【技術實現步驟摘要】
本公開關于一種半導體元件結構。特別是有關于一種在相鄰源極/漏極結構之間具有一氣隙的半導體元件結構。
技術介紹
1、由于其結構簡單，動態隨機存取存儲器(dram)可以在每單位晶片面積上提供比其他類型的存儲器(例如靜態隨機存取存儲器(sram))更多的存儲器單元。動態隨機存取存儲器由多個動態隨機存取存儲器單元所構成，每個動態隨機存取存儲器單元包括用于存儲信息的一電容器以及耦接到該電容器以調節該電容器何時充電或放電的一晶體管。在一讀取操作期間，字元線(wl)被確立，以打開該晶體管。啟用的晶體管允許一感測放大器經由位元線(bl)讀取該電容器兩端的電壓。在一寫入操作期間，在bl上提供要寫入的資料，同時wl被確立。
2、為了滿足更大存儲器存儲的需求，dram存儲器單元的尺寸不斷減小，導致這種dram的封裝密度顯著增加。然而，隨著dram存儲器單元尺寸要求規定尺寸不斷減小，電容耦合正成為導致寄生電容增加的一個日益重要的問題。因此，不期望地降低dram存儲器單元的速度，因此整體元件的效能受到負面影響。
3、上文的“先前技術”說明僅提供
技術介紹
，并未承認上文的“先前技術”說明揭示本公開的標的，不構成本公開的先前技術，且上文的“先前技術”的任何說明均不應作為本案的任一部分。
技術實現思路
1、本公開的一實施例提供一種半導體元件結構。該半導體元件結構包括一第一鰭結構、一第一源極/漏極結構、一第二源極/漏極結構、一第三源極/漏極結構、一第一字元線以及一第二字元線。該第一鰭結構設置在
2、本公開的另一實施例提供一種半導體元件結構的制備方法。該制備方法包括形成一第一鰭結構以及一第二鰭結構在一半導體基底上方；形成一隔離結構在該半導體基底上方，其中該第一鰭結構與該第二鰭結構從該隔離結構突伸；部分移除該第一鰭結構與該第二鰭結構以形成該第一鰭結構的一第一凹陷部以及該第二鰭結構的一第二凹陷部；外延地生長一第一源極/漏極結構在該第一凹陷部上方以及外延地生長一第二源極/漏極結構在該第二凹陷部上方，其中該第一源極/漏極結構借由一第一開口而與該第二源極/漏極結構分隔開；經由該第一開口而部分移除該隔離結構以形成一第二開口，其中該第一開口與該第二開口是一連續空間；形成一接觸蝕刻終止層在該第一源極/漏極結構與該第二源極/漏極結構上方，以使一氣隙形成并密封在該第一開口與該第二開口中；形成一層間介電結構在該接觸蝕刻終止層上方；移除該層間介電結構在該第一源極/漏極結構上方的一部分以及該接觸蝕刻終止層在該第一源極/漏極結構上方的一部分以形成一第三開口，其中第三開口暴露該第一源極/漏極結構；執行一非等向性沉積制程以沉積一阻障層在該第三開口中，其中該阻障層包括與該第一源極/漏極結構接觸的一下部以及與該層件介電結構接觸的一側部；以及形成一導電層在該阻障層上方，其中該阻障層與該導電層經配置以成為一位元線接觸點。
3、根據本公開的一些實施例提供了半導體元件結構的實施例。該半導體元件結構包括跨經一第一鰭結構與一第二鰭結構的一第一字元線、位在該第一鰭結構上方的一第一源極/漏極結構、以及位在該第二鰭結構上方的一第二源極/漏極結構。該第一源極/漏極結構與該第二源極/漏極結構形成在鄰近該第一字元線處，且一氣隙形成在該第一與該第二源極/漏極結構之間。因此，可以減少相鄰源極/漏極結構(即，第一與第二源極/漏極結構)之間的電容。結果，可以提高半導體元件結構的操作速度，并且可以提高整體元件效能。
4、上文已相當廣泛地概述本公開的技術特征及優點，使下文的本公開詳細描述得以獲得較佳了解。構成本公開的權利要求標的的其它技術特征及優點將描述于下文。本公開所屬
中具有通常知識者應了解，可相當容易地利用下文揭示的概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或制程而實現與本公開相同的目的。本公開所屬
中具有通常知識者亦應了解，這類等效建構無法脫離后附的權利要求所界定的本公開的精神和范圍。
【技術保護點】
1.一種半導體元件結構，包括：
2.如權利要求1所述的半導體元件結構，更包括：
3.如權利要求2所述的半導體元件結構，其中該第一阻障層包括接觸該第二源極/漏極結構的一下部以及一側部。
4.如權利要求3所述的半導體元件結構，其中該下部的一厚度大于該側部的一厚度。
5.如權利要求2所述的半導體元件結構，其中從該頂視圖來看，該第一位元線接觸點具有圓形輪廓。
6.如權利要求1所述的半導體元件結構，更包括：
7.如權利要求6所述的半導體元件結構，更包括：
8.如權利要求7所述的半導體元件結構，更包括：
9.如權利要求7所述的半導體元件結構，更包括：
10.如權利要求9所述的半導體元件結構，更包括：
11.如權利要求10所述的半導體元件結構，更包括：
12.如權利要求11所述的半導體元件結構，其中該氣隙的一最高點高于該第一鰭結構的一上表面與該第二鰭結構的一上表面。
13.如權利要求9所述的半導體元件結構，更包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體元件結構，包括：
2.如權利要求1所述的半導體元件結構，更包括：
3.如權利要求2所述的半導體元件結構，其中該第一阻障層包括接觸該第二源極/漏極結構的一下部以及一側部。
4.如權利要求3所述的半導體元件結構，其中該下部的一厚度大于該側部的一厚度。
5.如權利要求2所述的半導體元件結構，其中從該頂視圖來看，該第一位元線接觸點具有圓形輪廓。
6.如權利要求1所述的半導體元件結構，更包括：
7....
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃至偉，
申請(專利權)人：南亞科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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