【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件制作方法及半導(dǎo)體器件。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶體管的尺寸在不斷地減小，當溝道長度縮小到22nm節(jié)點及以下時，器件直流與交流效能持續(xù)提升，必須進行考慮。
2、目前的晶體管在進行制程時，由于柵極通常是采用規(guī)則矩形的柵極，在進行應(yīng)力處理時，不利于應(yīng)力傳導(dǎo)到溝道區(qū)域，影響器件的性能；此外，隨著晶體管尺寸的減小，晶體管的柵極與源區(qū)或者漏區(qū)之間的寄生電容的容值增大，其也極大地影響了器件的性能。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件制作方法，能夠同時增加器件直流效能并緩解相關(guān)技術(shù)中由于晶體管尺寸在縮小而產(chǎn)生重疊電容的問題，有效降低重疊電容，并提高溝道應(yīng)力。
2、為解決上述技術(shù)問題，本申請第一方面提供一種半導(dǎo)體器件制作方法，提供襯底，并在所述襯底上形成具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述目標形狀包括所述第一柵極結(jié)構(gòu)靠近所述襯底的第一表面的尺寸小于所述第一柵極結(jié)構(gòu)遠離所述襯底的第二表面的尺寸，所述第一表面與所述第二表面相對，所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅柵極；在所述襯底和所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)上覆蓋應(yīng)力膜并執(zhí)行應(yīng)力處理，以使所述應(yīng)力膜配合所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)改善所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)下的所述襯底的溝道區(qū)域的應(yīng)力；移除所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)的第二表面上的應(yīng)力膜，保留覆蓋在所述襯底的非柵極結(jié)構(gòu)區(qū)域和所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)上的殘留應(yīng)力膜。
4、一些實施例中，所述提供襯底并在所述襯底上形成具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)之后，所述制作方法還包括：在所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；利用所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻作為掩膜，在所述襯底中形成源區(qū)和漏區(qū)。
5、一些實施例中，所述移除所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)的第二表面上的應(yīng)力膜，包括：在所述應(yīng)力膜上覆蓋第一介質(zhì)層；研磨掉所述介質(zhì)層的部分和所述應(yīng)力膜的部分，直至露出所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)的第二表面。
6、一些實施例中，在殘留的所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，并在所述第二介質(zhì)層中形成連接所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)的柵極接觸插塞，其中，所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)中的所述多晶硅柵極作為柵極。
7、一些實施例中，去除所述具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)中的所述多晶硅柵極，并在所述多晶硅柵極的原有區(qū)域填充金屬柵極，以形成第二柵極結(jié)構(gòu)；在殘留的所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，并在所述第二介質(zhì)層中形成連接所述金屬柵極的柵極接觸插塞，其中，所述金屬柵極作為柵極。
8、為解決上述技術(shù)問題，本申請第二方面還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；具有目標形狀的柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上，所述目標形狀包括所述柵極結(jié)構(gòu)靠近所述襯底的第一表面的尺寸小于所述柵極結(jié)構(gòu)遠離所述襯底的第二表面的尺寸，所述第一表面與所述第二表面相對；殘留應(yīng)力膜，覆蓋所述襯底的非柵極結(jié)構(gòu)區(qū)域并覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。
9、一些實施例中，沿靠近所述襯底的方向上，所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度逐漸減小；或者所述柵極結(jié)構(gòu)的第一表面相對于第二表面具有缺口。
10、一些實施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極和柵極氧化層，所述柵極氧化層位于所述柵極和所述襯底之間，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)的所述第一表面為所述柵極氧化層靠近所述襯底的表面，所述柵極結(jié)構(gòu)的所述第二表面為所述柵極遠離所述襯底的表面。
11、一些實施例中，所述柵極包括多晶硅柵極或者金屬柵極。
12、本申請一些實施例通過提供襯底，并在襯底上形成具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)，其中，目標形狀包括第一柵極結(jié)構(gòu)靠近襯底的第一表面的尺寸小于第一柵極結(jié)構(gòu)遠離襯底的第二表面的尺寸，第一表面與第二表面相對，具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅柵極；在襯底和具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)上覆蓋應(yīng)力膜并執(zhí)行應(yīng)力處理，以使應(yīng)力膜配合具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)改善具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)下的襯底的溝道區(qū)域的應(yīng)力；移除具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)的第二表面上的應(yīng)力膜，保留覆蓋在襯底的非柵極結(jié)構(gòu)區(qū)域和具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)上的殘留應(yīng)力膜。相對于相關(guān)技術(shù)，本申請通過形成具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)，在襯底和具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)上覆蓋應(yīng)力膜并執(zhí)行應(yīng)力處理，由此可使應(yīng)力膜配合具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)改善具有目標形狀的第一柵極結(jié)構(gòu)下的襯底的溝道區(qū)域的應(yīng)力，提高溝道應(yīng)力，可以有效提升器件的載流子遷移率，并改善重疊電容的問題。
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1.一種半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，還包括：
7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極包括多晶硅柵極或者金屬柵極。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李少劍，蔡建祥，
申請(專利權(quán))人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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