通電壓且大于所述保護晶體管的正向導通電壓時，所述第一晶體管正向導通，所述保護晶體管處于常開狀態，所述保護二極管處于反向狀態以保護所述目標射頻電路；
8.根據權利要求2所述的射頻電路，其特征在于，所述第一晶體管和所述保護晶體管均為增強型晶體管。
9.根據權利要求2所述的射頻電路，其特征在于，所述目標射頻開關電路還包括：阻抗匹配電路和容抗匹配電路；
10.根據權利要求1所述的射頻電路，其特征在于，所述射頻開關保護電路為多個，所述多個射頻開關保護電路分別與所述多個射頻開關電路連接。
...【技術特征摘要】
1.一種射頻電路，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的射頻電路，其特征在于，所述保護開關為保護晶體管，所述保護晶體管和所述第一晶體管為同類型晶體管；
3.根據權利要求2所述的射頻電路，其特征在于，所述第一晶體管的源級和漏極具有第一導電類型摻雜，所述保護晶體管的源級和漏極具有第一導電類型摻雜，所述保護晶體管的漏極作為所述保護開關的第一端，所述保護晶體管的源極作為所述保護開關的第二端；
4.根據權利要求3所述的射頻電路，其特征在于，當所述第一晶體管的關斷時，所述第一晶體管和所述保護晶體管均關閉，所述第一晶體管的襯底紋波電壓小于所述保護二極管的正向導通電壓，所述保護二極管正向截止。
5.根據權利要求3所述的射頻電路，其特征在于，當所述第一晶體管的柵源電壓大于等于所述保護晶體管的正向導通電壓，且小于所述保護二極管的反向擊穿電壓時，所述第一晶體管和所述保護晶體管均正向導通，所述保護二極管反向截止；
【專利技術屬性】
技術研發人員：陶波，蕭國坤，劉應東，劉振，
申請(專利權)人：廣州增芯科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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