【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種高壓nldmos結構及其制造方法。
技術介紹
1、高壓(如1100v)ldmos既具有分立器件高壓大電流特點，又汲取了低壓集成電路高密度智能邏輯控制的優點，單芯片實現原來多個芯片才能完成的功能，大大縮小了面積，降低了成本，提高了能效，符合現代電力電子器件小型化，智能化，低能耗的發展方向。
2、擊穿電壓作為衡量高壓器件的關鍵參數而顯得尤為重要，現有技術通過在漂移區的表面形成ptop層(靠近外延層上表面的p型摻雜層)能夠增加漂移區的耗盡(如圖1所示)，實現降低表面電場(resurf)效果，但是該結構的擊穿電壓仍不滿足實際需求。
3、為解決上述問題，需要提出一種新型的高壓nldmos結構及其制造方法。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種高壓nldmos結構及其制造方法，用于解決現有技術中高壓ldmos擊穿電壓需要提高的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種高壓nldmos結構，包括：
3、p型的襯底，在所述襯底靠近漏端的區域形成有n型注入區；
4、在所述襯底上形成有n型的外延層，在所述外延層的場氧區域上形成有場氧化層；
5、在所述外延層上形成有p阱，在源端以及所述場氧化層下方的所述外延層上形成有靠近所述外延層上表面的p型摻雜層；
6、柵極結構和漏端多晶硅場板，所述柵極結構包括柵極介電層和柵極多晶硅層，所述柵極
7、n型的源端重摻雜區和漏端重摻雜區和p型重摻雜的p阱引出區；
8、位于源、漏端之間的層間介質層，在所述層間介質層上形成有用于引出所述漏端多晶硅場板的接觸件；
9、位于源、漏端處的第一、二金屬層，所述第一金屬層作為所述源端重摻雜區、所述p阱引出區的引出端及源端金屬場板，所述第二金屬層作為所述接觸件和所述漏端重摻雜區的引出端及漏端金屬場板。
10、優選地，所述柵極介電層為熱氧化層。
11、優選地，所述層間介質層的材料為二氧化硅。
12、優選地，所述第一、二金屬層的材料為鋁。
13、優選地，所述n型注入區由多個間隔注入區組成。
14、本專利技術還提供一種上述高壓nldmos結構的制造方法，包括：
15、步驟一、提供p型的襯底，利用離子注入在所述襯底靠近漏端的區域形成n型注入區；
16、步驟二、在所述襯底上形成n型的外延層，在所述外延層的場氧區域上形成場氧化層；
17、步驟三、利用離子注入在所述外延層上形成p阱，利用離子注入在源端以及所述場氧化層下方的所述外延層上形成靠近所述外延層上表面的p型摻雜層；
18、步驟四、形成柵極結構和漏端多晶硅場板，所述柵極結構包括柵極介電層和柵極多晶硅層，所述柵極多晶硅層的一端延伸至所述p阱上，其另一端延伸至相鄰的所述場氧化層上，所述漏端多晶硅場板位于靠近漏端的所述場氧化層上；
19、步驟五、利用離子注入形成n型的源端重摻雜區和漏端重摻雜區和p型重摻雜的p阱引出區；
20、步驟六、形成位于源、漏端之間的層間介質層，在所述層間介質層上形成用于引出所述漏端多晶硅場板的接觸件；形成源、漏端處的第一、二金屬層，所述第一金屬層作為所述源端重摻雜區、所述p阱引出區的引出端及源端金屬場板，所述第二金屬層作為所述接觸件和所述漏端重摻雜區的引出端及漏端金屬場板。
21、優選地，步驟一中的所述n型注入區由多個間隔注入區組成。
22、優選地，步驟二中形成所述場氧化層的方法包括：利用光刻、刻蝕的方法在所述外延層上形成溝槽；形成填充所述溝槽的所述場氧化層。
23、優選地，步驟四中的所述形成柵極結構和漏端多晶硅場板的方法包括：形成所述柵極介電層；淀積多晶硅層；利用光刻、刻蝕的方法圖形化所述柵極介電層和所述多晶硅層形成所述柵極多晶硅層和所述漏端多晶硅場板。
24、優選地，步驟四中利用熱氧化的方法形成所述柵極介電層。
25、優選地，步驟六中的所述層間介質層的材料為二氧化硅。
26、優選地，步驟六中的所述第一、二金屬層的材料為鋁。
27、如上所述，本專利技術的高壓nldmos結構及其制造方法，具有以下有益效果：
28、本專利技術的n型注入區使漏端耗盡區面積增加，可以在表面u型電場峰值之間引入新的電場峰值，從而降低表面u型電場的電場峰值，擊穿電壓得到提高。
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1.一種高壓NLDMOS結構，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的高壓NLDMOS結構，其特征在于：所述柵極介電層為熱氧化層。
3.根據權利要求1所述的高壓NLDMOS結構，其特征在于：所述第一、二金屬層的材料為鋁。
4.根據權利要求1所述的高壓NLDMOS結構，其特征在于：所述N型注入區由多個間隔注入區組成。
5.根據權利要求1至4任一項所述的高壓NLDMOS結構的制造方法，其特征在于，至少包括：
6.根據權利要求5所述的高壓NLDMOS結構的制造方法，其特征在于：步驟一中的所述N型注入區由多個間隔注入區組成。
7.根據權利要求5所述的高壓NLDMOS結構的制造方法，其特征在于：步驟二中形成所述場氧化層的方法包括：利用光刻、刻蝕的方法在所述外延層上形成溝槽；形成填充所述溝槽的所述場氧化層。
8.根據權利要求5所述的高壓NLDMOS結構的制造方法，其特征在于：步驟四中的所述形成柵極結構和漏端多晶硅場板的方法包括：形成所述柵極介電層；淀積多晶硅層；利用光刻、刻蝕的方法圖形化所述柵極介電層
9.根據權利要求5所述的高壓NLDMOS結構的制造方法，其特征在于：步驟四中利用熱氧化的方法形成所述柵極介電層。
10.根據權利要求5所述的高壓NLDMOS結構的制造方法，其特征在于：步驟六中的所述第一、二金屬層的材料為鋁。
...【技術特征摘要】
1.一種高壓nldmos結構，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的高壓nldmos結構，其特征在于：所述柵極介電層為熱氧化層。
3.根據權利要求1所述的高壓nldmos結構，其特征在于：所述第一、二金屬層的材料為鋁。
4.根據權利要求1所述的高壓nldmos結構，其特征在于：所述n型注入區由多個間隔注入區組成。
5.根據權利要求1至4任一項所述的高壓nldmos結構的制造方法，其特征在于，至少包括：
6.根據權利要求5所述的高壓nldmos結構的制造方法，其特征在于：步驟一中的所述n型注入區由多個間隔注入區組成。
7.根據權利要求5所述的高壓nldmos結構的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馬健，吳尚澤，胡君，令海陽，段文婷，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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