【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及校正，尤其涉及預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法、系統(tǒng)、設備及存儲介質(zhì)。
技術介紹
1、在醫(yī)療設備領域，特別是在神經(jīng)調(diào)控和治療方面，經(jīng)顱磁刺激(tms)是一種重要的技術手段。tms設備通常包括一個線圈，線圈產(chǎn)生的高強度磁場可以穿透顱骨，作用于大腦皮層。在生物醫(yī)學工程領域，為了確保tms設備的正常運行和治療效果，必須嚴格控制線圈的溫度。長時間使用或頻繁刺激可能導致線圈過熱，從而影響設備的性能和安全性。因此，預測線圈的剩余可刺激次數(shù)是一個重要的問題。
2、現(xiàn)有的技術在預測線圈剩余可刺激次數(shù)方面存在不夠精確以及實時預測線圈的實際剩余可刺激次數(shù)，從而影響預測結果的準確性。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的是針對
技術介紹
存在的技術問題，提出一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法、系統(tǒng)、設備及存儲介質(zhì)。
2、為實現(xiàn)上述技術目的，本專利技術采用的技術方案如下：
3、本專利技術第一方面的第一種實現(xiàn)方式提供了一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其包括：
4、s101、配置標準方案，并獲取預置設備在應用標準方案后的運行數(shù)據(jù)；
5、s102、接收用戶方案，并將用戶方案應用于設備中，對運行數(shù)據(jù)進行處理，計算出用戶方案的實際刺激數(shù)據(jù)；
6、s103、基于預置預測算法，對設備運行數(shù)據(jù)以及實際刺激數(shù)據(jù)進行計算，得到預測剩余可刺激次數(shù)；
7、s104、判斷預測剩余可刺激次數(shù)是否能夠連續(xù)完成用戶方案；
8、s10
9、可選的，在本專利技術第一方面的第二種實現(xiàn)方式中，標準方案包括確定的室溫條件、固定的發(fā)熱量、預設設備初始溫度、設備連續(xù)執(zhí)行刺激時間以及周期性記錄設備溫度變化。
10、可選的，在本專利技術第一方面的第三種實現(xiàn)方式中，運行數(shù)據(jù)包括設備的散熱量，設備在應用標準方案后的散熱量的計算為：
11、ho＝hi-δt×c×v；
12、其中，ho為設備的散熱量，hi為固定的發(fā)熱量，δt為每30秒記錄設備溫度變化量，c為設備所使用散熱的制冷液的比熱容，v為制冷液的體積。
13、可選的，在本專利技術第一方面的第四種實現(xiàn)方式中，實際刺激數(shù)據(jù)包括發(fā)熱量，用戶方案的實際刺激數(shù)據(jù)的計算為：
14、hi1＝u2×tu×f/r；
15、其中，hi1為用戶方案的發(fā)熱量，u為用戶方案設置的脈沖電壓，tu為用戶方案設置的脈寬，f為用戶方案設置的方案頻率，r為設備的阻抗。
16、可選的，在本專利技術第一方面的第五種實現(xiàn)方式中，預測算法為：
17、n＝k×(hi1-ho)/(tmax-t0)×c×v；
18、其中，n為預測剩余可刺激次數(shù)，k為初始校正系數(shù)，tmax為設備允許的最大工作溫度，t0為設備的初始溫度。
19、可選的，在本專利技術第一方面的第六種實現(xiàn)方式中，校正系數(shù)的計算為：
20、ki＝k×(n+nr)/2n
21、其中，ki為校正系數(shù)，nr為設備實際輸出的刺激次數(shù)。
22、本專利技術第二方面的第一種實現(xiàn)方式提供了一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正系統(tǒng)，其包括：
23、采集模塊，用于配置標準方案，并獲取預置設備在應用標準方案后的運行數(shù)據(jù)；
24、計算模塊，用于接收用戶方案，并將用戶方案應用于設備中，對運行數(shù)據(jù)進行處理，計算出用戶方案的實際刺激數(shù)據(jù)；
25、預測模塊，用于基于預置預測算法，對設備運行數(shù)據(jù)以及實際刺激數(shù)據(jù)進行計算，得到預測剩余可刺激次數(shù)；
26、判斷模塊，用于判斷預測剩余可刺激次數(shù)是否能夠連續(xù)完成用戶方案；
27、校正模塊，用于若不能，則基于預置校正算法，對實際刺激數(shù)據(jù)以及預測剩余可刺激次數(shù)進行處理，計算出校正系數(shù)并以圖像形式輸出，接收調(diào)整后的用戶方案，重新執(zhí)行計算模塊。
28、本專利技術第三方面的第一種實現(xiàn)方式提供了一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正設備，所述預測剩余可刺激次數(shù)的自校正設備包括：存儲器和至少一個處理器，所述存儲器中存儲有指令，所述存儲器和所述至少一個處理器通過線路互連；
29、所述至少一個處理器調(diào)用所述存儲器中的所述指令，以使得所述預測剩余可刺激次數(shù)的自校正設備執(zhí)行如本專利技術第一方面中任一項所述的預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法。
30、本專利技術第四方面的第一種實現(xiàn)方式提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上述本專利技術第一方面中任一項所述的預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法。
31、本專利技術與現(xiàn)有技術相比具有如下有益技術效果：事先獲取設備在應用標準方案后的運行數(shù)據(jù)，接收用戶方案并計算設備的實際刺激數(shù)據(jù)，利用預測算法得到預測剩余可刺激次數(shù)，若次數(shù)不足以完成用戶方案，則采用校正算法計算校正系數(shù)并以圖像展示，根據(jù)校正系數(shù)要求用戶調(diào)整方案并重新執(zhí)行上述計算設備的實際刺激數(shù)據(jù)以及之后的步驟，直至能夠連續(xù)完成用戶方案，實現(xiàn)了用戶在實際使用的過程中，實時對預測剩余可刺激次數(shù)的自校正，降低預測的誤差。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術保護點】
1.一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述標準方案包括確定的室溫條件、固定的發(fā)熱量、預設設備初始溫度、設備連續(xù)執(zhí)行刺激時間以及周期性記錄設備溫度變化。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述運行數(shù)據(jù)包括所述設備的散熱量，所述設備在應用所述標準方案后的散熱量的計算為：
4.根據(jù)權利要求3所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述實際刺激數(shù)據(jù)包括發(fā)熱量，所述用戶方案的實際刺激數(shù)據(jù)的計算為：
5.根據(jù)權利要求4所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述預測算法為：
6.根據(jù)權利要求5所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述校正系數(shù)的計算為：
7.一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正系統(tǒng)，其特征在于，包括：
8.一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正設備，其特征在于，所述預測剩余可刺激次數(shù)的自校正設備包括：存儲器和至少一個處理器，所述存儲器
9.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權利要求1-6中任一項所述的預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法。
...【技術特征摘要】
1.一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述標準方案包括確定的室溫條件、固定的發(fā)熱量、預設設備初始溫度、設備連續(xù)執(zhí)行刺激時間以及周期性記錄設備溫度變化。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述運行數(shù)據(jù)包括所述設備的散熱量，所述設備在應用所述標準方案后的散熱量的計算為：
4.根據(jù)權利要求3所述的一種預測剩余可刺激次數(shù)的自校正方法，其特征在于，所述實際刺激數(shù)據(jù)包括發(fā)熱量，所述用戶方案的實際刺激數(shù)據(jù)的計算為：
5.根據(jù)權利要求4所述的一種預測剩余...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：邱慧蓮，劉行，沈艷矚，丁育松，
申請(專利權)人：深圳英智科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。