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    一種在SUS430不銹鋼表面制備Co3O4納米尖晶石涂層的方法技術

    技術編號:44459584 閱讀:5 留言:0更新日期:2025-02-28 19:07
    一種在SUS430不銹鋼表面制備Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;納米尖晶石涂層的方法,屬于惰性納米涂層制備技術領域,解決在SUS430不銹鋼表面改性的技術問題,包括以下步驟:S1、基材預處理;S2、在基材表面構建羥基活性位點、在基材表面原子層沉積二茂鈷原子層、高純度氮氣吹掃去除前驅體脈沖后未反應的前驅體和副產物、氧化劑與基材表面沉積的二茂鈷原子層充分反應、再次采用高純度氮氣吹掃去除氧化劑脈沖后未反應的氧化劑和副產物,在SUS430不銹鋼基材表面ALD原子層沉積納米Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;涂層;S3、燒結處理。本發明專利技術在基材表面制備的Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;納米尖晶石涂層致密均勻、附著力強,同時具備優良的高溫抗氧化性、導電性及阻Cr性。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬于惰性納米涂層制備,具體涉及的是一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法。


    技術介紹

    1、sus430不銹鋼因其出色的耐腐蝕性能和機械強度而廣泛應用于工程領域,然而在高溫環境中其性能往往受限,主要原因在于cr2o3層的增厚和劣化,cr2o3層的增厚會導致導電性下降,cr2o3層的劣化則會暴露出底層金屬,形成裂紋、空洞和粒子剝落等缺陷,加速氧化過程,增加點蝕的風險。因此,提升sus430不銹鋼的高溫性能,通過表面改性技術顯得尤為重要,這不僅能延長其服務壽命,還可拓展其在苛刻環境中的應用。

    2、在眾多改善sus430不銹鋼性能的方法中,制備保護涂層被公認為一種有效策略。傳統的涂層技術,包括物理氣相沉積(pvd)、化學氣相沉積(cvd)和電化學沉積等,雖然各具優勢,但在涂層均勻性、厚度控制及與基底材料結合強度方面仍存在局限。相比之下,原子層沉積(ald)作為一種高精度自限薄膜沉積技術,可以以單原子層的方式逐層沉積材料,確保涂層的均一性和致密性以及可控厚度,這為提升膜基結合性能奠定了堅實基礎。

    3、目前,ald技術已被應用于不銹鋼表面tio2、al2o3、ta2o5等氧化物的制備,但針對不銹鋼表面的co3o4薄膜的研究尚未見諸報道。co3o4為一種具有尖晶石結構的過渡金屬氧化物,展現出混合價態、優異的熱穩定性和良好的導電性能。在高溫條件下,co3o4尖晶石涂層能有效阻隔氧化介質,減緩cr2o3層的進一步增厚,維持不銹鋼的導電性。此外,其優異的導電性還可以改善不銹鋼表面的電荷傳輸特性,進一步提升其在高溫氧化環境下的性能。


    技術實現思路

    1、本專利技術的主要目的在于克服現有技術中的不足,解決在sus430不銹鋼表面改性的技術問題,本專利技術提供一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法,基材表面制備的co3o4納米尖晶石涂層致密均勻、附著力強,同時具備優良的高溫抗氧化性、導電性及阻cr性。

    2、本專利技術通過以下技術方案予以實現:一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法,包括以下步驟:

    3、s1、基材預處理:

    4、s1-1、使用線切割機將sus430不銹鋼板切割成尺寸為長度15mm×寬度15mm×厚度1mm的基材;

    5、s1-2、依次使用120目、240目、400目、600目、800目及1000目的砂紙對步驟s1-1制備的基材表面進行打磨拋光處理;

    6、s1-3、將步驟s1-2打磨拋光后的基材依次放入水和無水乙醇中,分別進行15~20分鐘的超聲清洗,清洗后吹干,浸沒在無水乙醇中密封保存備用;

    7、s2、sus430不銹鋼基材表面ald原子層沉積納米co3o4涂層:

    8、s2-1、將步驟s1在無水乙醇中密封保存的基材取出吹干后放入ald設備的反應腔中,將臭氧引入反應腔,脈沖時間為30s,在基材表面構建羥基活性位點;

    9、s2-2、使用二茂鈷作為前驅體,首先,二茂鈷加熱至80℃(獲得反應所需的蒸汽壓)后引入ald設備的反應腔中;然后,設置ald設備的沉積溫度為220℃,前驅體脈沖時間為5.5秒,循環次數為2000個循環;最后,前驅體脈沖后靜置16秒,使反應腔內二茂鈷在活性位點充分完成化學吸附,在基材表面ald原子層沉積含有鈷元素的原子層;

    10、s2-3、采用高純度氮氣作為載氣,使用高純度氮氣吹掃,去除前驅體脈沖后未反應的前驅體和副產物,高純度氮氣的流量為50sccm,吹掃時間為30秒;

    11、s2-4、首先,采用臭氧作為氧化劑,將臭氧引入ald設備的反應腔中,臭氧的流量為20sccm;然后,保持ald設備的沉積溫度為220℃,氧化劑的脈沖時間為0.1秒;最后,氧化劑脈沖后靜置25秒,使氧化劑與基材表面沉積的二茂鈷原子層充分反應;

    12、s2-5、再次采用高純度氮氣吹掃,去除氧化劑脈沖后未反應的氧化劑和副產物,高純度氮氣的流量為50sccm,吹掃時間為30秒;

    13、s2-6、待反應腔溫度降至室溫后取出,在sus430不銹鋼基材表面ald原子層沉積納米co3o4涂層;

    14、s3、將步驟s2制得的表面ald原子層沉積納米co3o4涂層的sus430不銹鋼基材進行燒結處理:首先,在空氣氛圍中以5℃/min的升溫速率升溫至600℃,保溫時間為3h;然后,繼續以5℃/min的升溫速率升溫至800℃,保溫時間為2h;最后,隨爐冷卻至室溫,以全部獲得co3o4尖晶石結構,完成在sus430不銹鋼基材表面制備co3o4納米尖晶石涂層(ald-co3o4納米尖晶石涂層)。

    15、進一步地,在所述步驟s2-6中,在sus430不銹鋼基材表面ald原子層沉積納米co3o4涂層的厚度為100nm。

    16、本專利技術的有益效果在于:

    17、1、co3o4作為一種具有尖晶石結構的過渡金屬氧化物,具有混合價態、優異的熱穩定性以及良好的導電性能,本專利技術采用ald技術在sus430不銹鋼表面成功制備了均勻、致密且附著力強的co3o4尖晶石薄膜,填補了這一技術空白;

    18、2、本專利技術彌補了sus430不銹鋼基材表面改性后涂層的均勻性、厚度控制以及與基底材料的結合強度等方面的不足,制備的co3o4納米尖晶石涂層致密均勻、附著力強,同時由于ald技術的固有優勢,能夠精確控制納米涂層的厚度和成分,并且具備在復雜形狀表面成膜的特性;

    19、3、本專利技術改善了sus430不銹鋼在高溫工況下過度氧化、導電性下降及cr溢出的問題,制備的co3o4納米尖晶石涂層能夠有效阻隔氧化介質,減緩cr2o3膜的增厚,維持不銹鋼的導電性能,具有優良的高溫抗氧化性、導電性及阻cr性,為不銹鋼表面改性提供了新的技術路徑,具有重要的科研和產業應用價值。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種在SUS430不銹鋼表面制備Co3O4納米尖晶石涂層的方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的一種在SUS430不銹鋼表面制備Co3O4納米尖晶石涂層的方法,其特征在于,在所述步驟S2-6中,在SUS430不銹鋼基材表面ALD原子層沉積納米Co3O4涂層的厚度為100nm。

    【技術特征摘要】

    1.一種在sus430不銹鋼表面制備co3o4納米尖晶石涂層的方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的一種在sus430不銹鋼...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:楊雯馮禹王眉花王運坤
    申請(專利權)人:太原科技大學
    類型:發明
    國別省市:

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