【技術實現步驟摘要】
本申請涉及集成電路，尤其涉及一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法、封裝組件、封裝方法及集成電路器件。
技術介紹
1、兩片以上不相同的晶圓或芯片互聯時，需要在晶圓上制作過孔，然后在過孔上各自制備焊盤，實現兩個焊盤的連接。
2、現有技術中，在形成通孔和焊盤時，通常是通過兩次光罩，兩次銅制成實現全部的互聯結構。由于兩次光罩刻蝕，一方面導致工藝過程的成本較高，另一方面，會產生通孔填充材料與焊盤填充材料之間的接觸層，增大整體阻值，在利用該過孔傳輸信號時，信號衰減較多，影響傳輸信號質量。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供集成電路封裝組件中過孔的制作方法、封裝組件、封裝方法及集成電路器件，既便于降低工藝成本，又便于減少傳輸信號的衰減，提高傳輸信號的質量。
2、第一方面，一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法，所述集成電路封裝組件包括襯底和設在所述襯底上的電路層；所述方法包括：在所述電路層的表面形成承載層；在所述襯底的表面形成阻擋層；通過刻蝕，形成貫穿所述阻擋層及所述襯底層，并深入所述電路層的第一盲孔；其中，所述電路層中的導電結構暴露于所述第一盲孔的孔底；對所述第一盲孔的孔口進行擴孔；在所述第一盲孔中填充導電材料，以形成具有一體化導電結構的第一過孔。
3、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述對所述第一盲孔的孔口進行擴孔，包括：在所述第一盲孔中填充刻蝕保護材料；沿所述第一盲孔的孔口至孔底的方向，將所述第一盲孔中填充的所述刻蝕保護材料刻蝕第一深度并在所
4、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第一盲孔的孔口處的孔徑，包括：對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第一盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段。
5、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第一盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，包括：對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第一盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，且使所述倒錐形的擴孔段的中心軸與所述第一盲孔的中心軸相重合，所述倒錐形的擴孔段的內部開口，與所述第一盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段的開口相對接。
6、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述在所述襯底的表面形成阻擋層包括：在所述襯底的表面形成第一阻擋層，在所述第一阻擋層的表面形成第二阻擋層；所述第二阻擋層的材料與所述第一阻擋層的材料不同；其中，所述第一深度，大于所述第二阻擋層的厚度，小于所述第二阻擋層的厚度與所述第一阻擋層的厚度之和。
7、第二方面，一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法，所述集成電路封裝組件包括襯底和設在所述襯底上的電路層；所述方法包括：在所述電路層的表面形成阻擋層；通過刻蝕，形成貫穿所述阻擋層，并深入所述電路層的第二盲孔；其中，所述電路層中的導電結構暴露于所述第二盲孔的孔底；對所述第二盲孔的孔口進行擴孔；在所述第二盲孔中填充導電材料，以形成具有一體化導電結構的第二過孔。
8、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述對所述第二盲孔的孔口進行擴孔，包括：在所述第二盲孔中填充刻蝕保護材料；沿所述第二盲孔的孔口至孔底的方向，將所述第二盲孔中填充的所述刻蝕保護材料刻蝕第一深度并在所述第二盲孔中預留第二深度的刻蝕保護材料，以暴露所述第二盲孔的孔口處的側壁；對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第二盲孔的孔口處的孔徑。
9、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第二盲孔的孔口處的孔徑，包括：
10、對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第二盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段。
11、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第二盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，包括：
12、對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第二盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，且使所述倒錐形的擴孔段的中心軸與所述第二盲孔的中心軸相重合，所述倒錐形的擴孔段的內部開口，與所述第二盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段的開口相對接。
13、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述在所述電路層的表面形成阻擋層包括：在所述電路層的表面形成第一阻擋層，在所述第一阻擋層的表面形成第二阻擋層；所述第二阻擋層的材料與所述第一阻擋層的材料不同；
14、其中，所述第一深度，大于所述第二阻擋層的厚度，小于所述第二阻擋層的厚度與所述第一阻擋層的厚度之和。
15、第三方面，本申請實施例提供一種集成電路封裝組件，包括襯底和設在所述襯底上的電路層；在所述襯底的表面形成有阻擋層，在所述阻擋層、所述襯底層及所述電路層中形成有第一盲孔；其中，所述第一盲孔貫穿所述阻擋層及所述襯底層，并深入所述電路層，所述電路層中的導電結構暴露于所述第一盲孔的孔底；在所述第一盲孔的孔口處，具有通過擴孔工藝形成的擴孔段；在所述第一盲孔中填充有導電材料，以形成能夠導電的過孔。
16、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述擴孔段，呈上部開口大、底部開口小的倒錐形。
17、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述倒錐形的擴孔段的中心軸與所述第一盲孔的中心軸相重合，所述倒錐形的擴孔段的內部開口，與所述第一盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段的開口相對接。
18、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述擴孔段填充的導電材料，與所述第一盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段中填充的導電材料為一體化結構。
19、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述阻擋層包括：在所述襯底的表面形成的第一阻擋層，以及在所述第一阻擋層的表面形成的第二阻擋層；所述第二阻擋層的材料與所述第一阻擋層的材料不同；其中，所述擴孔段的深度等于所述第二阻擋層的厚度。
20、第四方面，一種集成電路封裝組件，其特征在于，包括襯底和設在所述襯底上的電路層；在所述電路層的表面形成有阻擋層；在所述阻擋層及所述電路層中形成有第二盲孔；其中，所述第二盲孔貫穿所述阻擋層，并深入所述電路層，所述電路層中的導電結構暴露于所述第二盲孔的孔底；在所述第二盲孔的孔口處，具有通過擴孔工藝形成的擴孔段；在所述第二盲孔中填充有導電材料，以形成能夠導電的過孔。
21、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述擴孔段，呈端部開口大、內部開口小的倒錐形。
22、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述倒錐形的擴孔段的中心軸與所述第二盲孔的中心本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法，其特征在于，所述集成電路封裝組件包括襯底和設在所述襯底上的電路層；所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第一盲孔的孔口進行擴孔，包括：
3.根據權利要求2所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第一盲孔的孔口處的孔徑，包括：
4.根據權利要求3所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第一盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，包括：
5.根據權利要求2所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底的表面形成阻擋層包括：在所述襯底的表面形成第一阻擋層，在所述第一阻擋層的表面形成第二阻擋層；所述第二阻擋層的材料與所述第一阻擋層的材料不同；
6.一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法，其特征在于，所述集成電路封裝組件包括襯底和設在所述襯底上的電路層；所述方法包括：
7.根據權利要求6所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第二
8.根據權利要求7所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第二盲孔的孔口處的孔徑，包括：
9.根據權利要求8所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第二盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，包括：
10.根據權利要求7所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述在所述電路層的表面形成阻擋層包括：在所述電路層的表面形成第一阻擋層，在所述第一阻擋層的表面形成第二阻擋層；所述第二阻擋層的材料與所述第一阻擋層的材料不同；
11.一種集成電路封裝組件，其特征在于，包括襯底和設在所述襯底上的電路層；
12.根據權利要求11所述的集成電路封裝組件，其特征在于，所述擴孔段，呈上部開口大、底部開口小的倒錐形。
13.根據權利要求12所述的集成電路封裝組件，其特征在于，所述倒錐形的擴孔段的中心軸與所述第一盲孔的中心軸相重合，所述倒錐形的擴孔段的內部開口，與所述第一盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段的開口相對接。
14.根據權利要求11所述的集成電路封裝組件，其特征在于，所述擴孔段填充的導電材料，與所述第一盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段中填充的導電材料為一體化結構。
15.根據權利要求11所述的集成電路封裝組件，其特征在于，
16.一種集成電路封裝組件，其特征在于，包括襯底和設在所述襯底上的電路層；
17.根據權利要求16所述的集成電路封裝組件，其特征在于，所述擴孔段，呈端部開口大、內部開口小的倒錐形。
18.根據權利要求17所述的集成電路封裝組件，其特征在于，所述倒錐形的擴孔段的中心軸與所述第二盲孔的中心軸相重合，所述倒錐形的擴孔段的內部開口，與所述第二盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段的開口相對接。
19.根據權利要求16所述的集成電路封裝組件，其特征在于，所述擴孔段填充的導電材料，與所述第二盲孔除所述擴孔段之外的剩余孔段中填充的導電材料為一體化結構。
20.根據權利要求16所述的集成電路封裝組件，其特征在于，
21.一種集成電路器件的封裝方法，其特征在于，包括：
22.一種集成電路器件，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法，其特征在于，所述集成電路封裝組件包括襯底和設在所述襯底上的電路層；所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第一盲孔的孔口進行擴孔，包括：
3.根據權利要求2所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第一盲孔的孔口處的孔徑，包括：
4.根據權利要求3所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第一盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第一盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，包括：
5.根據權利要求2所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底的表面形成阻擋層包括：在所述襯底的表面形成第一阻擋層，在所述第一阻擋層的表面形成第二阻擋層；所述第二阻擋層的材料與所述第一阻擋層的材料不同；
6.一種集成電路封裝組件中過孔的制作方法，其特征在于，所述集成電路封裝組件包括襯底和設在所述襯底上的電路層；所述方法包括：
7.根據權利要求6所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第二盲孔的孔口進行擴孔，包括：
8.根據權利要求7所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以擴大所述第二盲孔的孔口處的孔徑，包括：
9.根據權利要求8所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述對所述第二盲孔的孔口處的側壁進行刻蝕，以在所述第二盲孔的孔口處形成端部開口大、內部開口小的倒錐形的擴孔段，包括：
10.根據權利要求7所述的過孔的制作方法，其特征在于，所述在所述電路層的表面形成阻擋層包括：在所述電路層的表面形成第一阻擋層，在所述第一阻擋層的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盛偉，
申請(專利權)人：海光信息技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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