System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和長度必須引用該字符串內的位置。 參數名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于惰性納米涂層制備,具體涉及的是一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法。
技術介紹
1、sus430不銹鋼因其出色的耐腐蝕性能和機械強度而廣泛應用于工程領域,然而在高溫環境中其性能往往受限,主要原因在于cr2o3層的增厚和劣化,cr2o3層的增厚會導致導電性下降,cr2o3層的劣化則會暴露出底層金屬,形成裂紋、空洞和粒子剝落等缺陷,加速氧化過程,增加點蝕的風險。因此,提升sus430不銹鋼的高溫性能,通過表面改性技術顯得尤為重要,這不僅能延長其服務壽命,還可拓展其在苛刻環境中的應用。
2、在眾多改善sus430不銹鋼性能的方法中,制備保護涂層被公認為一種有效策略。傳統的涂層技術,包括物理氣相沉積(pvd)、化學氣相沉積(cvd)和電化學沉積等,雖然各具優勢,但在涂層均勻性、厚度控制及與基底材料結合強度方面仍存在局限。相比之下,原子層沉積(ald)作為一種高精度自限薄膜沉積技術,可以以單原子層的方式逐層沉積材料,確保涂層的均一性和致密性以及可控厚度,這為提升膜基結合性能奠定了堅實基礎。
3、目前,ald技術已被應用于不銹鋼表面tio2、al2o3、ta2o5等氧化物的制備,但針對不銹鋼表面的co3o4薄膜的研究尚未見諸報道。co3o4為一種具有尖晶石結構的過渡金屬氧化物,展現出混合價態、優異的熱穩定性和良好的導電性能。在高溫條件下,co3o4尖晶石涂層能有效阻隔氧化介質,減緩cr2o3層的進一步增厚,維持不銹鋼的導電性。此外,其優異的導電性還可以改善不銹鋼表面的電荷傳輸特
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于克服現有技術中的不足,解決在sus430不銹鋼表面改性的技術問題,本專利技術提供一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法,基材表面制備的co3o4納米尖晶石涂層致密均勻、附著力強,同時具備優良的高溫抗氧化性、導電性及阻cr性。
2、本專利技術通過以下技術方案予以實現:一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法,包括以下步驟:
3、s1、基材預處理:
4、s1-1、使用線切割機將sus430不銹鋼板切割成尺寸為長度15mm×寬度15mm×厚度1mm的基材;
5、s1-2、依次使用120目、240目、400目、600目、800目及1000目的砂紙對步驟s1-1制備的基材表面進行打磨拋光處理;
6、s1-3、將步驟s1-2打磨拋光后的基材依次放入水和無水乙醇中,分別進行15~20分鐘的超聲清洗,清洗后吹干,浸沒在無水乙醇中密封保存備用;
7、s2、sus430不銹鋼基材表面ald原子層沉積納米co3o4涂層:
8、s2-1、將步驟s1在無水乙醇中密封保存的基材取出吹干后放入ald設備的反應腔中,將臭氧引入反應腔,脈沖時間為30s,在基材表面構建羥基活性位點;
9、s2-2、使用二茂鈷作為前驅體,首先,二茂鈷加熱至80℃(獲得反應所需的蒸汽壓)后引入ald設備的反應腔中;然后,設置ald設備的沉積溫度為220℃,前驅體脈沖時間為5.5秒,循環次數為2000個循環;最后,前驅體脈沖后靜置16秒,使反應腔內二茂鈷在活性位點充分完成化學吸附,在基材表面ald原子層沉積含有鈷元素的原子層;
10、s2-3、采用高純度氮氣作為載氣,使用高純度氮氣吹掃,去除前驅體脈沖后未反應的前驅體和副產物,高純度氮氣的流量為50sccm,吹掃時間為30秒;
11、s2-4、首先,采用臭氧作為氧化劑,將臭氧引入ald設備的反應腔中,臭氧的流量為20sccm;然后,保持ald設備的沉積溫度為220℃,氧化劑的脈沖時間為0.1秒;最后,氧化劑脈沖后靜置25秒,使氧化劑與基材表面沉積的二茂鈷原子層充分反應;
12、s2-5、再次采用高純度氮氣吹掃,去除氧化劑脈沖后未反應的氧化劑和副產物,高純度氮氣的流量為50sccm,吹掃時間為30秒;
13、s2-6、待反應腔溫度降至室溫后取出,在sus430不銹鋼基材表面ald原子層沉積納米co3o4涂層;
14、s3、將步驟s2制得的表面ald原子層沉積納米co3o4涂層的sus430不銹鋼基材進行燒結處理:首先,在空氣氛圍中以5℃/min的升溫速率升溫至600℃,保溫時間為3h;然后,繼續以5℃/min的升溫速率升溫至800℃,保溫時間為2h;最后,隨爐冷卻至室溫,以全部獲得co3o4尖晶石結構,完成在sus430不銹鋼基材表面制備co3o4納米尖晶石涂層(ald-co3o4納米尖晶石涂層)。
15、進一步地,在所述步驟s2-6中,在sus430不銹鋼基材表面ald原子層沉積納米co3o4涂層的厚度為100nm。
16、本專利技術的有益效果在于:
17、1、co3o4作為一種具有尖晶石結構的過渡金屬氧化物,具有混合價態、優異的熱穩定性以及良好的導電性能,本專利技術采用ald技術在sus430不銹鋼表面成功制備了均勻、致密且附著力強的co3o4尖晶石薄膜,填補了這一技術空白;
18、2、本專利技術彌補了sus430不銹鋼基材表面改性后涂層的均勻性、厚度控制以及與基底材料的結合強度等方面的不足,制備的co3o4納米尖晶石涂層致密均勻、附著力強,同時由于ald技術的固有優勢,能夠精確控制納米涂層的厚度和成分,并且具備在復雜形狀表面成膜的特性;
19、3、本專利技術改善了sus430不銹鋼在高溫工況下過度氧化、導電性下降及cr溢出的問題,制備的co3o4納米尖晶石涂層能夠有效阻隔氧化介質,減緩cr2o3膜的增厚,維持不銹鋼的導電性能,具有優良的高溫抗氧化性、導電性及阻cr性,為不銹鋼表面改性提供了新的技術路徑,具有重要的科研和產業應用價值。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種在SUS430不銹鋼表面制備Co3O4納米尖晶石涂層的方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據權利要求1所述的一種在SUS430不銹鋼表面制備Co3O4納米尖晶石涂層的方法,其特征在于,在所述步驟S2-6中,在SUS430不銹鋼基材表面ALD原子層沉積納米Co3O4涂層的厚度為100nm。
【技術特征摘要】
1.一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據權利要求1所述的一種在sus430不銹鋼...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。