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    一種陶瓷靜電吸盤、其制備方法及等離子體設(shè)備技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44459595 閱讀:5 留言:0更新日期:2025-02-28 19:07
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種陶瓷靜電吸盤、其制備方法及等離子體設(shè)備,所述陶瓷靜電吸盤的制備方法包含:將陶瓷粉末、有機(jī)溶劑、分散劑球磨混合均勻,得到陶瓷混合漿料;將陶瓷混合漿料、光敏樹脂單體、光引發(fā)劑高速攪拌混合均勻,得到光敏陶瓷漿料;提供一3D打印設(shè)備,利用3D打印設(shè)備中的計(jì)算機(jī)輔助軟件設(shè)計(jì)一內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷坯體的三維模型,根據(jù)三維模型,打印得到成型的陶瓷坯體;將成型的陶瓷坯體放置于高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),得到內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷墊;將陶瓷墊與鋁合金基座進(jìn)行組裝,得到陶瓷靜電吸盤。所述陶瓷墊內(nèi)部具有勻氣結(jié)構(gòu),避免勻氣結(jié)構(gòu)設(shè)于鋁合金基座上所帶來的氣體泄漏以及金屬污染的問題。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體,具體涉及一種陶瓷靜電吸盤、其制備方法及等離子體設(shè)備


    技術(shù)介紹

    1、在半導(dǎo)體制造和精密加工領(lǐng)域,陶瓷靜電吸盤的勻氣結(jié)構(gòu)通常是指在吸盤內(nèi)部設(shè)計(jì)的一種氣體分布系統(tǒng),其目的是確保氣體(如氦氣)在整個(gè)吸盤表面均勻分布,這種結(jié)構(gòu)對(duì)于維持吸盤表面的均勻吸附力和溫度控制非常重要。例如,氦氣勻氣結(jié)構(gòu)通常包含氦氣進(jìn)氣孔、氦氣流道、氦氣出氣孔三部分,氦氣勻氣結(jié)構(gòu)通過氦氣進(jìn)氣孔通入氦氣,在氦氣流道中各個(gè)位置氦氣的壓力均勻,再同時(shí)從位于陶瓷靜電吸盤的上表面的多個(gè)氦氣出氣孔流出,其目的是為了保證不同氦氣出氣孔的氦氣壓力均勻。

    2、陶瓷靜電吸盤通常由鋁合金基座和位于鋁合金基座表面的陶瓷墊所組成。如圖1所示,目前,利用現(xiàn)有技術(shù)制備的氦氣勻氣結(jié)構(gòu)通常位于鋁合金基座2中,具體如圖2的a和圖2的b所示,將兩層分別帶有孔洞的鋁合金基座(鋁合金基座a和鋁合金基座b)焊接成一個(gè)完整的鋁合金基座,從而使得氦氣勻氣結(jié)構(gòu)位于完整的鋁合金基座中。但是,在焊接時(shí),鋁合金基座a和鋁合金基座b的接縫處常出現(xiàn)氣密性不夠,導(dǎo)致氦氣泄露的問題;另外,鋁合金焊接面添加的焊料中通常會(huì)含有金屬顆粒物,由于接縫處結(jié)構(gòu)復(fù)雜,進(jìn)而導(dǎo)致這些金屬顆粒物很難被清洗去除,從而導(dǎo)致整個(gè)陶瓷靜電吸盤具有被金屬顆粒物污染的風(fēng)險(xiǎn)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的是克服現(xiàn)有制備方法制備得到的陶瓷靜電吸盤的氦氣勻氣結(jié)構(gòu)容易發(fā)生泄露以及金屬污染的缺陷。

    2、為了達(dá)到上述目的,本專利技術(shù)提供了一種陶瓷靜電吸盤的制備方法,至少包含以下步驟:

    3、步驟s1、光敏陶瓷漿料的制備:將陶瓷粉末、有機(jī)溶劑、分散劑球磨混合均勻,得到陶瓷混合漿料;將所述陶瓷混合漿料、光敏樹脂單體、光引發(fā)劑高速攪拌混合均勻,得到光敏陶瓷漿料;

    4、步驟s2、3d打印成型的陶瓷坯體:提供一3d打印設(shè)備,利用所述3d打印設(shè)備中的計(jì)算機(jī)輔助軟件設(shè)計(jì)一內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷坯體的三維模型,將所述光敏陶瓷漿料加入所述3d打印設(shè)備的料槽中,根據(jù)所述三維模型,光固化后,打印得到成型的陶瓷坯體;

    5、步驟s3、燒結(jié):將所述成型的陶瓷坯體放置于高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),得到內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷墊;

    6、步驟s4、陶瓷靜電吸盤的制備:將所述陶瓷墊與鋁合金基座進(jìn)行組裝,得到陶瓷靜電吸盤。

    7、可選地,步驟s1中,球磨時(shí)還包含加入摻雜劑,混合均勻后得到陶瓷混合漿料。

    8、可選地,所述摻雜劑至少包含二氧化鈦、二氧化硅、氧化鎂中的任意一種或多種。

    9、可選地,步驟s1中,所述光引發(fā)劑包含2-羥基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-嗎啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、2-二甲氨基-2-芐基-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-1-丙酮、苯甲酰甲酸甲酯中的任意一種或多種。

    10、可選地,步驟s1中,所述陶瓷粉末包含氧化鋁、氮化鋁、碳化硅中的任意一種。

    11、可選地,步驟s2中,所述內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷坯體的三維模型具體是指陶瓷坯體的內(nèi)部具有流道、陶瓷坯體的上表面具有出氣孔、陶瓷坯體的下表面具有進(jìn)氣孔的三維模型,所述進(jìn)氣孔、出氣孔、流道相連通。

    12、可選地,步驟s3中,所述高溫?zé)Y(jié)爐中的溫度為1000℃~1650℃。

    13、本專利技術(shù)還提供了一種陶瓷靜電吸盤,所述陶瓷靜電吸盤由上述制備方法制備得到。

    14、可選地,所述陶瓷靜電吸盤包含鋁合金基座和位于鋁合金基座表面的陶瓷墊,所述陶瓷墊內(nèi)部具有流道,陶瓷墊的上表面具有出氣孔,陶瓷墊的下表面具有進(jìn)氣孔,所述流道、出氣孔、進(jìn)氣孔相連通;所述鋁合金基座含有貫穿所述鋁合金基座的進(jìn)氣通孔,所述鋁合金基座的進(jìn)氣通孔與所述陶瓷墊的進(jìn)氣孔相連通。

    15、本專利技術(shù)還提供了一種等離子體設(shè)備,所述等離子體設(shè)備至少包含上述所述的陶瓷靜電吸盤。

    16、相較于現(xiàn)有技術(shù),本專利技術(shù)的有益效果至少包含:

    17、(1)本專利技術(shù)的制備方法包含制備光敏陶瓷漿料,利用3d打印設(shè)備中的計(jì)算機(jī)輔助軟件設(shè)計(jì)一內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷坯體的三維模型,根據(jù)所述三維模型,光固化后,將所述光敏陶瓷漿料打印得到成型的陶瓷坯體,對(duì)所述陶瓷坯體進(jìn)行燒結(jié),得到內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷墊,將陶瓷墊與鋁合金基座組裝后,得到陶瓷靜電吸盤。通過該制備方法可以實(shí)現(xiàn)將傳統(tǒng)的位于鋁合金基座內(nèi)部的勻氣結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到位于陶瓷墊的內(nèi)部,避免了勻氣結(jié)構(gòu)位于鋁合金內(nèi)部所帶來的氦氣泄漏和金屬污染的問題。

    18、(2)通過3d打印技術(shù)可以在陶瓷墊內(nèi)形成具有復(fù)雜形狀的結(jié)構(gòu),再通過燒結(jié)技術(shù)可以進(jìn)一步提高陶瓷墊的致密度、強(qiáng)度、以及抗腐蝕能力。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種陶瓷靜電吸盤的制備方法,其特征在于,至少包含以下步驟:

    2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S1中,球磨時(shí)還包含加入摻雜劑,混合均勻后得到陶瓷混合漿料。

    3.如權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述摻雜劑至少包含二氧化鈦、二氧化硅、氧化鎂中的任意一種或多種。

    4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述光引發(fā)劑包含2-羥基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-嗎啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、2-二甲氨基-2-芐基-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-1-丙酮、苯甲酰甲酸甲酯中的任意一種或多種。

    5.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述陶瓷粉末包含氧化鋁、氮化鋁、碳化硅中的任意一種。

    6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S2中,所述內(nèi)部具有進(jìn)氣孔、出氣孔、流道的陶瓷坯體的三維模型具體是指陶瓷坯體的內(nèi)部具有流道、陶瓷坯體的上表面具有出氣孔、陶瓷坯體的下表面具有進(jìn)氣孔的三維模型,所述進(jìn)氣孔、出氣孔、流道相連通。

    7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S3中,所述高溫?zé)Y(jié)爐中的溫度為1000℃~1650℃。

    8.一種陶瓷靜電吸盤,其特征在于,所述陶瓷靜電吸盤由權(quán)利要求1~7中任意一項(xiàng)所述的制備方法制備得到。

    9.如權(quán)利要求8所述的陶瓷靜電吸盤,其特征在于,所述陶瓷靜電吸盤包含鋁合金基座和位于鋁合金基座表面的陶瓷墊,所述陶瓷墊內(nèi)部具有流道,陶瓷墊的上表面具有出氣孔,陶瓷墊的下表面具有進(jìn)氣孔,所述流道、出氣孔、進(jìn)氣孔相連通;所述鋁合金基座含有貫穿所述鋁合金基座的進(jìn)氣通孔,所述鋁合金基座的進(jìn)氣通孔與所述陶瓷墊的進(jìn)氣孔相連通。

    10.一種等離子體設(shè)備,其特征在于,所述等離子體設(shè)備至少包含如權(quán)利要求8或9所述的陶瓷靜電吸盤。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種陶瓷靜電吸盤的制備方法,其特征在于,至少包含以下步驟:

    2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟s1中,球磨時(shí)還包含加入摻雜劑,混合均勻后得到陶瓷混合漿料。

    3.如權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述摻雜劑至少包含二氧化鈦、二氧化硅、氧化鎂中的任意一種或多種。

    4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟s1中,所述光引發(fā)劑包含2-羥基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-嗎啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、2-二甲氨基-2-芐基-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-1-丙酮、苯甲酰甲酸甲酯中的任意一種或多種。

    5.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟s1中,所述陶瓷粉末包含氧化鋁、氮化鋁、碳化硅中的任意一種。

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    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:郭盛
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:上海玄亨科技股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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