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    鹵化物固態電解質及其制備方法和應用技術

    技術編號:44460234 閱讀:7 留言:0更新日期:2025-02-28 19:08
    本發明專利技術涉及鹵化物固態電解質及其制備方法和應用。其中,鹵化物固態電解質,鹵化物固態電解質包括內核以及包覆在內核表面的殼層,內核材料的化學通式為Li<subgt;a</subgt;MX<subgt;b</subgt;,殼層主體材料的化學通式為nLiX?GaF<subgt;3</subgt;,其中,2≤a≤4,4<b≤7,1≤n≤5,M選自In、Zr、Hf或者鑭系元素中的至少一種,X選自Cl、Br或I中的至少一種。該鹵化物固態電解質能夠在保持整體化學結構穩定、高離子電導率、高電化學氧化穩定性的同時,其表面具有好的柔軟性,使得制備的電池兼具優異的循環性能與倍率性能。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電池,特別是涉及鹵化物固態電解質及其制備方法和應用


    技術介紹

    1、鹵化物固態電解質因其具有離子電導率高、安全性高等諸多優點而備受關注。然而,現有的鹵化物固態電解質難以兼備4.2v以上的氧化穩定性和良好的質地柔軟性,導致正極活性材料的容量和倍率性能發揮不佳,進而影響電池的循環性能和倍率性能。


    技術實現思路

    1、基于此,有必要針對上述問題,提供一種鹵化物固態電解質及其制備方法和應用。該鹵化物固態電解質能夠在保持整體化學結構穩定、高離子電導率、高電化學氧化穩定性的同時,其表面具有好的柔軟性,使得制備的電池兼具優異的循環性能與倍率性能。

    2、一種鹵化物固態電解質,所述鹵化物固態電解質包括內核以及包覆在所述內核表面的殼層,所述內核材料的化學通式為liamxb,所述殼層主體材料的化學通式為nlix-gaf3,其中,2≤a≤4,4<b≤7,1≤n≤5,m選自in、zr、hf或者鑭系元素中的至少一種,x選自cl、br或i中的至少一種。

    3、在其中一個實施例中,2.5≤a≤3.5,5≤b≤6.5,1.5≤n≤4;

    4、及/或,所述m選自in、zr、hf、y、sc、dy、ho、er或者yb中的至少一種;

    5、及/或,x選自cl和/或br。

    6、在其中一個實施例中,所述殼層的厚度為1nm-50nm。

    7、在其中一個實施例中,所述鹵化物固態電解質的中值粒徑為0.05μm-100μm。

    8、本專利技術的鹵化物固態電解質具有核殼結構,其中,內核材料僅含liamxb,利用liamxb的特性,有效保證了鹵化物固態電解質的整體化學結構穩定、高離子電導率以及高電化學氧化穩定性,同時表面殼層材料基本上只有nlix-gaf3,利用nlix-gaf3自身質地柔軟的特性,可顯著改善鹵化物固態電解質表面的機械性能,使得鹵化物固態電解質表面具有好的柔軟性,能夠與正極活性材料形成更加致密的物理接觸,降低界面阻抗,從而使得正極材料具有更高的容量和倍率性能。因此,本專利技術的鹵化物固態電解質能夠在保持整體化學結構穩定、高離子電導率、高電化學氧化穩定性的同時,其表面具有好的柔軟性,使得制備的電池兼具優異的循環性能與倍率性能。

    9、一種如上述所述的鹵化物固態電解質的制備方法,包括如下步驟:

    10、提供liamxb材料,其中,2≤a≤4,4<b≤7,m選自in、zr、hf或者鑭系元素中的至少一種,x選自cl、br或i中的至少一種;

    11、將所述liamxb材料和gaf3在無水條件下進行球磨反應,使得所述liamxb材料的表面形成殼層,得到鹵化物固態電解質,其中,所述liamxb材料和所述gaf3的質量比為1:0.003-1:0.02,球磨轉速為500rpm-800rpm,球磨時間為1min-10min。

    12、在其中一個實施例中,將所述liamxb材料和所述gaf3在無水條件下進行球磨反應的步驟中,滿足以下條件中的至少一條:

    13、(1)球磨介質選自氧化鋯、氮化硅中的至少一種,球料比為10:1-50:1;

    14、(2)將所述liamxb材料和所述gaf3在真空或者干燥惰性氣氛下進行球磨反應。

    15、在其中一個實施例中,所述liamxb材料的制備方法包括以下步驟:以liamxb,2≤a≤4,4<b≤7為基準,將li的鹵化物和m的鹵化物進行球磨處理,然后經燒結,得到所述liamxb材料。

    16、在其中一個實施例中,所述liamxb材料的制備方法中,滿足以下條件中的至少一條:

    17、(1)球磨轉速為400rpm-800rpm,球磨時間為5h-30h;

    18、(2)燒結過程在氮氣氣氛和/或惰性氣氛下進行,其中,惰性氣氛選自氬氣氣氛和/或氦氣氣氛;

    19、(3)燒結溫度為100℃-320℃,燒結時間為1h-40h。

    20、本專利技術的鹵化物固態電解質的制備方法中,利用球磨的方式,并限定球磨條件以及liamxb材料和gaf3的質量比,使得gaf3與liamxb材料表面的li的鹵化物進行原位反應生成nlix-gaf3,從而形成均勻包覆于liamxb材料表面的殼層,且殼層材料基本上只有nlix-gaf3,而且反應條件相對溫和,操作方法簡單。因此,本專利技術的鹵化物固態電解質的制備方法,操作方法簡單,成本低,易于大量制備,適合工業化生產。

    21、一種二次電池,所述二次電池包括如上述所述的鹵化物固態電解質。

    22、一種車輛,所述車輛包括如上述所述的二次電池。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種鹵化物固態電解質,其特征在于,所述鹵化物固態電解質包括內核以及包覆在所述內核表面的殼層,所述內核材料的化學通式為LiaMXb,所述殼層主體材料的化學通式為nLiX-GaF3,其中,2≤a≤4,4<b≤7,1≤n≤5,M選自In、Zr、Hf或者鑭系元素中的至少一種,X選自Cl、Br或I中的至少一種。

    2.根據權利要求1所述的鹵化物固態電解質,其特征在于,2.5≤a≤3.5,5≤b≤6.5,1.5≤n≤4;

    3.根據權利要求1所述的鹵化物固態電解質,其特征在于,所述殼層的厚度為1nm-50nm。

    4.根據權利要求1所述的鹵化物固態電解質,其特征在于,所述鹵化物固態電解質的中值粒徑為0.05μm-100μm。

    5.一種如權利要求1-4任一項所述的鹵化物固態電解質的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

    6.根據權利要求5所述的鹵化物固態電解質的制備方法,其特征在于,將所述LiaMXb材料和所述GaF3在無水條件下進行球磨反應的步驟中,滿足以下條件中的至少一條:

    7.根據權利要求5所述的鹵化物固態電解質的制備方法,其特征在于,所述LiaMXb材料的制備方法包括以下步驟:以LiaMXb,2≤a≤4,4<b≤7為基準,將Li的鹵化物和M的鹵化物進行球磨處理,然后經燒結,得到所述LiaMXb材料。

    8.根據權利要求7所述的鹵化物固態電解質的制備方法,其特征在于,所述LiaMXb材料的制備方法中,滿足以下條件中的至少一條:

    9.一種二次電池,其特征在于,所述二次電池包括如權利要求1-4任一項所述的鹵化物固態電解質。

    10.一種車輛,其特征在于,所述車輛包括如權利要求9所述的二次電池。

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    【技術特征摘要】

    1.一種鹵化物固態電解質,其特征在于,所述鹵化物固態電解質包括內核以及包覆在所述內核表面的殼層,所述內核材料的化學通式為liamxb,所述殼層主體材料的化學通式為nlix-gaf3,其中,2≤a≤4,4<b≤7,1≤n≤5,m選自in、zr、hf或者鑭系元素中的至少一種,x選自cl、br或i中的至少一種。

    2.根據權利要求1所述的鹵化物固態電解質,其特征在于,2.5≤a≤3.5,5≤b≤6.5,1.5≤n≤4;

    3.根據權利要求1所述的鹵化物固態電解質,其特征在于,所述殼層的厚度為1nm-50nm。

    4.根據權利要求1所述的鹵化物固態電解質,其特征在于,所述鹵化物固態電解質的中值粒徑為0.05μm-100μm。

    5.一種如權利要求1-4任一項所述的鹵化物固態電解質的制備方法,其特征在于,包括如下...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:崔忠慧楊凱丁少傅小蘭王沖張強
    申請(專利權)人:浙江綠色智行科創有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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