一種改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備制造技術(shù)

本技術(shù)提供了一種改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，包括：工藝腔室以及氣路系統(tǒng)。所述氣路系統(tǒng)連接至所述工藝腔室，并與所述工藝腔室內(nèi)的氣體分配裝置密封連通；所述氣路系統(tǒng)包括氣體管路、包裹在氣體管路外的制冷裝置；所述氣路系統(tǒng)為所述工藝腔室提供溫度可控的低溫氣體，所述低溫氣體通過(guò)所述氣體分配裝置上均勻分布的出氣孔送出。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，尤其涉及改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備。

技術(shù)介紹

1、臭氧紫外(ou)固化方法，需要在低溫(10℃)情況下進(jìn)行，利用紫外(uv)光照射晶圓達(dá)到固化效果，由于uv光照射會(huì)導(dǎo)致晶圓表面溫度升高，從而影響固化效果。傳統(tǒng)的方法是通過(guò)控制加熱器溫度和藍(lán)寶石柱導(dǎo)熱對(duì)晶圓進(jìn)行降溫，但該種方法可能存在溫度分布不均的情況。

2、因此，亟需一種改善晶圓冷卻效果以達(dá)到更好固化效果的氣體傳輸裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了改善晶圓冷卻效果，更好達(dá)到固化效果，本技術(shù)提供了一種改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備。

2、所述晶圓固化設(shè)備包括：工藝腔室以及氣路系統(tǒng)。

3、所述氣路系統(tǒng)連接至所述工藝腔室，并與所述工藝腔室內(nèi)的氣體分配裝置密封連通。

4、所述氣路系統(tǒng)包括氣體管路、包裹在氣體管路外的制冷裝置。

5、所述氣路系統(tǒng)為所述工藝腔室提供溫度可控的低溫氣體，所述低溫氣體通過(guò)所述氣體分配裝置上均勻分布的出氣孔送出。

6、在一個(gè)實(shí)施例中，所述制冷裝置為半導(dǎo)體制冷片。

7、在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體制冷片將制冷一側(cè)按所述氣體管路的尺寸包圍在所述氣體管路四周，所述半導(dǎo)體制冷片的數(shù)量對(duì)應(yīng)所述氣體管路的數(shù)量。

8、在一個(gè)實(shí)施例中，所述氣路系統(tǒng)還包括氣柜，向所述氣體管路提供氣體。

9、在一個(gè)實(shí)施例中，所述氣柜提供的氣體包括n2、ar以及he中的一種或多種。

10、在一個(gè)實(shí)施例中，所述制冷裝置將所述氣路系統(tǒng)所傳輸?shù)臍怏w溫度控制在5-30℃。

11、在一個(gè)實(shí)施例中，所述制冷裝置為循環(huán)水冷系統(tǒng)。

12、在一個(gè)實(shí)施例中，所述晶圓固化設(shè)備還包括測(cè)溫線，安裝在所述氣體管路進(jìn)入所述工藝腔室之前。

13、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝腔室內(nèi)設(shè)置有支撐座、位于所述支撐座上的加熱盤、以及位于所述加熱盤上方的所述氣體分配裝置，所述加熱盤設(shè)有水路冷卻裝置。

14、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝腔室為固化腔室。

15、本技術(shù)通過(guò)控制進(jìn)入腔室的氣體溫度去改善晶圓表面溫度，從而達(dá)到更好的固化效果。具體而言，本技術(shù)通過(guò)采用制冷片或水冷系統(tǒng)的方法控制進(jìn)入腔室內(nèi)的氣體溫度，使流入腔室的氣體保持在一預(yù)設(shè)溫度(例如10℃)，以改善uv光照射時(shí)晶圓表面溫度升高的問(wèn)題，本技術(shù)通過(guò)氣體溫度去降低晶圓溫度，由于氣體分布更加均勻，因此晶圓降溫也會(huì)更均勻。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述晶圓固化設(shè)備包括：

2.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述制冷裝置為半導(dǎo)體制冷片。

3.如權(quán)利要求2所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體制冷片將制冷一側(cè)按所述氣體管路的尺寸包圍在所述氣體管路四周，所述半導(dǎo)體制冷片的數(shù)量對(duì)應(yīng)所述氣體管路的數(shù)量。

4.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述氣路系統(tǒng)還包括氣柜，向所述氣體管路提供氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述氣柜提供的氣體包括N2、Ar以及He中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述制冷裝置將所述氣路系統(tǒng)所傳輸?shù)臍怏w溫度控制在5-30℃。

7.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述制冷裝置為循環(huán)水冷系統(tǒng)。

8.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，還包括測(cè)溫線，安裝在所述氣體管路進(jìn)入所述工藝腔室之前。

9.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述工藝腔室內(nèi)設(shè)置有支撐座、位于所述支撐座上的加熱盤、以及位于所述加熱盤上方的所述氣體分配裝置，所述加熱盤設(shè)有水路冷卻裝置。

10.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述工藝腔室為固化腔室。

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【技術(shù)特征摘要】

1.一種改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述晶圓固化設(shè)備包括：

2.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述制冷裝置為半導(dǎo)體制冷片。

3.如權(quán)利要求2所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體制冷片將制冷一側(cè)按所述氣體管路的尺寸包圍在所述氣體管路四周，所述半導(dǎo)體制冷片的數(shù)量對(duì)應(yīng)所述氣體管路的數(shù)量。

4.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述氣路系統(tǒng)還包括氣柜，向所述氣體管路提供氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設(shè)備，其特征在于，所述氣柜提供的氣體包括n2、ar以及he中的一種或多種。

6.如權(quán)利要...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李俊紅，呂秋雨，張士勇，孫薇，李洪昊，鄧浩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：拓荊科技上海有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：