一種用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置制造方法及圖紙

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置，包括投射部、接收部和調(diào)節(jié)部；所述投射部，其用于沿預(yù)設(shè)投射方向投射出檢測(cè)光束于待檢測(cè)晶圓上；所述調(diào)節(jié)部，其位于所述檢測(cè)光束的預(yù)設(shè)反射方向上，用于調(diào)整接收到的反射光束的角度以使反射光束被所述接收部接收。本申請(qǐng)的裝置可以實(shí)現(xiàn)利用調(diào)節(jié)部改變經(jīng)晶圓反射的光束的角度，以縮短接收部與投射部之間的距離，使檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)更加緊湊，減小裝置在濕法槽上的占用面積。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及一種用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置。

技術(shù)介紹

1、目前通常將光纖傳感器用于濕法槽式設(shè)備晶圓殘留檢測(cè)。其中，光纖傳感器分為投光器和受光器兩個(gè)模塊，分別設(shè)置于濕法槽的兩側(cè)，并位于濕法槽蓋上方的前部和后部。因此，現(xiàn)有技術(shù)檢測(cè)晶圓殘留的設(shè)備占用空間較大。此外，光纖傳感器的投光器和受光器之間的連接線必須圍繞濕法槽設(shè)置，在高溫槽(濕法槽分為高溫槽和常溫槽)上接線可能會(huì)有斷線風(fēng)險(xiǎn)。并且因?yàn)楣饫w傳感器的安裝位置因素，在更換濕法槽周圍部分時(shí)，需要將光纖傳感器拆下，在操作過(guò)程中費(fèi)時(shí)費(fèi)力。光纖傳感器的投光器和受光器由于安裝距離較遠(yuǎn)，檢測(cè)的精度相對(duì)較低。日常維護(hù)和調(diào)試時(shí)光纖傳感器也會(huì)對(duì)濕法槽的作業(yè)區(qū)域產(chǎn)生阻礙等不良影響，為濕法槽的維護(hù)保養(yǎng)過(guò)程造成不便。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的是提供一種用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置，以減小該裝置用于檢測(cè)晶圓殘留時(shí)的占用面積，結(jié)構(gòu)更加緊湊。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)采用以下技術(shù)方案：

3、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置，包括投射部、接收部和調(diào)節(jié)部；所述投射部，其用于沿預(yù)設(shè)投射方向投射出檢測(cè)光束；所述調(diào)節(jié)部，其位于所述檢測(cè)光束的預(yù)設(shè)反射方向上，用于調(diào)整接收到的反射光束的角度以使所述反射光束被所述接收部接收。

4、在一些實(shí)施方式中，所述調(diào)節(jié)部包括反射單元，所述反射單元至少具有一個(gè)平面。

5、在一些實(shí)施方式中，所述反射單元包括平面反光鏡。

6、在一些實(shí)施方式中，所述調(diào)節(jié)部包括移動(dòng)單元，所述移動(dòng)單元與所述反射單元連接，以調(diào)整反射單元與所述接收部的相對(duì)位置。

7、在一些實(shí)施方式中，所述投射部包括激光發(fā)射器。

8、在一些實(shí)施方式中，所述接收部包括光接收單元和光分析單元。

9、在一些實(shí)施方式中，所述光分析單元與所述光接收單元電連接，用于根據(jù)所述光接收單元的接收參數(shù)確定是否有所述晶圓殘留。

10、在一些實(shí)施方式中，所述接收部包括cmos傳感器。

11、在一些實(shí)施方式中，所述投射部的投射面與所述接收部的接收面朝向相同。

12、在一些實(shí)施方式中，還包括控制部，所述控制部分別與所述投射部和所述接收部電連接，以控制所述投射部投射光束和所述接收部接收光束。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)的有益效果：

14、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置，該裝置采用包括投射部、接收部和調(diào)節(jié)部；投射部用于沿投射方向投射出檢測(cè)光束于待檢測(cè)晶圓上；調(diào)節(jié)部其位于晶圓與接收部之間，用于調(diào)整經(jīng)晶圓反射的光束的角度以使接收部接收。本申請(qǐng)的裝置可以實(shí)現(xiàn)利用調(diào)節(jié)部改變經(jīng)晶圓反射的光束的角度，以縮短接收部與投射部之間的距離，使檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)更加緊湊，減小裝置在濕法槽上的占用面積。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置，其特征在于，包括投射部、接收部和調(diào)節(jié)部；

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)部包括反射單元，所述反射單元至少具有一個(gè)平面。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述反射單元包括平面反光鏡。

4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)部包括移動(dòng)單元，所述移動(dòng)單元與所述反射單元連接，以調(diào)整反射單元與所述接收部的相對(duì)位置。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述投射部包括激光發(fā)射器。

6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述接收部包括光接收單元和光分析單元。

7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述光分析單元與所述光接收單元電連接，用于根據(jù)所述光接收單元的接收參數(shù)確定是否有晶圓殘留。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述接收部包括CMOS傳感器。

9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述投射部的投射面與所述接收部的接收面朝向相同。

10.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，還包括控制部，所述控制部分別與所述投射部和所述接收部電連接，以控制所述投射部投射光束和所述接收部接收光束。

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【技術(shù)特征摘要】

1.一種用于檢測(cè)晶圓殘留的裝置，其特征在于，包括投射部、接收部和調(diào)節(jié)部；

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)部包括反射單元，所述反射單元至少具有一個(gè)平面。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述反射單元包括平面反光鏡。

4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)部包括移動(dòng)單元，所述移動(dòng)單元與所述反射單元連接，以調(diào)整反射單元與所述接收部的相對(duì)位置。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述投射部包括激光發(fā)射器。

6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：白鋪凱，徐擇君，賴錦平，劉縱曙，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海積塔半導(dǎo)體有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：