【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及氧化鋁粉體材料，尤其涉及一種高純納米氧化鋁的制備方法及高純納米氧化鋁。
技術(shù)介紹
1、高純納米氧化鋁粉不僅純度高，而且粒度可以達(dá)到納米級(jí)，粒度分布窄，分散性好。納米粉體具有的小尺寸效應(yīng)、表面界面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等，使其在催化、濾光、光吸收、醫(yī)藥、磁介質(zhì)及新材料等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。高純納米氧化鋁具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)性能和機(jī)械性能在現(xiàn)代高新技術(shù)新材料領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
2、高純納米氧化鋁的前驅(qū)體種類(lèi)繁多，不同前驅(qū)體所制得的納米氧化鋁物理性質(zhì)不盡相同，各有優(yōu)劣。然而，現(xiàn)有的高純氧化鋁粉體在制備過(guò)程中存在粒度分布不均勻的問(wèn)題，嚴(yán)重影響高純氧化鋁粉體的應(yīng)用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高純納米氧化鋁的制備方法及高純納米氧化鋁，以解決現(xiàn)有的高純氧化鋁粉體在制備過(guò)程中存在粒度分布不均勻的技術(shù)問(wèn)題。
2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高純納米氧化鋁的制備方法，所述方法包括：
3、將高純氫氧化鋁依次進(jìn)行第一焙燒及第一粉碎，得到γ-al2o3；
4、將γ-al2o3依次進(jìn)行第二焙燒及第二粉碎，得到α-al2o3；
5、將α-al2o3配置成第一料漿，并向所述第一料漿中加入分散劑，后將含所述分散劑的第一料漿進(jìn)行濕法研磨，得到第二料漿；
6、將所述第二料漿依次進(jìn)行過(guò)濾及洗滌，得到濾餅；
7、將所述濾餅進(jìn)行打漿，得到第三料漿；以及
8、將所述第三料漿進(jìn)行噴霧干燥，得到高純納米
9、可選的，所述第一焙燒的溫度為600℃-1000℃，所述第一焙燒的保溫時(shí)間為60min-180min。
10、可選的，所述第一粉碎為氣流粉碎，所述第二粉碎為預(yù)破碎與氣流粉碎的兩者聯(lián)用或預(yù)破碎，所述預(yù)破碎為使用對(duì)輥設(shè)備進(jìn)行破碎。
11、可選的，所述氣流粉碎的破碎壓力為0.4mpa-0.7mpa，所述氣流粉碎的進(jìn)料速度為1kg/min-3kg/min。
12、可選的，所述第二焙燒的溫度為1100℃-1400℃，所述第二焙燒的保溫時(shí)間為60min-180min。
13、可選的，所述分散劑的加入量為所述第一料漿質(zhì)量的0.1％-1％。
14、可選的，所述第一料漿及所述第三料漿的固含量均為10％-30％。
15、可選的，所述噴霧干燥的溫度為220℃-250℃。
16、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N第一方面中任意一項(xiàng)實(shí)施例所述的方法制備得到的高純納米氧化鋁，所述高純納米氧化鋁用于陶瓷基板及拋光領(lǐng)域。
17、可選的，所述高純納米氧化鋁滿(mǎn)足如下至少一種性能：純度≥99.9％，晶粒尺寸為30nm-500nm。
18、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：
19、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高純納米氧化鋁的制備方法，包括：將高純氫氧化鋁依次進(jìn)行第一焙燒及第一粉碎，得到γ-al2o3；將γ-al2o3依次進(jìn)行第二焙燒及第二粉碎，得到α-al2o3；將α-al2o3配置成第一料漿，并向所述第一料漿中加入分散劑，后將含所述分散劑的第一料漿進(jìn)行濕法研磨，得到第二料漿；將所述第二料漿依次進(jìn)行過(guò)濾及洗滌，得到濾餅；將所述濾餅進(jìn)行打漿，得到第三料漿；以及將所述第三料漿進(jìn)行噴霧干燥，得到高純納米氧化鋁粉體。通過(guò)多段焙燒，確保氫氧化鋁前驅(qū)體轉(zhuǎn)化為γ-al2o3以及γ-al2o3轉(zhuǎn)化為α-al2o3，同時(shí)通過(guò)焙燒后的破碎，從而達(dá)到控制產(chǎn)品粒度分布的目的。
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1.一種高純納米氧化鋁的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焙燒的溫度為600℃-1000℃，所述第一焙燒的保溫時(shí)間為60min-180min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粉碎為氣流粉碎，所述第二粉碎為預(yù)破碎與氣流粉碎的兩者聯(lián)用或預(yù)破碎，所述預(yù)破碎為使用對(duì)輥設(shè)備進(jìn)行破碎。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氣流粉碎的破碎壓力為0.4MPa-0.7MPa，所述氣流粉碎的進(jìn)料速度為1kg/min-3kg/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二焙燒的溫度為1100℃-1400℃，所述第二焙燒的保溫時(shí)間為60min-180min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分散劑的加入量為所述第一料漿質(zhì)量的0.1％-1％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一料漿及所述第三料漿的固含量均為10％-30％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述噴霧干燥的溫度為220℃-2
9.一種權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的方法制備得到的高純納米氧化鋁，其特征在于，所述高純納米氧化鋁用于陶瓷基板及拋光領(lǐng)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高純納米氧化鋁，其特征在于，所述高純納米氧化鋁滿(mǎn)足如下至少一種性能：純度≥99.9％，晶粒尺寸為30nm-500nm。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種高純納米氧化鋁的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焙燒的溫度為600℃-1000℃，所述第一焙燒的保溫時(shí)間為60min-180min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粉碎為氣流粉碎，所述第二粉碎為預(yù)破碎與氣流粉碎的兩者聯(lián)用或預(yù)破碎，所述預(yù)破碎為使用對(duì)輥設(shè)備進(jìn)行破碎。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氣流粉碎的破碎壓力為0.4mpa-0.7mpa，所述氣流粉碎的進(jìn)料速度為1kg/min-3kg/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二焙燒的溫度為1100℃-1400℃，所述第二焙燒...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：宋六九，楊叢林，常凱，司恒剛，李凡，錢(qián)龍，寧逸博，朱春雷，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：中鋁山東有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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