【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體涉及封裝結構及其制備方法和顯示裝置。
技術介紹
1、半導體工業(yè)的新近趨勢是使便宜的半導體產(chǎn)品緊密、薄、輕、快、多功能并高效，從而具有高可靠性。目前，為了迎合上述趨勢，在封裝結構種將芯片進行堆疊設置。在芯片堆疊設置的封裝結構中，多個芯片需要彼此電連接，目前主要是使用貫穿芯片的貫通電極將芯片彼此電連接，但是上述封裝結構不容易實現(xiàn)，且良率低，成本高。
技術實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供了一種封裝結構及其制備方法和顯示裝置，解決了現(xiàn)有技術中封裝結構不容易實現(xiàn)、良率低或者成本高的問題。
2、本申請第一方面提供了一種封裝結構，該封裝結構包括：
3、基板，包括第一表面、與第一表面相對設置的第二表面、凹槽和多個通孔；凹槽的開口位于第一表面；凹槽包括連通的多個腔體，多個腔體包括第一腔體和第二腔體，第一腔體位于第二腔體靠近第二表面一側，第二腔體在第二表面上的正投影覆蓋第一腔體在第二表面上的正投影；多個通孔包括第一通孔和第二通孔，第一通孔貫穿至與第一腔體對應的基板靠近凹槽的表面，第二通孔貫穿至與第二腔體對應的基板靠近凹槽的表面；
4、第一導電結構，填充通孔；
5、多個芯片，芯片包括第一芯片和第二芯片，第一芯片位于第一腔體內(nèi)，并與第一通孔內(nèi)的第一導電結構電連接；第二芯片位于第二腔體內(nèi)，并與第二通孔內(nèi)的第一導電結構電連接。
6、在一個實施例中，凹槽還包括第三腔體、第四腔體……第n腔體，第i+1腔體位于第i腔體靠近第二
7、優(yōu)選地，芯片還包括第三芯片、第四芯片……第n芯片，第i芯片位于第i腔體內(nèi)；
8、優(yōu)選地，第i+1芯片在第二表面上的正投影覆蓋第i芯片在第二表面上的正投影；
9、優(yōu)選地，芯片所在的平面與第二表面平行；
10、優(yōu)選地，n個芯片在垂直于第二表面的方向上間隔設置；
11、優(yōu)選地，通孔還包括第三通孔、第四通孔……第n通孔，第i通孔與第i腔體連通，位于第i通孔內(nèi)的第一導電結構與第i芯片電連接。
12、在一個實施例中，沿垂直于第二表面的方向，第i腔體的形心與基板的形心位于同一條直線上；
13、優(yōu)選地，沿垂直于第二表面的方向，基板靠近凹槽的表面具有臺階式結構；
14、優(yōu)選地，通孔沿垂直第二表面的方向延伸；
15、優(yōu)選地，通孔貫穿第二表面；
16、優(yōu)選地，基板包括玻璃。
17、在一個實施例中，還包括：第二導電結構，第一導電結構通過第二導電結構與芯片電連接；
18、優(yōu)選地，第二導電結構包括焊球。
19、在一個實施例中，還包括：介電層和第三導電結構，介電層位于靠近基板的第二表面的一側，第三導電結構位于介電層中，第一導電結構與第三導電結構電連接；
20、優(yōu)選地，介電層包括m層子介電層，第i+1層子介電層位于第i層子介電層背離基板的一側，第三導電結構包括多個間隔設置的第一部，第一部位于第m層子介電層且位于第m-1層子介電層背離基板的表面，任意一個芯片對應的第一導電結構的個數(shù)為至少一個，一個第一導電結構與一個第一部電連接，m為大于或等于3的整數(shù)，i依次取1~m之間的整數(shù)；
21、優(yōu)選地，m等于芯片的個數(shù)；
22、優(yōu)選地，第三導電結構還包括第二部和第三部，與第i芯片對應的第一導電結構電連接的第二部位于第|i-m|層子介電層背離基板的表面，第三部位于第一部與第二部之間，且第一部與第二部通過第三部電連接；
23、其中，當i取m時，與第m芯片對應的第一導電結構電連接的第二部位于第二表面；當i取1時，與第1芯片對應的第一導電結構電連接的第二部與第一部重合，第一部沿與第二表面垂直的方向延伸并與第一導電結構電連接；當i取2至m-1中的任意值時，第二部沿與第二表面垂直的方向延伸并與第一導電結構電連接；
24、優(yōu)選地，還包括：第四導電結構，位于介電層背離基板的一側，第四導電結構與第三導電結構電連接；
25、優(yōu)選地，第四導電結構與第一部電連接；
26、優(yōu)選地，第四導電結構包括焊球。
27、在一個實施例中，多個芯片的正面朝向第二表面設置；
28、優(yōu)選地，多個芯片的類型相同或者不同；
29、優(yōu)選地，芯片的類型包括存儲芯片和/或邏輯芯片；
30、優(yōu)選地，芯片的類型包括存儲芯片和邏輯芯片，存儲芯片位于邏輯芯片靠近第二表面的一側。
31、本申請第二方面提供了一種封裝結構的制備方法，包括：
32、在基板中開設凹槽，凹槽的開口位于基板的第一表面；凹槽包括連通的多個腔體，多個腔體包括第一腔體和第二腔體，第一腔體位于第二腔體靠近第二表面一側，第二腔體在第二表面上的正投影覆蓋第一腔體在第二表面上的正投影，第一表面和第二表面相對設置；
33、在基板中開設多個通孔，多個通孔包括第一通孔和第二通孔，第一通孔貫穿至與第一腔體對應的基板靠近凹槽的表面，第二通孔貫穿至與第二腔體對應的基板靠近凹槽的表面；
34、在通孔中填充第一導電結構；
35、分別在多個腔體中嵌入多個芯片；芯片包括第一芯片和第二芯片，第一芯片位于第一腔體內(nèi)，并與第一通孔內(nèi)的第一導電結構電連接；第二芯片位于第二腔體內(nèi)，并與第二通孔內(nèi)的第一導電結構電連接。
36、在一個實施例中，在通孔中填充第一導電結構包括：采用電鍍和/或印刷的方式在通孔中填充第一導電結構；
37、優(yōu)選地，在通孔中填充第一導電結構之后，分別在多個腔體中嵌入多個芯片之前，還包括：
38、在第二表面背離第一表面的一側制備介電層；
39、優(yōu)選地，在第二表面背離第一表面的一側制備介電層之后，分別在多個腔體中嵌入多個芯片之前，還包括：
40、在介電層中制備第三導電結構；
41、優(yōu)選地，在介電層中制備第三導電結構包括：
42、在第二表面制備第1層子介電材料層，對第1層子介電材料層進行圖案化處理，得到第1層子介電層，第1層子介電層中具有多個第一開口；
43、在第一開口中制備第二部，與第1芯片對應的第一導電結構與第二部電連接；
44、在第1層子介電層背離基板的表面制備第i層子介電材料層，對第i層子介電材料層進行圖案化處理，得到第i層子介電層，第i層子介電層中具有多個第i開口，在第i開口中制備第二部，第二部沿與第二表面垂直的方向延伸并與與第|i-n|芯片對應的第一導電結構電連接，n為大于或等于3的整數(shù)，i依次取2~n-1之間的整數(shù)；
45、在第n-1層子介電層背離基板的表面制備第n層子介電材料層，對第n層子介電材料層進行圖案化處理，得到第n層子介電層，第n層子介電層中具有多個第n開口，在第n開口中制備第一部，與本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述凹槽還包括第三腔體、第四腔體……第N腔體，第i+1腔體位于第i腔體靠近所述第二表面一側，所述第i+1腔體在所述第二表面上的正投影覆蓋所述第i腔體在所述第二表面上的正投影，N為大于或等于3的整數(shù)，i依次取1~N之間的整數(shù)。
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片還包括第三芯片、第四芯片……第N芯片，第i芯片位于所述第i腔體內(nèi)。
4.根據(jù)權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，第i+1芯片在所述第二表面上的正投影覆蓋第i芯片在所述第二表面上的正投影；
5.根據(jù)權利要求3或4所述的封裝結構，其特征在于，所述通孔還包括第三通孔、第四通孔……第N通孔，第i通孔與所述第i腔體連通，位于所述第i通孔內(nèi)的所述第一導電結構與所述第i芯片電連接。
6.根據(jù)權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，沿垂直于所述第二表面的方向，第i腔體的形心與所述基板的形心位于同一條直線上；
7.根據(jù)權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述通孔沿垂直
8.根據(jù)權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述通孔貫穿至所述第二表面；
9.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：第二導電結構，所述第一導電結構通過所述第二導電結構與所述芯片電連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的封裝結構，其特征在于，所述第二導電結構包括焊球。
11.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：介電層和第三導電結構，所述介電層位于靠近所述基板的所述第二表面的一側，所述第三導電結構位于所述介電層中，所述第一導電結構與所述第三導電結構電連接。
12.根據(jù)權利要求11所述的封裝結構，其特征在于，所述介電層包括M層子介電層，第i+1層子介電層位于第i層子介電層背離所述基板的一側，所述第三導電結構包括多個間隔設置的第一部，所述第一部位于第M層子介電層且位于第M-1層子介電層背離所述基板的表面，與任意一個所述芯片對應的所述第一導電結構的個數(shù)為至少一個，一個所述第一導電結構與一個所述第一部電連接，M為大于或等于3的整數(shù)，i依次取1~M之間的整數(shù)。
13.根據(jù)權利要求12所述的封裝結構，其特征在于，M等于芯片的個數(shù)。
14.根據(jù)權利要求12所述的封裝結構，其特征在于，所述第三導電結構還包括第二部和第三部，與第i芯片對應的所述第一導電結構電連接的所述第二部位于第|i-M|層子介電層背離所述基板的表面，所述第三部位于所述第一部與所述第二部之間，且所述第一部與所述第二部通過所述第三部電連接；
15.根據(jù)權利要求11～14任一項所述的封裝結構，其特征在于，還包括：第四導電結構，位于所述介電層背離所述基板的一側，所述第四導電結構與所述第三導電結構電連接。
16.根據(jù)權利要求15所述的封裝結構，其特征在于，所述第四導電結構與所述第一部電連接；
17.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，多個所述芯片的正面朝向所述第二表面設置；
18.一種封裝結構的制備方法，其特征在于，包括：
19.根據(jù)權利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述在所述通孔中填充第一導電結構包括：采用電鍍和/或印刷的方式在所述通孔中填充第一導電結構。
20.根據(jù)權利要求18或19所述的制備方法，其特征在于，所述在所述通孔中填充第一導電結構之后，所述分別在所述多個腔體中嵌入多個芯片之前，還包括：
21.根據(jù)權利要求20所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第二表面背離所述第一表面的一側制備介電層之后，所述分別在所述多個腔體中嵌入多個芯片之前，還包括：
22.根據(jù)權利要求21所述的制備方法，其特征在于，在所述介電層中制備第三導電結構包括：
23.根據(jù)權利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述在所述通孔中填充第一導電結構之后，所述分別在所述多個腔體中嵌入多個芯片之前，還包括：
24.根據(jù)權利要求23所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一導電結構背離所述第二表面的一側制備第二導電結構包括采用電鍍、印刷或者植球中的至少一種方式在所述第一導電結構背離所述第二表面的一側制備第二導電結構。
25.根據(jù)權利要求23或24所述的制備方法，其特征在于，分別在所述多個腔體中嵌入多個芯片包括：
26.一種終端設備，其特征在于，包括權利要求1~17任一項所述的封裝結構，或者，包括權利要求18~25任一項所述的制備方法制備得到的封裝結構。...
【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述凹槽還包括第三腔體、第四腔體……第n腔體，第i+1腔體位于第i腔體靠近所述第二表面一側，所述第i+1腔體在所述第二表面上的正投影覆蓋所述第i腔體在所述第二表面上的正投影，n為大于或等于3的整數(shù)，i依次取1~n之間的整數(shù)。
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片還包括第三芯片、第四芯片……第n芯片，第i芯片位于所述第i腔體內(nèi)。
4.根據(jù)權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，第i+1芯片在所述第二表面上的正投影覆蓋第i芯片在所述第二表面上的正投影；
5.根據(jù)權利要求3或4所述的封裝結構，其特征在于，所述通孔還包括第三通孔、第四通孔……第n通孔，第i通孔與所述第i腔體連通，位于所述第i通孔內(nèi)的所述第一導電結構與所述第i芯片電連接。
6.根據(jù)權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，沿垂直于所述第二表面的方向，第i腔體的形心與所述基板的形心位于同一條直線上；
7.根據(jù)權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述通孔沿垂直所述第二表面的方向延伸。
8.根據(jù)權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述通孔貫穿至所述第二表面；
9.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：第二導電結構，所述第一導電結構通過所述第二導電結構與所述芯片電連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的封裝結構，其特征在于，所述第二導電結構包括焊球。
11.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：介電層和第三導電結構，所述介電層位于靠近所述基板的所述第二表面的一側，所述第三導電結構位于所述介電層中，所述第一導電結構與所述第三導電結構電連接。
12.根據(jù)權利要求11所述的封裝結構，其特征在于，所述介電層包括m層子介電層，第i+1層子介電層位于第i層子介電層背離所述基板的一側，所述第三導電結構包括多個間隔設置的第一部，所述第一部位于第m層子介電層且位于第m-1層子介電層背離所述基板的表面，與任意一個所述芯片對應的所述第一導電結構的個數(shù)為至少一個，一個所述第一導電結構與一個所述第一部電連接，m為大于或等于3的整數(shù)，i依次取1~m之間的整數(shù)。
13.根據(jù)權利要求12...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：張文斌，呂奎，周衍旭，
申請(專利權)人：江蘇匯顯顯示技術有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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