【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，屬于光學薄膜鍍制領域。
技術介紹
1、隨著真空鍍膜技術的快速發展，產品使用要求向著高精尖方向逐步發展，對產品的均勻性要求也越來越高。薄膜均勻性是指待鍍基片上所鍍制的膜厚隨著基片在真空室內位置的變化而變化的特性，是衡量產品光學性能，膜層質量的重要指標。
2、鍍膜設備內電子槍等重要元件的擺放位置，決定了產品具備基礎的膜層均勻特性，但此特性存在偏離任務指標需求的情況，因此需進行均勻性調整。當前，國內外廠家采用制作修正擋板，補償產品均勻性。經過調研，制作擋板的方法多種多樣，但在實際應用中，大多是個人經驗占據主導位置，缺乏成套的理論設計方法，無法直觀的進行均勻性特性分析、計算，制作修正擋板只能通過大量的實驗進行多次的改進，耗時耗力，工作繁重沉冗。
技術實現思路
1、本專利技術解決的技術問題是：克服現有技術的不足，提供一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，通過建立空間數學理論模型，將整個鍍膜過程數據化，直觀的解釋鍍膜過程均勻性變化，大大減少了修正實驗次數。
2、本專利技術的技術方案是：一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，包括：
3、1)選取潔凈玻璃基片5片，沿徑向方向裝卡在鍍膜工裝上后，均分放置，再將鍍膜工裝吊掛在鍍膜機工件盤上；
4、2)鍍膜機內放入要蒸發的膜料，保證吊掛的鍍膜工裝和膜料蒸發源之間無修正擋板；開始鍍膜；
5、3)鍍膜結束后，取出玻璃基片，測量鍍膜后玻璃基片的反射率，得出反射率
6、4)在反射率曲線上選取波峰,利用分光光度計將反射率換算成膜厚，并記錄每個基片的膜厚e；
7、5)選取一個數值j，計算得到膜厚差q＝e-j；
8、6)建立空間直角坐標系，原點為鍍膜工裝與蒸發源平面的交點，測量出蒸發源以及各個基片在空間直角坐標系中的位置，并用坐標表示出來；
9、7)以鍍膜工裝中心為圓心，以每個基片所在位置到原點的長度為半徑，將鍍膜工裝的轉動軌跡分為5個同心圓；
10、8)將每個同心圓的周長等分為n個弧長；
11、9)根據膜厚e和等分出的n個弧長，計算得到需要修正掉的弧長長度t；
12、10)在建立的空間直角坐標系內，任意選取修正擋板擺放的平面p；
13、11)任意選取基片轉動時的一個位置，量出此時每個基片的坐標a1-a5，連接5個基片中心與蒸發源g的中心，形成5條空間直線，求出空間5條直線與空間平面p的交點，此時共有5個交點a6-a10；
14、12)利用需要修正掉的弧長長度t對弧長進行修正，再根據圓心、每個基片的坐標a1-a5，求出修正后弧長上另外一點b1--b5；
15、13)將點b1—b5與蒸發源g中心連接，形成5條空間直線，計算出此5條空間直線與平面p的交點b6-b10；
16、14)根據點a6-a10的坐標，b6-b10的坐標制作出修正板。
17、所述玻璃基片采用k9玻璃基片，直徑為25-35mm。
18、所述工件盤采用只有公轉，無自轉工件盤。
19、所述數值j小于5個基片中的最小基片厚度。
20、所述n≥1000。
21、所述根據膜厚e和等分出的n個弧長，計算得到需要修正掉的弧長長度t，包括：設膜厚e是由n個單位厚度累加而成，用膜厚e除以弧長個數n，得到單位厚a，即a＝e/n；再算出膜厚差q除以a，得出對應的每個同心圓上的弧長個數m，即m＝q/a；設周長為c，則需要修正掉的弧長長度t＝c×(m/n)。
22、所述根據點a6-a10的坐標，b6-b10的坐標制作出修正板，包括：
23、在一個二維平面擋板上標記出點a6-a10以及b6-b10的坐標，依次連接點a6-a10，b6-b10、a10-b10、a6-b6，所圍成的部分即為制作出的修正板。
24、還包括步驟15)，將制作出來的修正板掛到指定位置，進行均勻性驗證實驗。
25、所述將制作出來的修正板掛到指定位置，均勻性驗證實驗，包括：將制作出來的修正板掛到指定位置，重復步驟1)-步驟4)，計算得到新的膜厚e°，若e－e°＝q，則說明第二次實驗結果比較理想；若e－e°＞q或者e－e°＜q，即e°≠j，則說明實際實驗數據與理想設置的數據存在差異；設置tooling值h，h用于修正數據，h＝(e－e°)/q；則實際需要修正掉的弧長長度t°＝t/h，重復步驟10)-步驟14)，對修正板進行二次加工，加工完畢后，掛在鍍膜機上，再次返回步驟1)驗證均勻性。
26、本專利技術與現有技術相比的優點在于：
27、1.現有技術多是根據經驗，缺乏成套的理論計算，而本專利技術計算結果數值精準，理論依據充分；
28、2.本專利技術在建立理論計算系統的基礎上，引入一個弧長校正值，進而得到真正所需要的長度；
29、3.本專利技術可直觀的進行均勻性特性分析、計算，實驗迭代次數少，節省大量人力物力。
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1.一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述玻璃基片采用K9玻璃基片，直徑為25-35mm。
3.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述工件盤采用只有公轉，無自轉工件盤。
4.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述數值J小于5個基片中的最小基片厚度。
5.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述N≥1000。
6.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述根據膜厚E和等分出的N個弧長，計算得到需要修正掉的弧長長度T，包括：設膜厚E是由N個單位厚度累加而成，計算得到單位厚a＝E/N；進而得出對應的每個同心圓上的弧長個數M＝Q/a；設周長為C，則需要修正掉的弧長長度T＝C×(M/N)。
7.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述根據點A6-A10的坐標，B6-B10的坐標制作
8.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，還包括步驟15)，將制作出來的修正板掛到指定位置，進行均勻性驗證實驗。
9.根據權利要求6所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述將制作出來的修正板掛到指定位置，均勻性驗證實驗，包括：將制作出來的修正板掛到指定位置，重復步驟1)-步驟4)，計算得到新的膜厚E°，若E－E°＝Q，則說明第二次實驗結果比較理想；若E－E°＞Q或者E－E°＜Q，即E°≠J，則說明實際實驗數據與理想設置的數據存在差異；設置Tooling值H，H用于修正數據，H＝(E－E°)/Q；則實際需要修正掉的弧長長度T°＝T/H，重復步驟10)-步驟14)，對修正板進行二次加工，加工完畢后，掛在鍍膜機上，再次返回步驟1)驗證均勻性。
...【技術特征摘要】
1.一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述玻璃基片采用k9玻璃基片，直徑為25-35mm。
3.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述工件盤采用只有公轉，無自轉工件盤。
4.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述數值j小于5個基片中的最小基片厚度。
5.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述n≥1000。
6.根據權利要求1所述的一種薄膜均勻性修正擋板的制作方法，其特征在于，所述根據膜厚e和等分出的n個弧長，計算得到需要修正掉的弧長長度t，包括：設膜厚e是由n個單位厚度累加而成，計算得到單位厚a＝e/n；進而得出對應的每個同心圓上的弧長個數m＝q/a；設周長為c，則需要修正掉的弧長長度t＝c×(m/n)。
【專利技術屬性】
技術研發人員：白云立，武曉東，王剛，王利，李昱昊，
申請(專利權)人：北京空間機電研究所，
類型：發明
國別省市：
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